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二极管
型号
封装
品牌
分类
圆盘信息
描述
DFN2510-10L
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
这款DFN2510-10L封装的单向ESD静电防护二极管,采用4通道配置,具有5V工作电压耐受值VRWM,有效防止过电压冲击。每个通道提供高达4A瞬态峰值电流IPP保护,并拥有业界领先的超低结电容CJ仅0.3pF,确保在强大ESD防护的同时保持信号高速、无损传输,是多通道高速接口的理想防静电解决方案。
SOD-123FL
MXsemi
二极管
个/圆盘
该SOD-123FL封装双向TVS瞬态抑制二极管,专为30V系统设计,具备高效双向过电压保护功能。器件能在正负方向上承载4.1A峰值脉冲电流IPP,快速响应并钳位电路中的瞬态高压波动,有效防止浪涌、静电放电对电子设备造成损害,是中高电压应用场景下接口及电源线的理想防护元件。
SMA
MXsemi
二极管
5000个/圆盘
SMA封装的高性能双向TVS瞬态抑制二极管,专为高效过压防护设计。该器件拥有5V额定反向工作电压VRWM,峰值脉冲电流IPP高达43.5A,能在瞬间吸收异常高压,有效保护电路免受浪涌和瞬态电压损害,确保系统稳定可靠运行。
SOD-123FL
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
该款SOD-123FL封装单向TVS瞬态抑制二极管,针对26V系统提供卓越的正向过电压保护。器件具有4.8A峰值脉冲电流IPP承受能力,能够迅速响应并钳位电路中的瞬态高压,有效防止浪涌和瞬态事件对电子设备造成冲击损害,是高电压环境下电源线、信号接口的理想防护选择。
SOD-123FL
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
该款SOD-123FL封装单向TVS瞬态抑制二极管,专为24V系统设计,提供卓越的正向过电压保护。器件具备5.1A峰值脉冲电流IPP能力,能在电路遇到瞬态高压时迅速响应并钳位至安全水平,有效防止浪涌和瞬变对电子设备造成损害,是中高电压环境下电源线、信号接口的理想防护组件。
SMB
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
此SMB封装单向TVS瞬态抑制二极管,专为高功率瞬变防护设计。拥有5.8V的稳定反向工作电压VRWM,以及高达38A的卓越单向脉冲峰值电流IPP能力,能在瞬间吸收并钳位过电压,有效保护电路免受浪涌、瞬态干扰和ESD冲击损害,是确保敏感电子设备稳定运行的理想选择。
DFN1006-2L
MXsemi
二极管
10000个/圆盘
该DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管适用于5V系统,提供单通道高效保护。具有5.5A峰值脉冲电流IPP能力,能有效抑制双向瞬态ESD冲击,确保电路稳定运行。其结电容为10pF,适合高速数据接口应用,兼具良好的信号完整性和卓越的静电防护性能,是现代电子设备理想的抗静电方案。
SMB(DO-214AA)
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
这款SMB封装的Bi双向TVS瞬态抑制二极管,专为36V系统设计,提供全面正负向过压保护。能在瞬态事件中承受10.4A峰值脉冲电流,快速响应并有效钳位电压波动,适用于电源线、信号线的双向浪涌防护,有效抵御雷击、静电等引起的瞬态冲击,确保电子设备稳定运行。
SOD-123FL
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
这款SOD-123FL封装的双向TVS瞬态抑制二极管,专为6.5V系统提供卓越的正负向过电压保护。具备高达17.9A的峰值脉冲电流IPP能力,能迅速响应并钳位电路中的瞬态电压波动,有效抵御浪涌、静电放电等瞬态事件对电子设备造成的损害,适用于电源线及信号接口的高效防护需求。
SMB(DO-214AA)
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
这款SMB封装的TVS瞬态抑制二极管为Bi双向设计,适用于中高压电路的全面保护。具备33V的稳定双向反向工作电压VRWM,在正负过压事件下表现出色,可承受高达11.3A的峰值脉冲电流IPP,有效吸收并快速钳位瞬态电压,为电源线、信号线及敏感电子设备提供卓越的双向浪涌防护能力,确保系统免受雷击、静电等瞬态冲击的影响。
SOT-23
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
这款SOT-23封装的双向ESD静电防护二极管适用于双通道保护,具有高达24V的VRWM耐压值,有效防止过电压冲击。器件每通道可承受瞬态峰值电流IPP达4A,并且拥有低至10pF的结电容CJ,确保在提供强大ESD防护的同时维持高速信号传输质量,是理想的双通道接口防静电解决方案。
SMA
MXsemi
二极管
5000个/圆盘
SMA封装的高性能双向TVS瞬态抑制二极管,专为高效防护设计。具有5.8V的额定反向工作电压VRWM,可承受高达39A的峰值脉冲电流IPP,快速响应保护您的电路免受瞬态浪涌、静电放电和过压冲击损害,是敏感电子设备的理想防护选择。
SOT-23
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
该ESD静电防护二极管采用紧凑型SOT-23封装,内含两个高性能双向通道。额定VRWM为7V,每通道可承受高达10A的瞬态冲击电流IPP,同时保持超低结电容仅为15pF。专为保护高速数据接口设计,有效防止ESD静电放电对电路造成损害,确保信号稳定传输,是高集成度系统中理想的静电防护解决方案。
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