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二极管
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圆盘信息
描述
SOD-123FL
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
SOD-123FL封装的高效双向TVS瞬态抑制二极管,专为精密电子设备提供卓越过电压保护。具有12V的反向工作电压VRWM和高达10.1A的双向峰值脉冲电流IPP能力,能在瞬间吸收并抑制电源线、信号线上的浪涌及瞬态干扰,有效防止静电放电和过压事件对电路造成的损害,是现代低电压应用的理想防护组件。
SMB(DO-214AA)
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
这款SMB封装Uni单向TVS瞬态抑制二极管,专为18V电压等级设计,提供卓越的过压保护。在瞬态事件中可承受高达20.6A的峰值脉冲电流,响应迅速并有效钳位电压尖峰,适用于电源线及信号线的单向浪涌防护,有效抵御雷击、静电等瞬变现象对电子设备的影响。
MXsemi
二极管
个/圆盘
此款SOD-123FL封装双向TVS瞬态抑制二极管,适用于20V系统,提供全面的正负向过电压保护。具有6.2A峰值脉冲电流IPP能力,能够快速响应并有效钳位电路中的瞬态电压变化,确保电子设备免受浪涌、静电放电等瞬态事件损害,是中高压环境下接口及电源线的理想瞬态防护方案。
SOD-123FL
MXsemi
二极管
个/圆盘
此款SOD-123FL封装的双向TVS瞬态抑制二极管,专为8.5V系统设计,提供卓越的正负向过电压保护。器件具有强大的峰值脉冲电流IPP承载能力(高达13.9A),能快速响应并钳位瞬态电压尖峰,有效防护电路不受浪涌、静电放电等瞬态事件冲击,适用于各类接口及电源线的高级瞬态防护应用。
SOD-123FL
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
该SOD-123FL封装双向TVS瞬态抑制二极管,适用于28V系统,提供高效正负向过电压保护。具备4.4A峰值脉冲电流承载能力,能快速响应并钳位电路中出现的瞬态高压,有效防止浪涌、静电放电等瞬态事件对电子设备造成的损害,是高电压应用场合的理想防护器件,保障电源线及信号接口安全稳定运行。
SOD-123FL
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
本款SOD-123FL封装的双向TVS瞬态抑制二极管,适用于广泛电路保护需求。具有15V的稳定反向工作电压VRWM及强大的8.2A双向峰值脉冲电流IPP承受能力,能在瞬间高效抑制电源和信号线上的过电压瞬变、浪涌冲击及静电放电,确保电子设备免受损害,是高可靠性系统接口的理想防护选择。
SOD-123FL
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
这款SOD-123FL封装的双向TVS瞬态抑制二极管,专为16V系统设计,具备出色的正负向过电压保护功能。器件能在瞬间承载高达7.7A的峰值脉冲电流IPP,快速响应并有效钳位电路中的瞬态电压波动,确保电子设备免受浪涌、静电放电等瞬态事件损害,是电源线和信号接口的理想防护方案。
SMA(DO-214AC)
MXsemi
二极管
5000个/圆盘
该SMA封装单向TVS瞬态抑制二极管适用于18V电压系统,提供强大正向过压保护。具备高达13.7A的峰值脉冲电流处理能力,在电路遇到瞬态高压时能快速响应并精确钳位,有效抵御雷击、浪涌等冲击,确保电子设备在恶劣条件下稳定、安全运行。
SON-10
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
这款高性能ESD静电防护二极管采用DFN2510-10L封装,内含4个独立单向通道。工作电压额定值VRWM为3.3V,每个通道可承受瞬态脉冲电流IPP高达5A,且结电容低至0.3pF,特别适合高速数据接口的ESD防护需求,提供卓越的信号完整性保护,有效抵御静电冲击,确保电路安全稳定运行。
SOT-23
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
此款SOT-23封装的双向ESD静电防护二极管,适用于12V系统,提供双通道保护。每个通道能承受高达11A峰值脉冲电流IPP,有效抑制双向瞬态ESD冲击。仅8pF的结电容设计确保在高速接口应用中保持卓越信号完整性,是高电压、多线路ESD防护的理想选择,为电子设备提供全面可靠的静电防护性能。
SMB(DO-214AA)
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
这款SMB封装的Uni单向TVS瞬态抑制二极管专为高效能过压保护设计,具备7V的稳定反向工作电压VRWM。在瞬态过压事件中可耐受高达50A的峰值脉冲电流IPP,提供快速响应和强大的浪涌吸收能力,有效防止雷击、静电放电等造成的电路损坏,是低电压系统及敏感电子设备的理想单向过压防护解决方案。
SMC(DO-214AB)
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
此款单向TVS瞬态抑制二极管采用SMC封装,专为30V系统提供强大过电压保护。其卓越的峰值脉冲电流能力高达31A,在正向瞬变条件下快速响应并精确钳位电压,有效抵御高能量浪涌冲击,确保敏感电子设备免受瞬间高压损害,是高功率应用场合的理想防护组件。
