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二极管
型号
封装
品牌
分类
圆盘信息
描述
SOD-323
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
该SOD-323封装的单通道双向ESD静电防护二极管,专为高效防护设计。具有高达24V的VRWM反向工作电压耐受值和强大的9.5A瞬态脉冲电流承受能力。其30pF低结电容特性确保在提供卓越ESD保护的同时,保持高速信号线路的低干扰传输,适用于各类敏感电子设备接口防护。
SOT-23
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
这款ESD静电防护二极管采用SOT-23封装,提供双通道单向保护。每个通道具有5V的额定工作电压VRWM,并能耐受高达16A瞬态脉冲电流IPP,同时拥有超低结电容CJ仅为0.25pF,特别适合高速数据接口应用,有效防止ESD静电放电对电路造成损害,确保信号传输稳定无干扰。
SMB
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
此款SMB封装Uni单向TVS瞬态抑制二极管,专为22V电压等级设计,提供强大过压保护。具备16.9A峰值脉冲电流承载能力,在遇到瞬态过电压时能迅速响应并有效钳位至安全水平,有效防止雷击、静电等冲击对电子设备造成的损害,是中等电压应用的理想单向浪涌防护器件。
SOD-323
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
这款ESD静电防护二极管采用紧凑型SOD-323封装,是一款高效的单通道双向器件。额定VRWM为5V,能承受高达34A的瞬态脉冲电流(IPP),且拥有低电容180pF,特别适用于对电容敏感的高速数据线路,提供卓越的静电放电保护,确保电路免受ESD冲击损害。
SMB(DO-214AA)
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
该SMB封装Uni单向TVS瞬态抑制二极管专为28V系统设计,提供卓越的过压防护。具备13.3A峰值脉冲电流承受能力,在瞬态电压事件中快速响应并钳位至安全水平,有效防止雷击、静电等瞬态现象对电子设备造成的损害,是中等电压应用的理想单向浪涌保护组件。
SMB(DO-214AA)
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
该SMB封装Bi双向TVS瞬态抑制二极管,专为22V系统设计,具备出色的双向过压防护能力。可在正负瞬态事件中承受高达16.9A峰值脉冲电流,快速响应并有效钳位电压尖峰,适用于电源线和信号线的双向浪涌保护,有效防止雷击、静电等瞬态现象对电子设备造成损害。
SMA(DO-214AC)
MXsemi
二极管
5000个/圆盘
这款SMA封装单向TVS瞬态抑制二极管,专为28V系统提供卓越的正向过压保护。具备8.8A峰值脉冲电流处理能力,在电路遭受正向瞬态高压时能快速响应并准确钳位电压,有效防止雷击、浪涌等冲击导致的损害,确保电子设备在高可靠性条件下稳定运行。
SMB(DO-214AA)
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
该SMB封装Uni单向TVS瞬态抑制二极管专为中高电压应用设计,具备40V的可靠反向工作电压VRWM。在过压事件中能有效吸收并钳位高达9.3A的峰值脉冲电流IPP,提供快速响应和卓越的单向浪涌保护,有效防止雷击、静电等瞬态现象对电子设备造成损害,适用于多种电源及信号线防护需求。
SMB(DO-214AA)
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
此款SMB封装Uni单向TVS瞬态抑制二极管,专为26V电压等级的电路设计,提供高效过压保护。具有14.3A峰值脉冲电流IPP承受能力,在遇到瞬态过电压时能迅速响应并有效钳位,防止雷击、静电等引起的瞬间高压损害电子设备,是中高电压应用场合的理想单向浪涌防护解决方案。
DFN1006-2L
MXsemi
二极管
10000个/圆盘
此款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管,专为7V系统设计,提供单通道卓越保护。具有9A峰值脉冲电流IPP能力,有效应对双向瞬态ESD冲击,确保电路安全稳定运行。8pF低结电容特性保障高速数据传输时信号完整性,是现代电子设备及高要求接口的理想ESD防护解决方案。
SMB(DO-214AA)
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
这款SMB封装Uni单向TVS瞬态抑制二极管,专为60V电压等级的电路设计,提供可靠的过压保护。具备出色的瞬态响应能力,能承受高达6.2A的峰值脉冲电流IPP,在瞬态过电压事件中快速钳位,有效防止雷击、静电放电等对电子设备造成损害,是中高电压环境下的理想单向浪涌防护解决方案。
SOD-523
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
这款SOD-523封装的双向ESD静电防护二极管,专为单通道应用提供卓越保护。具有5V工作电压耐受值VRWM,能有效防止过电压损害。器件在瞬态条件下可承受峰值脉冲电流IPP高达2.5A,并具备超低结电容CJ仅为2.5pF,确保在提供强大ESD防护的同时,最大程度地减少对高速信号完整性的影响,是高要求接口的理想防静电解决方案。
