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二极管
型号
封装
品牌
分类
圆盘信息
描述
DFN1006-2L
MXsemi
二极管
10000个/圆盘
这款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管,专为5V系统提供高级别的单通道保护。具备4A峰值脉冲电流IPP能力,有效吸收与钳位双向瞬态ESD冲击,确保电路不受损坏。超低结电容仅0.35pF,特别适合高速数据传输接口,实现卓越信号完整性和最小干扰,是现代精密电子设备的理想ESD防护方案。
SOD-123FL
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
该SOD-123FL封装双向TVS瞬态抑制二极管专为6V系统设计,提供强大的正负向过压保护功能。具备出色的19.4A峰值脉冲电流承受能力,在面对双向瞬态电压时能快速响应并有效钳位电压,确保电子设备免受瞬时高压冲击损害,尤其适用于空间受限且需要高浪涌防护性能的应用场景。
SOT-23
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
这款SOT-23封装双向ESD静电防护二极管采用双通道设计,具有7V工作电压耐受值VRWM,可有效抵御过电压。器件在每个通道上能承受瞬态峰值电流IPP高达10A,并配置了低结电容CJ为15pF,在提供强大防静电保护的同时保持高速信号传输的完整性,是理想的双通道接口静电防护解决方案。
SOD-123FL
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
此款SOD-123FL封装的双向TVS瞬态抑制二极管,适用于36V系统,提供卓越的正负向过电压保护。具备3.4A峰值脉冲电流IPP能力,能快速响应并有效钳位电路中的瞬态高压,有效抵御浪涌、静电放电等瞬变事件对电子设备的损害,是高电压应用场合的理想防护组件,确保电源线及信号接口安全稳定。
SOD-123FL
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
该SOD-123FL封装双向TVS瞬态抑制二极管,专为7.5V系统提供卓越的过电压防护。器件具有强大的双向峰值脉冲电流IPP承载能力达15.5A,能够迅速响应并有效钳位正负向瞬态电压尖峰,保护电路不受浪涌、静电放电等瞬态事件损害,适用于各类接口及电源线的高级瞬态保护应用。
SOD-123FL
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
这款SOD-123FL封装单向TVS瞬态抑制二极管,专为12V系统设计,具备出色的过电压保护性能。器件能承受高达10.1A的峰值脉冲电流IPP,快速响应并有效钳位电路中正向瞬态过电压,防止浪涌、静电放电等对电子设备造成冲击损害,是电源线和信号接口的理想防护选择。
SMA(DO-214AC)
MXsemi
二极管
5000个/圆盘
本款SMA封装的单向TVS瞬态抑制二极管专为33V额定反向工作电压下的电路保护设计,具备出色的瞬态过压防护能力。其峰值脉冲电流IPP高达7.5A,在电路遭受异常过压冲击时能迅速响应并高效钳位电压,防止损坏敏感电子元件,确保系统在高压瞬变环境下稳定运行,是电源线、信号线抗浪涌的理想选择。
SMB(DO-214AA)
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
此款SMB封装Uni单向TVS瞬态抑制二极管,专为24V电压系统提供高效过压保护。拥有高达15.5A的峰值脉冲电流承受能力,在瞬态事件中能快速响应并精确钳位电压,有效抵御雷击、静电等瞬变对电子设备的影响,是中等电压环境下的理想单向浪涌防护解决方案。
DFN1006-2L
MXsemi
二极管
10000个/圆盘
这款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管,专为5V系统提供高效抗静电保护。采用紧凑型1通道设计,拥有超低结电容0.35pF,确保在高速数据传输中实现卓越信号完整性。峰值脉冲电流IPP达4A,能有效吸收和抑制双向瞬态ESD冲击,防止敏感电子元件受损,是现代便携式设备、高速接口及高密度电路板的理想ESD防护解决方案。
SMB
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
此款SMB封装的Uni单向TVS瞬态抑制二极管,专为12V电压等级的电路设计,具备出色的过压防护性能。能在瞬态事件中承受高达30.2A的峰值脉冲电流IPP,快速响应并有效钳位异常电压,确保电子设备在遭受雷击、静电等瞬态冲击时保持稳定运行,是电源及信号线的理想单向浪涌保护器件。
SOT-363
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
这款SOT-363封装单向ESD静电防护二极管,具备4+1通道设计,具有5V的VRWM电压阈值,可有效防止过电压。器件在每个通道上能承载瞬态峰值电流IPP高达4A,并具有超低结电容CJ为0.6pF,确保在多通道应用中提供强大ESD保护的同时,维持高速信号线路的卓越传输质量,是高集成度接口的理想防静电方案。
SMA(DO-214AC)
MXsemi
二极管
5000个/圆盘
该款SMA封装单向TVS瞬态抑制二极管,专为20V电压系统设计,提供高效的正向过压保护。器件拥有12.3A峰值脉冲电流承受能力,在电路面临瞬间高压时能迅速响应并精确钳位电压,有效防御雷击、浪涌等瞬态事件对电子设备的冲击,确保系统稳定可靠运行。
