二极管-三极管-晶体管-MOS场效应管-桥堆生产厂家-深圳兆信半导体MXsemi

SOT-23

MXsemi

二极管

3000个/圆盘

这款SOT-23封装单向ESD静电防护二极管采用双通道设计，具备24V高耐压VRWM特性，有效防止过电压损坏。器件每通道可承载瞬态峰值电流IPP高达6A，并具有低至25pF的结电容CJ，确保在提供强大防静电保护的同时保持信号传输质量，尤其适合于高速双通道接口的静电防护需求。

MXSLVU2.8-4

SOP-8

MXsemi

二极管

2500个/圆盘

这款SOP-8封装单向ESD静电防护二极管，专为2.8V系统提供高效四通道保护。每通道能承受高达20A的峰值脉冲电流IPP，有效防止单向静电放电对电路造成损坏。器件结电容低至3pF，确保在高速数据接口上保持出色的信号完整性，是现代多线ESD防护需求的理想解决方案，适用于高集成度和高性能电子设备。

SMCJ64CA

SMC(DO-214AB)

MXsemi

二极管

3000个/圆盘

此款SMC封装双向TVS瞬态抑制二极管适用于64V工作电压系统，提供全面的正负向过压防护。具备14.6A峰值脉冲电流处理能力，在遭遇双向瞬态电压时迅速响应并有效箝位至安全水平，确保敏感电子设备免受瞬态浪涌冲击损害，是高稳定性和高效能电路保护的理想选择。

SMF33CA

SOD-123FL

MXsemi

二极管

3000个/圆盘

此款SOD-123FL封装的双向TVS瞬态抑制二极管，适用于33V系统，提供卓越的正负向过电压保护。具备3.8A峰值脉冲电流承载能力，能在电路中快速响应并钳位瞬态高压波动，有效抵御浪涌、静电放电等瞬态事件对电子设备造成的损害，是高电压环境下的电源线及信号接口的理想防护组件。

SMF6.5A

SOD-123FL

MXsemi

二极管

3000个/圆盘

这款SOD-123FL封装的单向TVS瞬态抑制二极管，适用于6.5V系统的高效过电压保护。具有卓越的峰值脉冲电流IPP能力（高达17.9A），可快速响应并吸收电路中的正向瞬态过电压，有效防止浪涌和瞬态事件对电子设备造成的损害，是电源线、信号接口的理想防护选择。

SMF6.0A

SOD-123FL

MXsemi

二极管

3000个/圆盘

高性能单向TVS瞬态抑制二极管，采用紧凑型SOD-123FL封装设计，特别适用于高功率瞬态事件防护。此器件具有6V的稳定反向工作电压VRWM，能够承受高达19.4A的单向峰值脉冲电流IPP，快速响应并钳位过电压，有效保护电路免受浪涌、瞬态干扰及静电放电造成的损害，在严苛环境下确保电子设备安全稳定运行。

SMF9.0A

SOD-123FL

MXsemi

二极管

3000个/圆盘

这款SOD-123FL封装的单向TVS瞬态抑制二极管，专为9V系统提供卓越过压保护。具备高耐受性，能在高达13A的单向峰值脉冲电流下工作，快速响应并吸收电路中瞬态电压浪涌，有效防止过电压对电子设备造成损害。适用于电源线、信号线接口等场合，确保系统稳定性和可靠性。SOD-123FL

SMF10CA

SOD-123FL

MXsemi

二极管

3000个/圆盘

这款SOD-123FL封装的双向TVS瞬态抑制二极管，专为10V系统设计，提供高效的过电压保护。具备出色的双向峰值脉冲电流IPP能力（高达11.8A），可快速响应并有效钳位正负向瞬态电压，防止因浪涌、静电放电导致的电路损伤，适用于各类接口和电源线的瞬态防护需求。

SMF24CA

SOD-123FL

MXsemi

二极管

3000个/圆盘

此款SOD-123FL封装的双向TVS瞬态抑制二极管，适用于24V系统，提供卓越正负向过电压保护。具备5.1A峰值脉冲电流承载能力，可快速响应并有效钳位电路中的瞬态电压波动，防止浪涌、静电放电等瞬态事件对电子设备造成冲击损害，是中高电压应用场合电源线及信号接口的理想防护解决方案。

SMF30A

SOD-123FL

MXsemi

二极管

3000个/圆盘

该款SOD-123FL封装单向TVS瞬态抑制二极管，适用于30V系统，提供高效的正向过电压保护。具备4.1A峰值脉冲电流承受能力，在电路遭受正向瞬态高压时能迅速响应并钳位，有效防止浪涌和瞬态事件对电子设备造成损害，是高电压环境下的电源线、信号接口的理想防护器件。

SMF16A

SOD-123FL

MXsemi

二极管

3000个/圆盘

本款SOD-123FL封装的单向TVS瞬态抑制二极管，适用于各类高电压系统防护。具有16V反向工作电压VRWM及卓越的7.7A峰值脉冲电流IPP能力，能在瞬间吸收并钳位过高的瞬态电压，有效保护电路免受浪涌、瞬变和ESD冲击损害，是电源线、信号线接口的理想防雷击与过压解决方案。

SMF7.0A

SOD-123FL

MXsemi

二极管

3000个/圆盘

紧凑型SOD-123FL封装的单向TVS瞬态抑制二极管，专为高能效防护打造。具有7V额定反向工作电压VRWM，及强大的16.7A峰值脉冲电流IPP承载能力，能在瞬间响应并吸收电路中的过压冲击和浪涌，确保电子设备免受瞬态事件损坏，适用于各类接口、电源线的高效过电压保护应用。

