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二极管
型号
封装
品牌
分类
圆盘信息
描述
PESDNC2FD7VB
DFN1006-2L
MXsemi
二极管
10000个/圆盘
此款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管，专为7V系统设计，提供单通道高效保护。器件拥有9A峰值脉冲电流IPP能力，可有效抵御双向瞬态ESD冲击，确保电子设备不受静电损伤。其8pF低结电容特性尤其适合高速数据接口应用，兼顾卓越的信号完整性和高强度ESD防护性能。
P6SMB33CA
SMB(DO-214AA)
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
此款SMB封装的双向TVS瞬态抑制二极管，专为28.2V系统提供全面的正负向过压防护。具备13.3A峰值脉冲电流承受能力，在面对双向瞬态电压冲击时能快速响应并有效钳位，确保电子设备不受瞬间高压损害，是中等功率应用的理想选择，实现高效、可靠的浪涌保护。
SMF36A
SOD-123FL
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
这款SOD-123FL封装的单向TVS瞬态抑制二极管，专为36V系统提供过电压保护。具备出色的峰值脉冲电流IPP承载能力（3.4A），能在电路遭受正向瞬态过电压时迅速响应并有效钳位，防止浪涌和瞬态事件对电子设备造成损害，是高压电源线、信号接口的理想防护组件。
SMBJ6.8CA
SMB(DO-214AA)
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
这款SMB封装的双向TVS瞬态抑制二极管，适用于5.8V工作电压系统，提供强大的单通道瞬态保护。具备卓越的峰值脉冲电流IPP能力达57.1A，能高效吸收和钳位双向瞬变电压，防止过压损害。低至10.5pF的结电容确保了在高速信号线路上的出色信号完整性，是高功率、高速接口的理想ESD及浪涌防护组件。
SMBJ30A
SMB(DO-214AA)
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
此款SMB封装Uni单向TVS瞬态抑制二极管，专为30V系统提供高效过压防护。具备12.4A峰值脉冲电流承受能力，在瞬态电压事件中快速响应并精确钳位至安全水平，有效抵御雷击、静电等瞬变现象对电子设备的冲击，是中等电压应用的理想单向浪涌保护器件。
SMF15A
SOD-123FL
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
SOD-123FL封装单向TVS瞬态抑制二极管，专为高效过电压防护设计。具有15V的反向工作电压VRWM和8.2A峰值脉冲电流IPP能力，能在瞬间吸收并抑制电路中的高能量冲击，有效防止过压、浪涌对敏感电子设备造成损害。小巧封装，适用于各类低电压系统及I/O接口的瞬态保护应用。
SMBJ6.0A
SMB(DO-214AA)
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
这款SMB封装的Uni单向TVS瞬态抑制二极管专为低电压应用打造，拥有6V稳定的反向工作电压VRWM。在遇到瞬态过压时，能够承受高达58.3A的强大峰值脉冲电流IPP，快速响应并高效吸收浪涌能量，提供卓越的单向过压保护，有效防护电路免受雷击、静电放电等冲击，适用于对瞬态保护有高要求的电源及信号线设计。
P6SMB6.8CA
SMB
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
此款SMB封装的双向TVS瞬态抑制二极管适用于5.8V系统，为正负向过电压提供全面防护。具备卓越的58.1A峰值脉冲电流承受能力，在遭遇双向瞬态电压时能快速响应并高效钳位，有效保护电路免受瞬间高压冲击，尤其适合高浪涌电流处理要求的小型化电子设备设计。
SMBJ200A
SMB(DO-214AA)
MXsemi
二极管
3000个/圆盘个/圆盘
该单向TVS瞬态抑制二极管采用紧凑型SMB封装，专为200V直流电压系统的过压保护设计。器件能在瞬间承受1.9A的峰值脉冲电流（IPP），高效防护电路不受瞬态高压冲击，确保在正向过压事件中快速响应并准确箝位电压，是高耐压环境下电子设备安全运行的理想选择。
SMAJ30A
SMA(DO-214AC)
MXsemi
二极管
5000个/圆盘
SMA封装的单向TVS瞬态抑制二极管，专为30V直流额定工作电压设计，能在瞬间承受高达8.3A峰值脉冲电流，有效保护电路免受过电压瞬变和浪涌损害，确保敏感半导体器件稳定运行。
SMAJ48CA
SMA(DO-214AC)
MXsemi
二极管
5000个/圆盘
这款SMA封装的双向TVS瞬态抑制二极管，适用于48V电压系统，提供卓越的正负过压防护。具备5.2A峰值脉冲电流处理能力，能在高压瞬变下快速响应并精准钳位，有效保护电路免受雷击、浪涌和静电放电等瞬态事件冲击，确保电子设备在严苛条件下稳定可靠运行。
USBLC6-2SC6
SOT-23-6L
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
这款ESD静电防护二极管采用SOT-23-6L封装，内部集成两个单向通道，每个通道工作电压VRWM为5V，可有效吸收高达6A的瞬态脉冲电流IPP。其出色的低结电容特性（CJ仅为0.8pF），确保在高速数据传输接口上提供卓越的静电防护性能，同时保持信号完整性，是理想的高密度系统防静电解决方案。