SMA(DO-214AC)
MXsemi
二极管
5000个/圆盘
这款高性能单向TVS瞬态抑制二极管采用紧凑型SMA封装,特别适合空间受限的设计。其VRWM额定反向工作电压为15V,在遇到瞬态过压事件时能提供卓越保护,峰值脉冲电流IPP高达16.4A,确保快速响应并有效钳位异常电压,为敏感电子设备提供强有力的过压防护,适用于各种电源线和信号线的浪涌防护应用。
SMB(DO-214AA)
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
该SMB封装Bi双向TVS瞬态抑制二极管,适用于60V电压系统,提供全面正负向过压保护。能在瞬态事件中承受6.2A峰值脉冲电流,响应迅速并有效钳位异常电压,确保电子设备不受雷击、静电等瞬态现象影响,是高电压环境下的理想双向浪涌防护组件。
SMA(DO-214AC)
MXsemi
二极管
5000个/圆盘
这款SMA封装单向TVS瞬态抑制二极管适用于40V工作电压系统,提供高效的正向过压保护。具有6.2A峰值脉冲电流承受能力,可在电路遭遇瞬间高压时快速响应并精确钳位,有效防止雷击、浪涌等瞬态事件对电子设备造成损害,确保系统稳定性和可靠性。
DFN1006-2L
MXsemi
二极管
10000个/圆盘
这款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管,专为5V系统设计,提供单通道高效保护。具备3A峰值脉冲电流IPP性能,有效抑制双向瞬态ESD电压,保障电路安全。结电容低至0.6pF,确保高速数据接口在面对静电放电时信号完整性得到最佳维持,是高集成度和高速传输电子设备的理想ESD防护解决方案。
SMA(DO-214AC)
MXsemi
二极管
5000个/圆盘
该SMA封装双向TVS瞬态抑制二极管,适用于60V电压系统,提供高级别的正负双向过压保护。具有4.1A峰值脉冲电流处理能力,可在电路遭受瞬间高压冲击时快速响应并精确钳位电压,有效防护电子设备不受雷击、浪涌及静电放电等瞬态事件影响,确保系统稳定运行。
SMA(DO-214AC)
MXsemi
二极管
5000个/圆盘
该SMA封装的双向TVS瞬态抑制二极管,专为36V工作电压下的双向过压保护而设计。器件具备出色的瞬态响应能力,能承受峰值脉冲电流IPP高达6.9A,在正负方向均可高效吸收与钳位异常电压,有效防止浪涌、静电放电等对电路造成的损害,确保电子设备在高压瞬变环境下稳定可靠运行。
SMB(DO-214AA)
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
此款TVS瞬态抑制二极管采用SMB封装,具备双向保护功能,适用于45V工作电压环境下的电路防护。其设计能够承受高达8.3A的峰值脉冲电流,在正负瞬态过电压情况下迅速响应并有效箝位电压,确保电子设备免受瞬态浪涌冲击损害,是精密电路的理想过压保护元件。
SMB
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
此款SMB封装双向TVS瞬态抑制二极管,专为20.5V系统设计,提供高效双向过压保护。器件能在正负瞬变电压下快速响应,峰值脉冲电流高达18.4A,确保有效钳位电压以抵御瞬态浪涌冲击,是高稳定性和大电流应用场合的理想防护元件。
SOT-523
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
这款SOT-523封装单向ESD静电防护二极管,采用双通道配置,具有5V工作电压耐受值VRWM,有效防止过电压损害。器件每通道可承受瞬态峰值电流IPP高达4A,并拥有超低结电容CJ仅为0.5pF,在提供强大ESD保护的同时确保高速信号传输无损,尤其适合对信号完整性和防静电性能要求严苛的现代双通道接口应用。
SMB(DO-214AA)
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
此款SMB封装的Bi双向TVS瞬态抑制二极管,专为中低电压系统设计,提供全面的正负向过压保护。具有8.5V稳定的双向反向工作电压VRWM,在瞬态事件中能承受高达41.7A的峰值脉冲电流IPP,快速响应并有效钳位异常电压,适用于电源线、信号线等场合,为电子设备提供卓越的双向浪涌防护,抵御雷击、静电放电等冲击。
SOT-23
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
这款SOT-23封装的双向ESD静电防护二极管,拥有双通道设计,具有高达24V的工作电压耐受值VRWM,有效防止过电压损害。器件每个通道可承受瞬态峰值电流IPP为4A,并配置了低至10pF的结电容CJ,在确保卓越ESD保护性能的同时,最大程度地维持高速信号传输的完整性,适用于各种需要高性能防静电措施的场合。
SOD-323
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
此款SOD-323封装双向ESD静电防护二极管专为5V系统设计,提供单通道高效防静电保护。拥有11A峰值脉冲电流IPP承受能力,能有效抑制双向瞬态ESD冲击,保持电路安全稳定。其低至20pF的结电容确保高速数据线路信号完整性,是现代高集成电子设备的理想ESD防护组件。
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