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二极管
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圆盘信息
描述
DFN1006-2L
MXsemi
二极管
10000个/圆盘
此款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管,专为5V系统设计,提供单通道高效防护。具备9A峰值脉冲电流IPP能力,能有效吸收和抑制双向瞬态ESD事件,保护电路不受损坏。结电容低至15pF,确保在高速数据接口应用中保持卓越信号完整性,是现代电子设备防止静电干扰的理想解决方案。
DFN1006-2L
MXsemi
二极管
10000个/圆盘
此款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管专为5V系统设计,具备强大的单通道保护功能。能有效抑制高达9A的双向瞬态ESD电流,确保电子设备不受静电损害。15pF低结电容特性保证了在高速信号传输中保持卓越的信号完整性,是各类高集成度和高速接口应用的理想ESD防护方案。
SMA
MXsemi
二极管
5000个/圆盘
这款SMA封装的双向TVS瞬态抑制二极管,专为20V电压系统设计,提供卓越的正负双向过压防护。具备12.3A峰值脉冲电流承受能力,在正负电压瞬变时能迅速响应并精确钳位,有效抵御雷击、浪涌及静电放电等瞬态事件对电路的影响,确保电子设备稳定运行。
SMA
MXsemi
二极管
5000个/圆盘
这款SMA封装的双向TVS瞬态抑制二极管,专为7V电压系统提供卓越的双向过压保护。具备高达33.3A峰值脉冲电流处理能力,能在正负方向瞬态电压下迅速响应并准确箝位电压,有效防止雷击、浪涌和静电放电等对电路造成的损害,确保电子设备在高压瞬变环境下保持稳定运行状态。
SMA
MXsemi
二极管
5000个/圆盘
此款SMA封装的双向TVS瞬态抑制二极管,专为28V电压系统的高效双向过压保护设计。器件能承受峰值脉冲电流IPP达8.8A,在正负瞬态电压下均能快速响应并精确箝位电压,有效抵御雷击、静电放电及电源突变等引起的浪涌,保障电子设备免受损害,确保系统在严苛条件下稳定运行。
SMA
MXsemi
二极管
5000个/圆盘
此款TVS瞬态抑制二极管为Bi双向类型,采用SMA封装形式,适合于紧凑空间的电路保护设计。具有75V的卓越双向反向工作电压VRWM,能在正负极性浪涌下提供保护,其峰值脉冲电流IPP能力高达3.3A,确保在瞬态过电压事件中快速响应并有效钳位至安全水平,为电源线、信号线及各类敏感电子设备提供全面高效的双向过压防护解决方案。
SOD-323
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
此款SOD-323封装的双向ESD静电防护二极管,专为5V系统提供高效防护。具备1通道设计,峰值脉冲电流IPP高达11A,能在极端条件下有效抑制双向瞬态ESD冲击。其低至20pF的结电容确保了在高速数据线路上实现优秀的信号完整性,是现代高集成度和抗静电要求严苛电子设备的理想之选。
SMB
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
这款采用SMB封装的二极管,具备100V高反向耐压及2A正向电流处理能力,其正向导通电压VF为0.95V。专为高效能、低损耗的整流应用设计,广泛应用于电源适配器、开关电源、以及各类电子设备中要求快速响应和稳定性能的电路系统。
SOD-523
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
这款SOD-523封装的单向ESD静电防护二极管专为高效防护设计,工作额定电压VRWM为5V,峰值脉冲电流IPP高达9.4A。具备1通道卓越保护性能,结电容低至80pF,确保高速信号传输无损,满足IEC61000-4-2标准,有效防止静电放电对电子设备造成的损害。
SOD-323
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
这款SOD-323封装单向ESD静电防护二极管,特别适合5V系统应用,提供高达28A的峰值脉冲电流IPP保护能力,有效抵御高强度瞬态ESD冲击。1通道设计保证了精简电路布局,结电容为200pF,在确保卓越的ESD防护性能的同时,兼顾高速信号线路传输质量,是高集成度和抗静电干扰电子设备的理想组件选择。
SOD-523
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
这款SOD-523封装单向ESD静电防护二极管,专为1通道高速接口设计。具有7V的高耐压VRWM特性,能有效防止过电压损坏。器件可承受瞬态峰值电流IPP高达9A,并保持较低结电容CJ为40pF,在提供强大ESD保护的同时确保信号传输质量,是各类敏感电子设备和高速数据线路的理想防静电解决方案。
SOT-23
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
此款SOT-23封装单向ESD静电防护二极管,专为5V系统提供双通道保护。每通道能承受高达10A的峰值脉冲电流IPP,有效防止静电放电对电路造成损害。60pF的结电容确保了在高速数据线路上的良好信号传输性能。这款器件是高集成度电子设备和接口的理想选择,可同时为两个信号路径提供卓越的静电防护解决方案。
SOT-23-6L
