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全部分类
晶体管
型号
封装
品牌
分类
圆盘信息
描述
AO3401A
SOT-23-3L
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
AO3401A是一款P沟道MOSFET，采用小型SOT-23-3L封装，适合空间有限的电路设计。器件参数强大，最大漏源电压VDSS为30V，可承载高达4.2A的连续漏极电流ID，且具有45mR的导通电阻RD(on)，在开关应用中表现优秀，低导通电阻确保了高效能与低功耗。广泛应用在电源管理、负载开关、电池保护和各类电子设备的低电压、中等电流开关控制中。
MX4430S
SOP-8
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
此款消费级N沟道MOSFET采用SOP-8封装，额定电压30V，连续电流高达18A。专为高效能电源转换、负载开关及电池管理系统设计，具备卓越的散热性能与小尺寸优势，是现代电子设备的理想功率管理组件。
LP2309LT1G
SOT-23
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，适用于20V电压系统，具备5A大电流处理能力。凭借其卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电器、电源转换等场景中，实现高效、稳定的功率控制与切换功能。
10N65
TO-252-2L
MXsemi
晶体管
2500个/圆盘
此款N沟道消费级MOSFET采用TO-252-2L封装，专为处理高耐压、中等电流应用设计。具备650V的卓越击穿电压和10A连续工作电流，尤其适用于高压开关电路、电源转换器及逆变器系统，提供高效可靠的功率管理解决方案，是您提升电子设备性能的理想之选。
IRFR3410TRPBF
TO-252-2L
MXsemi
晶体管
2500个/圆盘
这款N沟道消费级MOSFET采用TO-252-2L封装，专为中高电压、大电流应用设计。额定击穿电压100V，连续电流承载能力高达30A，特别适用于电源转换器、电机驱动及负载开关场合，提供卓越的导通性能与能效表现，是构建高性能电子系统的理想功率半导体器件选择。
DMG2302U
SOT-23
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
DMG2302U型号MOS管采用紧凑型SOT-23封装，内含先进N沟道技术，为提升电路效率精心设计。器件具有20V的漏源电压(VDSS)，在正常工作状态下可承载2.3A连续漏极电流(ID)，适用于各类中小功率应用。其48mR的低导通电阻(RD(on))有效降低了功耗，提高了能源使用效率。广泛应用于电源转换、负载开关控制及各类低压电子设备的开关电路，是提升产品性能与节能效果的理想半导体元件。
AO4409
SOP-8
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
这款高性能P沟道消费级MOSFET采用小巧的SOP-8封装，专为高效率功率转换与大电流开关应用设计。器件提供30V额定电压及高达15A的连续电流处理能力，适合于紧凑型电子设备中的电源管理、负载切换等场合，实现卓越的系统能效和可靠性。
MX120N03NF
DFN-8L(5x6)
MXsemi
晶体管
5000个/圆盘
这款消费级N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装，额定电压30V，提供高达120A的连续电流处理能力。专为高功率密度应用设计，如电源转换、电机驱动及电池管理系统，实现卓越的散热性能与高效能表现。
MX4480S
SOP-8
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
此款消费级N沟道MOSFET采用SOP-8封装，具有40V的额定电压和高达14A连续电流。专为中等功率应用设计，适用于电源转换、负载开关控制及电池管理系统，提供紧凑尺寸与卓越性能表现，满足现代电子设备高效节能需求。
IRF7241PBF
SOP-8
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
IRF7241PbF是一款P沟道MOSFET，采用SOP-8封装，专为高电流、高效能应用设计。器件提供40V的漏源电压(VDSS)，在14mR的低导通电阻(RD(on))下，可承载高达13A的漏极电流(ID)。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，凭借其强大的电流处理能力和出色的能效表现，成为您优化系统性能和降低能耗的理想半导体组件。
IRF7341PBF
SOP-8
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
型号IRF7341PbF的N+N沟道MOS管采用SOP-8封装，专为高效能、大电流应用设计。该器件的最大工作电压VDSS高达60V，连续电流ID能力为6.5A，胜任高压大电流环境下的稳定运行。导通电阻RD(on)低至32mR，有效减少功率损耗，提升系统整体能效。广泛应用于电源转换、电机驱动、逆变器等领域，是工程师追求高性能、节能解决方案的理想MOS管选择。
SMBJ26CA
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
此款SMB封装的Bi双向TVS瞬态抑制二极管，适用于26V电压系统，提供全面的正负向过压防护。在瞬态事件中可承受高达14.3A峰值脉冲电流，具备快速响应和高效钳位性能，有效防止雷击、静电等瞬变现象对电子设备造成损害，是中高电压环境的理想双向浪涌保护器件。