LESD9D5.0CT5G
SOD-923
MXsemi
二极管
8000个/圆盘
这款SOD-923封装的双向ESD静电防护二极管，针对5V系统提供卓越单通道保护。具备8A峰值脉冲电流IPP性能，有效抵御双向瞬态ESD冲击，确保电路不受损坏。15pF低结电容设计有利于高速数据线路信号完整性，是现代紧凑型电子设备接口和高抗干扰要求的理想ESD防护组件。
LESD5Z5.0CT1G
SOD-523
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
这款SOD-523封装的ESD静电防护二极管采用双向设计，专为1通道保护而生。具备5V额定反向工作电压VRWM及卓越的瞬态承受能力，峰值脉冲电流可达9A。超低结电容仅为15pF，确保高速信号传输不受干扰，是高集成电子设备的理想ESD防护解决方案。
SMAJ60A
SMA(DO-214AC)
MXsemi
二极管
5000个/圆盘
本款单向TVS瞬态抑制二极管采用紧凑型SMA封装，专为高效能电路保护设计。具有60V的稳定反向工作电压VRWM，可在瞬态事件中耐受高达4.1A的峰值脉冲电流IPP，响应迅速，能有效吸收和钳位过电压尖峰，防止因雷击、静电放电等引起的电路损伤，是各类电子设备理想的选择，确保系统免受瞬态过压影响而稳定运行。
SMBJ48A
SMB(DO-214AA)
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
这款SMB封装Uni单向TVS瞬态抑制二极管，专为48V系统提供高效过压保护。具备7.8A峰值脉冲电流承受能力，在瞬态电压事件中快速响应并准确钳位，有效防止雷击、静电等瞬态现象对电子设备造成的损害，尤其适用于较高电压环境下的单向浪涌防护需求。
SMAJ12CA
SMA(DO-214AC)
MXsemi
二极管
5000个/圆盘
该SMA封装的双向TVS瞬态抑制二极管适用于12V系统，提供出色的双向过压保护。具有高达20.1A峰值脉冲电流承受能力，能在正负电压瞬变下快速响应并准确箝位，有效抵御雷击、浪涌及静电放电对电路的影响，确保电子设备在高压波动环境下稳定运行。
SMF18CA
SOD-123FL
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
此款SOD-123FL封装双向TVS瞬态抑制二极管，专为18V系统提供全面的正负向过电压防护。具备高达6.8A的峰值脉冲电流承载能力，能快速响应并钳位电路中的瞬态电压变化，有效抵御浪涌、静电放电等瞬态事件对电子设备造成的冲击损害，是中高电压应用场合下电源线及信号接口的理想保护选择。
SMBJ6.5CA
SMB(DO-214AA)
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
此款SMB封装的Bi双向TVS瞬态抑制二极管，专为低电压系统设计，具备6.5V稳定的双向反向工作电压VRWM。能在正负瞬态过压下承受高达53.6A的峰值脉冲电流IPP，快速响应并高效钳位异常电压，提供全面的双向浪涌保护，有效防止雷击、静电等冲击对电子设备造成损害，适用于电源及信号线的高效防护需求。
SMBJ6.0CA
SMB(DO-214AA)
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
此款SMB封装的Bi双向TVS瞬态抑制二极管，专为低电压系统提供高效双向过压保护。具备6V稳定的反向工作电压VRWM，在正负瞬变下能承受高达58.3A峰值脉冲电流IPP，快速响应并精确钳位瞬态电压，有效防护电源线、信号线免受雷击、静电等高电流冲击，是低压环境的理想浪涌防护器件。
ESDUC5VB1AF-B
DFN1006-2L
MXsemi
二极管
10000个/圆盘
此款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管，专为5V系统提供单通道保护。具备3A峰值脉冲电流IPP能力，能有效抑制双向瞬态ESD冲击，确保电路安全。超低结电容0.6pF设计，尤其适合高速数据传输接口，兼具卓越信号完整性和高级别的静电防护效能，是现代电子设备的理想选择。
SMAJ24A
SMA(DO-214AC)
MXsemi
二极管
5000个/圆盘
此款SMA封装的单向TVS瞬态抑制二极管适用于24V电压系统，提供强大的正向过压保护功能。具有高达10.3A峰值脉冲电流承受能力，在电路遇到瞬间高压时能迅速响应并准确钳位，有效抵御雷击、浪涌等瞬态事件对电子设备造成的损害，确保系统运行稳定可靠。
SMBJ7.0CA
SMB(DO-214AA)
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
该SMB封装Bi双向TVS瞬态抑制二极管专为7V电压系统设计，具备出色的双向过压防护性能。能在正负瞬态事件中承受高达50A的峰值脉冲电流IPP，快速响应并有效钳位电压尖峰，尤其适用于低电压环境下的电源线和信号线保护，防止雷击、静电等高电流冲击对电子设备造成损害。
SRV05-4
SOT-23-6L
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
这款SOT-23-6L封装单向ESD静电防护二极管采用创新4+1通道设计，具有5V工作电压耐受值VRWM，有效防止过电压损害。器件在每个通道上可承受瞬态峰值电流IPP高达4A，并具备超低结电容CJ仅为0.6pF，确保在多通道应用中实现卓越的ESD保护性能，同时保持高速信号传输的完整性。
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