SMC(DO-214AB)
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
此款单向TVS瞬态抑制二极管采用SMC封装,专为30V系统提供强大过电压保护。其卓越的峰值脉冲电流能力高达31A,在正向瞬变条件下快速响应并精确钳位电压,有效抵御高能量浪涌冲击,确保敏感电子设备免受瞬间高压损害,是高功率应用场合的理想防护组件。
SOD-523
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
这款SOD-523封装的双向ESD静电防护二极管,专为5V系统提供单通道保护。具备3A峰值脉冲电流IPP能力,有效对抗双向瞬态ESD事件。其结电容低至0.6pF,特别适用于高速数据传输接口,实现卓越信号完整性的同时,提供了高级别的静电放电防护性能。
SOD-523
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
这款SOD-523封装的双向ESD静电防护二极管,专为5V系统提供高效保护。具备1通道设计,能承受高达11A的峰值脉冲电流IPP,有效抵抗双向瞬态ESD冲击。仅20pF的结电容确保在高速数据传输中保持信号完整性,是高集成度、低干扰要求的电子设备的理想选择,为敏感电路提供卓越的静电防护性能。
SMB
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
森美特SMB封装的双向TVS瞬态抑制二极管,专为高效防护设计。该器件具有51V的反向工作电压(VRWM)和7.3A的最大脉冲峰值电流(IPP),能在瞬间吸收过压尖峰,有效钳位电压并保护电路不受瞬态浪涌损害,适用于各类电子设备的过压防护应用。
SOD-523
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
在售的这款SOD-523封装双向ESD静电防护二极管,特别适用于单通道电路保护。具备5V反向工作电压耐受值VRWM,可有效防御过电压风险。器件提供高达9A的峰值脉冲电流IPP能力,并拥有低至15pF的结电容CJ,确保在实现卓越ESD防护的同时,最大限度减少对高速信号传输质量的影响,是各类高速接口的理想静电防护选择。
SMB
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
该SMB封装双向TVS瞬态抑制二极管适用于15.3V系统,提供全面的正负向过压保护。拥有24.2A峰值脉冲电流处理能力,在遭遇双向瞬态电压时快速响应并高效钳位,有效抵御瞬间高压冲击,确保电子设备在高浪涌环境下稳定运行,是中高功率应用的理想防护组件。
SOD-523
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
此款SOD-523封装的双向ESD静电防护二极管,专为3.3V系统提供单通道保护。拥有9A峰值脉冲电流IPP性能,有效对抗双向瞬态ESD冲击,保障电路安全稳定。15pF低结电容设计确保高速信号传输时保持出色的信号完整性,是现代便携式及高集成度电子设备的理想ESD防护选择。
SMB(DO-214AA)
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
这款SMB封装的双向TVS瞬态抑制二极管,适用于30.8V工作电压环境,提供高效的正负向过压保护。具备12.2A峰值脉冲电流处理能力,在遇到瞬态电压时能快速响应并精确钳位,有效防止电子设备遭受瞬间高压冲击损害,尤其适合在中等功率应用场合作为可靠的浪涌防护器件使用。
SMB(DO-214AA)
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
该TVS瞬态抑制二极管为Uni单向类型,采用空间节省的SMB封装。专为低电压应用设计,具备6.5V的可靠反向工作电压VRWM,在过压事件中能承受高达53.6A的巨大峰值脉冲电流IPP。快速响应并有效钳位瞬态电压,为敏感电子设备提供卓越的单向浪涌保护,尤其适用于需要高强度防雷击、静电放电防护的电路场合。
MXsemi
二极管
个/圆盘
这款SOD-323封装的双向ESD静电防护二极管,专为5V系统提供单通道高效保护。具备11A峰值脉冲电流IPP能力,有效抑制双向瞬态ESD冲击,确保电路稳定运行。其结电容低至20pF,在高速数据传输中保持信号完整性,是现代高集成度电子设备理想的紧凑型、高性能ESD防护方案。
SOT-23
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
这款SOT-23封装的单向ESD静电防护二极管,适用于3.3V系统,提供双通道保护。每通道能承受高达11A的峰值脉冲电流IPP,有效抵御单向静电放电冲击。器件具有低至100pF的结电容,确保高速数据接口信号质量,并为现代高集成度电子设备提供出色的抗静电干扰能力,是理想的多线ESD防护解决方案。
SMA(DO-214AC)
MXsemi
二极管
5000个/圆盘
该TVS瞬态抑制二极管是一款Bi双向器件,封装为小型化的SMA形式,适用于高效能的双向过电压保护。具备58V的稳定双向反向工作电压VRWM,在正负极性瞬变中均能发挥出色性能,可耐受高达4.3A的峰值脉冲电流IPP,快速响应并钳位异常电压至安全水平,是电源线、信号线及各类电子设备防止雷击、静电放电等瞬态电压损害的理想防护组件。
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