ESDUC5VB1GF-A

DFN0603-2L

MXsemi

二极管

15000个/圆盘

这款DFN0603-2L封装的双向ESD静电防护二极管，专为单通道应用设计，具有5V工作电压耐受值VRWM，有效防止过电压损害。器件能承受瞬态峰值电流IPP高达4A，并且拥有超低结电容CJ仅为0.35pF，确保在提供卓越ESD保护的同时保持高速信号线路的绝佳完整性，是小型化、高性能接口的理想防静电组件。

ESDNC3V3U1CL-A

SOD-523

MXsemi

二极管

3000个/圆盘

这款SOD-523封装的单向ESD静电防护二极管，专为高速I/O端口设计，提供3.3V额定反向工作电压保护。具备卓越瞬态响应能力，峰值脉冲电流可达11.2A，有效抵御ESD冲击。尽管结电容为105pF，但依旧保持了良好的信号完整性，尤其适用于需要高性能单通道ESD防护的现代高速数据接口应用。

SMBJ28CA

SMB(DO-214AA)

MXsemi

二极管

3000个/圆盘

这款SMB封装的Bi双向TVS瞬态抑制二极管，特别适用于中等电压应用。具备28V稳定的双向反向工作电压VRWM，在正负瞬态过压情况下可承受高达13.3A的峰值脉冲电流IPP，提供快速响应及高效钳位功能，有效保护电路不受雷击、静电放电等瞬态事件影响，是电源线和信号线的理想双向浪涌防护选择。

ESD0504F

SOT-363

MXsemi

二极管

3000个/圆盘

这款SOT-363封装单向ESD静电防护二极管，采用独特的4+1通道设计，具有5V工作电压耐受值VRWM，有效防止过电压冲击。器件每个通道均能承受瞬态峰值电流IPP高达4A，并配备超低结电容CJ仅0.6pF，在确保卓越多通道ESD防护的同时，最大程度保持高速信号传输的完整性，是现代高集成系统理想的防静电解决方案。

SMBJ16CA

SMB(DO-214AA)

MXsemi

二极管

3000个/圆盘

这款SMB封装Bi双向TVS瞬态抑制二极管专为16V系统设计，具备卓越的双向过压保护功能。能在正负瞬态情况下承受高达23.1A峰值脉冲电流，快速响应并准确钳位电压波动，有效抵御雷击、静电等瞬态事件对电子设备造成的损害，是中低电压环境的理想双向浪涌防护组件。

ESD5Z3V3

SOD-523

MXsemi

二极管

3000个/圆盘

这款SOD-523封装单向ESD静电防护二极管，专为3.3V系统提供卓越的瞬态保护。其1通道设计能有效抑制单方向静电放电，峰值脉冲电流IPP高达11.2A，确保在遭受高强度ESD冲击时仍能可靠工作。器件结电容低至105pF，有助于保持信号质量，尤其适用于高速数据接口的静电防护需求，是现代电子设备抗ESD干扰的理想选择。

ESDUC5VB1AF-A

DFN1006-2L

MXsemi

二极管

10000个/圆盘

该DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管适用于5V系统，提供单通道高效防静电保护。器件能承受4A峰值脉冲电流IPP，有效抑制双向瞬态ESD事件，确保电路安全。其超低结电容0.35pF设计尤为适合高速数据接口应用，保障信号完整性的同时实现卓越的ESD防护性能。

ESDNC12VB1AF-A

DFN1006-2L

MXsemi

二极管

10000个/圆盘

这款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管适用于12V系统，提供单通道高效保护。具备8A峰值脉冲电流IPP能力，能有效抵御双向瞬态ESD冲击，确保电路安全稳定。其结电容低至6.5pF，特别适合高速数据传输接口，兼具出色的信号完整性与卓越的静电放电防护性能。

ESD9B3.3ST5G

SOD-923

MXsemi

二极管

8000个/圆盘

这款SOD-923封装的双向ESD静电防护二极管，专为单通道高速接口设计。具有3.3V的高精度VRWM耐压值，可有效防止过电压损坏。器件提供高达9A的瞬态峰值电流IPP保护，并且拥有低至15pF的结电容CJ，确保在严苛条件下仍能保持信号完整性，是高速数据传输线路的理想ESD防護选择。

ESDLC5VB1AF-A

DFN1006-2L

MXsemi

二极管

10000个/圆盘

这款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管适用于5V系统，提供单通道保护。具备2.5A峰值脉冲电流IPP能力，有效对抗双向瞬态ESD冲击。其低至2.5pF的结电容确保在高速信号传输中保持优异信号完整性，是小型化电子设备和高要求接口的理想选择，提供强大的静电防护功能。

PESD5V0U1UA

DFN1006-2L

MXsemi

二极管

10000个/圆盘

此款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管，专为5V系统提供单通道高效防护。具备2.5A峰值脉冲电流IPP能力，能有效抑制双向瞬态ESD冲击，保护电路免受损坏。结电容低至2.5pF，确保在高速数据传输应用中保持出色的信号完整性，是小型化电子设备的理想选择，提供卓越的静电防护性能。

ESDNC5VB1AF-A

DFN1006-2L

MXsemi

二极管

10000个/圆盘

此款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管，专为5V系统设计，提供单通道高效防护。具备9A峰值脉冲电流IPP能力，能有效吸收和抑制双向瞬态ESD事件，保护电路不受损坏。结电容低至15pF，确保在高速数据接口应用中保持卓越信号完整性，是现代电子设备防止静电干扰的理想解决方案。