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晶体管
型号
封装
品牌
分类
圆盘信息
描述
AO4803A
SOP-8
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
AO4803A是一款高性能P+P沟道MOSFET，采用标准SOP-8封装，适用于各类电子设备。该器件的关键特性包括最大工作电压VDSS高达30V，能提供稳定的5.3A漏极电流；其35mΩ的导通电阻RD(on)设计，有效降低系统功耗，实现高效能运作。广泛应用于电源管理、电机驱动、负载开关控制等领域，是您构建高可靠性、节能型电子系统的理想MOS管选择。
DMN2053UW
SOT-323
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
DMN2053UW是一款采用小型SOT-323封装的高性能N沟道MOSFET，特别适用于对空间要求严格的电子设计。它具备20V的最大漏源电压(VDSS)，能稳定承载2A的连续漏极电流(ID)，并且拥有49mΩ的低导通电阻(RD(on))，有效确保了低功耗和高能效表现。这款MOS管广泛应用于手持设备、电源控制模块、逻辑开关电路等场景，是小型化、节能型电子设备的理想半导体组件。
BSS214NW
SOT-323
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
BSS214NW是一款N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-323封装，专为高集成度和节能应用设计。该器件具备20V的最大漏源电压(VDSS)，能持续提供2A的漏极电流(ID)，其特点是拥有49mΩ的低导通电阻(RD(on))，在保证良好开关性能的同时，有效降低了功耗，提升了系统能效。广泛应用于移动设备、电源管理、信号切换等需求小体积、高效率的电路中。
AON7400A
DFN-8L(3x3)
MXsemi
晶体管
5000个/圆盘
AON7400AN沟道MOSFET采用紧凑型DFN3X3-8L封装，结合了高效散热与小巧体积设计。该器件性能强劲额定漏源电压(VDSS)高达30V，可稳定承载60A连续电流，且导通电阻(RD(on))仅为6mΩ，确保了卓越的电力传输效率和低损耗运行。广泛应用于电源转换、负载开关等高电流处理场景，是提升系统性能与节能方案的理想半导体元件选择。
DMN3008SFG
DFN-8L(3x3)
MXsemi
晶体管
5000个/圆盘
型号DMN3008SFG的MOS管是一款高效能N沟道半导体器件，采用节省空间的DFN3X3-8L封装，特别适合于高密度电路板设计。它具备强大的电性参数，额定电压VDSS高达30V，能够承受持续电流ID高达100A，确保在大电流应用场景下的稳定性。尤为突出的是其超低的导通电阻RD(on)仅为4mΩ，有效降低能耗并大幅提升系统工作效率，适用于电源转换、电机驱动、快速开关等多元化领域，是您的理想电路解决方案。
AONR21321
DFN-8L(5x6)
MXsemi
晶体管
5000个/圆盘
本款消费级P沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装，额定电压30V，连续电流高达50A。专为电源转换、负载开关及电池管理系统设计，具有卓越的功率处理能力与紧凑体积，满足现代电子设备高效能与小型化需求。
MX2309I
SOT-23
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，专为60V电压系统设计，提供高达2A的电流处理能力。具备低导通电阻与快速开关性能，广泛应用于充电器、电源转换等领域，确保电子设备高效稳定的功率控制表现。
BSZ130N03LS G
DFN-8L(3x3)
MXsemi
晶体管
5000个/圆盘
这款N沟道消费级MOSFET采用DFN3X3-8L封装，专为高功率密度和中高电流应用设计。额定电压30V，可承载30A连续电流，尤其适用于电源转换、电池管理系统及紧凑型电子设备，提供卓越的导通性能与高效散热，是现代电子系统理想的功率开关器件。
MX50P03NF
DFN-8L(5x6)
MXsemi
晶体管
5000个/圆盘
此款消费级P沟道MOSFET封装于DFN5X6-8L，具备30V额定电压及50A连续电流能力。专为高效电源转换、负载切换与电池管理系统设计，以紧凑尺寸实现卓越的功率处理性能，满足现代电子设备对能效和空间利用率的需求。
MX80N03DF
DFN-8L(3x3)
MXsemi
晶体管
5000个/圆盘
这款消费级N沟道MOSFET采用紧凑型DFN3X3-8L封装，具有出色的功率密度和散热性能。额定电压为30V，连续电流高达80A，适用于空间有限的高功率应用，如电源转换、负载开关控制及电池管理系统，实现卓越的能效与可靠性。
IRFR5305TRLPBF
TO-252-2L
MXsemi
晶体管
2500个/圆盘
此款消费级P沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压60V，连续电流高达30A，专为中高功率应用设计。适用于电源转换、电机驱动及反向电流保护等领域，以高效能与稳定性能，满足现代电子产品对功率管理的严苛要求。