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
这款SOT-23-6L封装单向ESD静电防护二极管,采用4+1通道设计,具有5V工作电压耐受值VRWM,有效防止过电压冲击。器件每个通道可承受瞬态峰值电流IPP高达4A,并配置了超低结电容CJ仅为0.6pF,确保在提供卓越ESD保护的同时保持多通道高速信号传输的完整性,是高集成度防静电解决方案的理想选择。
SOD-523
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
销售中的这款SOD-523封装单向ESD静电防护二极管,专为1通道应用设计,具有7V高稳定VRWM耐压值,能有效防止过电压损害。器件可承受瞬态电流高达9A的IPP峰值脉冲,同时保持较低的40pF结电容CJ,确保在提供强大ESD保护性能的同时,维持高速信号线路的优异传输品质,是各类敏感电子设备接口的理想防静电解决方案。
DFN2510-10L
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
这款DFN2510-10L封装单向ESD静电防护二极管,专为4通道设计,具有3.3V工作电压耐受值VRWM,有效防止过电压损伤。器件每个通道均能承受瞬态峰值电流IPP达4A,并配备超低结电容CJ仅0.5pF,确保在提供卓越ESD保护的同时保持高速信号传输的优异品质,是现代多通道高速接口的理想防静电解决方案。
SMC
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
此款SMC封装单向TVS瞬态抑制二极管,专为36V系统设计,提供卓越的过电压保护。具备25.9A的强大峰值脉冲电流承受能力,在正向瞬态事件中能快速响应并准确钳位电压,有效防护电子设备不受瞬间高压冲击,是高可靠性、大电流应用的理想选择,确保电路稳定安全运行。
SOD-523
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
这款SOD-523封装单向ESD静电防护二极管,专为高速I/O接口提供卓越的1通道保护。具有高达24V的反向工作电压耐受值VRWM,确保在高压条件下稳定工作。器件能够承受瞬态峰值电流IPP达到6A,并保持低至25pF的结电容CJ,有效防止静电放电损伤的同时,保障信号传输的高速与完整性。
SOD-523
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
这款SOD-523封装单向ESD静电防护二极管,专为1通道高速接口设计。具备12V高耐压VRWM特性,有效防止过电压冲击。器件能承受瞬态峰值电流IPP达8A,并保持较低结电容CJ为34pF,在确保强大ESD保护性能的同时,最大限度地保障信号传输的品质与稳定性,适用于各类对静电防护有高要求的应用场景。
DFN1006-2L
MXsemi
二极管
10000个/圆盘
这款DFN1006-2L封装的高性能双向ESD静电防护二极管专为5V系统设计,采用先进的1通道结构,拥有超低电容0.35pF,确保高速信号无损传输。器件具备卓越的瞬态抑制能力,峰值脉冲电流IPP高达4A,有效抵御双向静电放电冲击,保护敏感电子设备免受ESD损害,是高速接口和紧凑型电路的理想防护选择。
SOT-143
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
这款SOT-143封装单向ESD静电防护二极管,采用3通道设计,具有5V工作电压耐受值VRWM,能有效防止过电压损坏。器件在每个通道上可承受高达10A的瞬态峰值电流IPP,并配置了较低结电容CJ为30pF,在提供强劲多通道ESD保护的同时,确保高速信号传输不被干扰,适用于对防静电性能有高要求的复杂系统接口。
SOT-523
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
这款SOT-523封装的单向ESD静电防护二极管,专为5V系统设计,采用双通道配置。每通道可承受4A峰值脉冲电流IPP,有效防止单向静电放电对电路造成损害。仅0.5pF的结电容确保了在高速数据线路上实现卓越信号完整性,是高密度接口和敏感电子设备的理想选择,提供高效且不干扰信号传输的ESD防护解决方案。
SMA
MXsemi
二极管
5000个/圆盘
SMA封装的双向TVS瞬态抑制二极管,专为高效防护设计。该器件额定击穿电压8V,峰值脉冲电流高达29.4A,能在瞬间吸收浪涌能量,提供亚纳秒级响应保护,有效防止过电压对电路造成损害,是您电路安全的理想选择。
SMA
MXsemi
二极管
5000个/圆盘
此款SMA封装的TVS瞬态抑制二极管为Bi双向类型,适用于广泛的电压保护。具备90V的高耐受双向反向工作电压VRWM,能在正负极性浪涌下提供可靠防护,峰值脉冲电流IPP高达2.7A,能迅速响应并有效钳位瞬态过电压,确保电子设备免受雷击、静电放电等造成的损害,是各类电路理想的高效双向过压保护解决方案。
SMB
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
此款SMB封装的Uni单向TVS瞬态抑制二极管专为中等电压应用设计,拥有13V稳定的反向工作电压VRWM。在过压冲击下可承载高达28A的峰值脉冲电流IPP,确保快速响应并高效钳位瞬态电压,提供卓越的单向过压保护能力,有效防止雷击、静电放电对电子设备造成的损害,适用于多种电源和信号线防护需求。
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