IRFZ44NS
本款消费级N沟道MOSFET采用TO-263封装,具有55V高耐压及卓越的49A大电流处理能力。专为高性能、高功率开关应用设计,广泛应用于各类消费电子产品中,提供出色的能效与系统稳定性表现。
Si2306BDS-T1-GE3是一款N沟道MOSFET,采用轻巧的SOT-23封装,专为高集成度电路设计。器件提供30V的最大漏源电压(VDSS),并可承载4A的连续漏极电流(ID),确保稳定可靠的功率传输。其导通电阻(RD(on))仅为29mΩ,显著降低系统功耗,提升整体能效。这款MOS管凭借优秀的电气性能,广泛应用于电源转换、负载开关、马达驱动等多种电子设备中,是紧凑且高效能半导体解决方案的理想选择。
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