技术文章 - 深圳市兆信半导体有限公司

MOS管被静电击穿的原因分析

MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。静电击穿有两种方式：一是电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路;二是功率型，即金属化薄膜铝条被熔断，造成栅极开路或者是源极开路。现在的mos管没有那么容易被击穿，尤其是是大功率的vmos,主要是不少都有二极管保护。vmos栅极电容大，感应不出高压。若是碰上3DO型的mos管冬天不带防静电环试试，基本上摸一个挂一个。与干燥的北方不同，南方潮湿不 ...

深圳市兆信半导体科学技术奖项目的公示

为了进一步推动中国半导体产业的发展，鼓励和表彰在半导体领域做出突出贡献的单位和个人，深圳市兆信半导体有限公司设立了“兆信科技奖”，并制定了相应的奖励办法。以下是深圳市兆信半导体科学技术奖项目的公示：一、奖项设置兆信科技奖分为三个奖项：卓越成就奖、科技创新奖、新锐企业奖。卓越成就奖：表彰在半导体产业领域取得重大突破和卓越成就的单位或个人；科技创新奖：表彰在半导体技术研发、产品创新、成果转化等方面取得突出成绩的单位或个人；新锐企业奖：表彰在半导体产业领域具有创新力和成长潜力的新兴企业。二、评选标准卓越成就奖：获奖者在半导体产业领域取得的技术突破、市场应用、产 ...