1N65G
SOT-223
MXsemi
晶体管
4000个/圆盘
此款消费级MOSFET采用紧凑型SOT-223封装，内部集成N沟道结构，具备出色的耐压性能（650V）和连续电流承载能力（1A），尤其适用于各类高压、低功耗应用场景
NTTFS015N04C
DFN-8L(5x6)
MXsemi
晶体管
5000个/圆盘
本款消费级N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装，额定电压40V，最大连续电流50A。专为高效电源转换、电机驱动及电池管理系统打造，具备高功率密度与卓越散热性能，是现代电子产品理想的小型化解决方案。
SI2305
SOT-23
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
该消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，专为20V电压系统设计，额定电流5A。具备低导通电阻和快速开关性能，适用于充电器、电源转换及各类电子设备中的功率控制与切换应用，提供高效稳定的解决方案。
AO4606
SOP-8
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
本消费级MOSFET采用SOP-8封装，集成N+P沟道结构，额定电压30V，最大连续电流6A。专为电池管理系统、AC/DC转换器等应用设计，具备优秀的双向开关性能及低导通电阻特性，有效提升能源效率并确保在正负电压下稳定运行，是现代节能电子设备的理想选择。
MX3416MI
SOT-23-3L
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23-3L封装，专为20V电压系统设计，提供高达6.5A的连续电流处理能力。具备低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电器、电源转换等场景，实现高效、稳定的功率控制需求。
AOD607
TO-252-4L
MXsemi
晶体管
2500个/圆盘
本款消费级N+P沟道MOSFET采用TO-252-4L封装，额定电压30V，具有高效能的20A电流处理能力。专为双极性电源转换与开关应用设计，适用于各类消费电子产品，提供卓越的系统效率和稳定性表现，是优化电路的理想选择。
BSN20
SOT-23
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，额定电压50V，电流承载能力0.5A。特别适用于电池保护、信号切换等低至中等电流应用，凭借其出色的低导通电阻与快速开关特性，实现精准高效的功率管理，是各类电子设备的理想组件选择。
IRFR9024NTRPBF
TO-252-2L
MXsemi
晶体管
2500个/圆盘
本款消费级P沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，具备60V高耐压及10A电流处理能力。专为低压开关应用设计，适用于各类消费电子产品中的电源管理与转换需求，提供高效、低损耗的系统解决方案。
2N7002KW
SOT-323
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
这款消费级N沟道MOSFET封装为SOT-323，具有60V高击穿电压及0.1A电流容量，特别适合于低功耗电子设备的电源管理与精准开关应用。其微型尺寸与高效性能相结合，提供理想的电路设计解决方案。
2SK3018W
SOT-323
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
本款消费级MOSFET采用SOT-323封装，具备N沟道特性，额定电压高达30V，电流容量为0.1A，适用于各类小型电子设备，提供高效、稳定的开关与功率转换性能。
AON7534
DFN-8L(3x3)
MXsemi
晶体管
5000个/圆盘
本款消费级N沟道MOSFET采用极紧凑DFN3X3-8L封装，具备强大功率处理能力。额定电压30V，连续电流高达100A，专为高效能、小体积电源转换、负载开关以及电池管理系统设计，实现卓越的电流承载与空间利用率。
IRFH8318PBF
DFN-8L(5x6)
MXsemi
晶体管
5000个/圆盘
这款高性能N沟道消费级MOSFET采用紧凑DFN5X6-8L封装，专为高电流应用设计。额定电压30V，具备150A强大连续电流承载能力，适用于电源转换、电池管理系统及大功率开关场合，提供卓越的导通性能和散热效果，是现代电子设备实现高效能功率管理的理想选择。
DMG1013T
SOT-523
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
DMG1013TP沟道MOS管采用精巧的SOT-523封装，专为现代紧凑型电子产品设计。器件最大工作电压VDSS为20V，持续电流承载能力高达0.7A，具备优秀的260mR导通电阻，确保低功耗下的高效能运行。广泛应用于移动设备、电池管理、低电压系统开关控制等场景，DMG1013T凭借其卓越的电气性能与小巧封装，成为电路设计中节省空间与提升效率的理想选择。
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