IRF8721PBF
SOP-8
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
IRF8721PbF型号MOS管，采用小巧的SOP-8封装，专为现代电子设备的小型化设计。该N沟道MOS管可在30V的最大电压下稳定工作，提供高达15A的连续电流承载能力。其关键技术参数为7.5mR的超低导通电阻，显著提升能源效率并减少功率损耗，适用于电源转换、大电流开关控制、电机驱动等多种高效率应用场景，是构建高效节能系统的理想半导体组件。
DMN4026SSD
SOP-8
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
DMN4026SSD是一款高性能N+N沟道MOSFET，采用紧凑型SOP-8封装，专为高效能电子设备设计。该器件提供40V的额定电压VDSS，最大连续电流ID可达12A，表现出卓越的电力控制能力。其导通电阻RD(on)仅为16mΩ，有助于显著降低系统功耗，提升整体能效。适用于电源转换、负载开关控制及中等电流驱动等应用场合，DMN4026SSD是您实现高效、可靠电路设计的理想半导体组件。
DMP3068L
SOT-23
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
DMP3068LMOS管是一款P沟道半导体元件，采用节省空间的SOT-23封装形式。该器件额定电压VDSS高达30V，能承载4.2A的连续电流ID，满足中高功率需求。其导通电阻为45mR，保证了在大电流应用中的良好能效。适用于电源开关控制、电池管理系统及负载驱动等多个领域，是设计师进行高效电源管理和电路控制的理想MOS管解决方案。
SUD50N06-09L-E3
TO-252-2L
MXsemi
晶体管
2500个/圆盘
SUD50N06-09L-E3是一款高性能N沟道MOSFET，采用流行的TO-252-2L封装，专为高效率、大电流应用场景设计。该器件工作电压高达60V(VDSS)，具备强大的电流处理能力，可承载连续漏极电流80A(ID)，并且在导通状态下的电阻仅为6.5mΩ(RD(on))，极大程度地减少了功率损耗，提升了整体能源转换效率。SUD50N06-09L-E3适用于开关电源、电机驱动、电池管理系统等众多领域，是构建节能高效电子系统的优质半导体元件。
IRF7424PBF
SOP-8
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
IRF7424PbFP沟道MOSFET采用标准SOP-8封装，专为高电流应用环境打造。其拥有30V的最大漏源电压(VDSS)，并能在系统中安全地处理高达12A的连续电流，得益于仅10mΩ的导通电阻，极大提升了整体能效表现。此款器件广泛应用在电源转换、电机驱动、电池保护等领域，以出色的电流处理能力和卓越的能效，为您的电路设计提供有力支持。
IRLR2905ZPBF
TO-252-2L
MXsemi
晶体管
2500个/圆盘
这款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，专为处理60V电压下的大电流应用。具备50A连续电流承载能力，广泛应用于电源转换、电机驱动及电池管理系统，具有低导通电阻与高效散热性能，是现代电子设备实现高效率功率控制的理想选择。
AON7506
DFN-8L(3x3)
MXsemi
晶体管
5000个/圆盘
这款消费级N沟道MOSFET采用超小型DFN3X3-8L封装，具有出色的散热性能与高功率密度。额定电压为30V，连续电流高达50A，适用于空间有限的电源转换、负载开关控制以及电池管理系统应用，实现高效能、低损耗的电路设计需求。
SMAJ24CA
SMA(DO-214AC)
MXsemi
晶体管
5000个/圆盘
此款SMA封装的TVS瞬态抑制二极管为Bi双向类型，专为高效能双向过电压保护设计。具有24V的稳定双向反向工作电压VRWM，在正负极性瞬变中均表现出色，可承受峰值脉冲电流IPP高达10.3A。它能够快速响应并精确钳位瞬间高压，有效防止雷击、静电放电等引起的电路损坏，是电源线、信号线以及各类电子设备理想的瞬态保护解决方案。
AONR36368
DFN-8L(3x3)
MXsemi
晶体管
5000个/圆盘
本款消费级N沟道MOSFET采用紧凑型DFN3X3-8L封装，提供卓越的功率密度。额定电压为30V，连续电流高达60A，适用于小型化电源转换、高效负载开关以及电池管理系统应用，实现空间节省与高性能的理想结合。
MX80N03NF
DFN-8L(5x6)
MXsemi
晶体管
5000个/圆盘
此款消费级N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装，额定电压30V，连续电流高达80A。专为高性能电源转换、电机驱动和电池管理系统设计，具备卓越的功率处理能力和紧凑尺寸，是现代高密度电子应用的理想选择。
IRFS4310ZTRLPBF
TO-263
MXsemi
晶体管
800个/圆盘
此款N沟道消费级MOSFET采用TO-263封装，专为处理高电流、大功率应用设计。具备100V的额定电压和惊人的260A连续工作电流能力，尤其适用于电机驱动、电源转换器及高功率开关电路，提供卓越的导通性能与散热效能，是大型工业级电子设备及高端消费电子产品不可或缺的核心组件。
BSC097N06NS
DFN-8L(5x6)
MXsemi
晶体管
5000个/圆盘
该N沟道消费级MOSFET采用DFN5X6-8L封装，专为高电流应用设计。额定电压60V，能承载高达65A连续电流，尤其适用于电源转换、电池管理系统及大功率电子设备，具备低导通电阻与高效散热性能，是现代紧凑型系统理想的高性能半导体组件。
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