SOD-523
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
这款SOD-523封装单向ESD静电防护二极管,专为1通道应用提供卓越保护。具有5V的稳定VRWM电压阈值,可有效防止过压损伤。器件在遭遇瞬态事件时能承载高达9.4A的峰值脉冲电流IPP,并保持80pF的结电容CJ,确保在强效抑制ESD的同时,维持高速数据线路的良好信号完整性,是高性能接口的理想防静电解决方案。
SMC(DO-214AB)
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
这款SMC封装的双向TVS瞬态抑制二极管适用于30V工作电压系统,提供全面的正负向过压保护。其拥有强大的峰值脉冲电流承受能力为31A,在遭遇双向瞬态电压冲击时能迅速响应并有效箝位电压,确保电子设备免受瞬间浪涌损害,是高功率、高速率应用中不可或缺的高效防护器件。
SOD-523
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
此款SOD-523封装的双向ESD静电防护二极管专为5V系统提供卓越保护,具备单通道设计,能高效抑制双向瞬态ESD冲击。器件具有9A峰值脉冲电流IPP能力,并将结电容控制在低至15pF,确保在高速数据传输中维持信号完整性。是高集成度电子设备的理想选择,为I/O接口提供出色的抗静电干扰性能。
SMB(DO-214AA)
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
该SMB封装Bi双向TVS瞬态抑制二极管适用于20V电压系统,具备卓越的正负向过压保护功能。在瞬态事件中可承受高达18.6A峰值脉冲电流,快速响应并有效钳位电压波动,为电源线和信号线提供全面的双向浪涌防护,有效抵御雷击、静电等瞬态冲击对电子设备的影响。
SOD-323
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
此款SOD-323封装的双向ESD静电防护二极管,专为3.3V系统提供全面保护。具备卓越双向瞬态抑制能力,峰值脉冲电流IPP高达38A,确保在极端ESD事件下安全无虞。1通道设计,结电容低至450pF,有效兼顾高速信号完整性与卓越的静电放电防护性能,是现代敏感电子设备的理想选择。
SOD-523
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
这款SOD-523封装单向ESD静电防护二极管,适用于12V系统,提供高效单通道保护。具备8A峰值脉冲电流IPP能力,能有效抑制单向瞬态ESD冲击,确保电路不受损坏。结电容为34pF,在高速数据线路上仍保持良好信号完整性,是高要求电子设备接口的理想ESD防护解决方案。
SOD-323
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
这款SOD-323封装的双向ESD静电防护二极管专为12V系统设计,提供卓越的单通道瞬态保护。具备高达15A的峰值脉冲电流IPP能力,能有效吸收和抑制双向静电放电,确保电子设备免受过电压冲击。低至20pF的结电容保证高速信号传输不受干扰,是高可靠性、高速接口的理想ESD防护解决方案。
SMA(DO-214AC)
MXsemi
二极管
5000个/圆盘
该款SMA封装单向TVS瞬态抑制二极管,专为17V电压系统设计,提供高效的正向过压保护。具备高达14.5A的峰值脉冲电流处理能力,在电路遭遇瞬态高压时能迅速响应并准确钳位电压,有效防止雷击、浪涌等冲击导致的损害,确保电子设备在严苛条件下稳定运行。
SMA(DO-214AC)
MXsemi
二极管
5000个/圆盘
此款SMA封装的高性能双向TVS瞬态抑制二极管适用于14V系统,提供卓越的双向过电压保护。器件能在正负方向上承载高达17.2A的峰值脉冲电流,响应迅速,有效钳位瞬间高压至安全阈值,为电路板及敏感电子元件抵挡雷击、静电放电和电源突变等瞬态事件带来的冲击,确保系统运行稳定可靠。
DFN1006-2L
MXsemi
二极管
10000个/圆盘
这款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管,适用于5V系统,提供单通道高效保护。具备5.5A峰值脉冲电流IPP能力,有效抵御双向瞬态ESD冲击,确保敏感电子设备安全。仅10pF结电容设计,保证高速信号线路在遭受静电放电时仍能保持优异的信号完整性,是现代集成化电子产品理想的抗ESD解决方案。
SOD-123FL
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
SOD-123FL封装的高效双向TVS瞬态抑制二极管,专为精密电子设备提供卓越过电压保护。具有12V的反向工作电压VRWM和高达10.1A的双向峰值脉冲电流IPP能力,能在瞬间吸收并抑制电源线、信号线上的浪涌及瞬态干扰,有效防止静电放电和过压事件对电路造成的损害,是现代低电压应用的理想防护组件。
SMB(DO-214AA)
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
这款SMB封装Uni单向TVS瞬态抑制二极管,专为18V电压等级设计,提供卓越的过压保护。在瞬态事件中可承受高达20.6A的峰值脉冲电流,响应迅速并有效钳位电压尖峰,适用于电源线及信号线的单向浪涌防护,有效抵御雷击、静电等瞬变现象对电子设备的影响。
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