2024 -07
唱旺高频宽记忆体
研调机构集邦科技（TrendForce）昨（22）日发布最新报告指出，受惠均价上扬，以及AI需求强劲带动高频宽记忆体（HBM）、四层单元（QLC）快闪记忆体崛起，今、明年全球记忆体产业营收将一路走扬，明年DRAM与储存型快闪记忆体（NAND Flash）营收更将同步改写新猷。
法人指出，即便台厂在HBM领域并未著墨，仍将受惠三星、SK海力士、美光等记忆体厂大举将既有DRAM产能提拨生产HBM，引动的DDR4与DDR5等DRAM生产锐减带来的正面效益，南亚科、威刚、十铨、宜鼎、群联等台厂都将搭上这波热潮。
集邦分析，驱动DRAM产业营收增长的主要动能，包括HBM崛起、一般型DRAM产品世代演进、原厂资本支出限缩供给和伺服器需求复甦。此外，DDR5和LPDDR5／5X等高附加价值产品的渗透，同样有助提高平均价格。
集邦估计，DDR5将分别贡献2024年、2025年伺服器DRAM位元出货量40%，以及60%至65%；LPDDR5／5X则分别贡献2024、2025年行动记忆体（mobile DRAM）位元出货量50%、60%。
