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全部分类
晶体管
型号
封装
品牌
分类
圆盘信息
描述
CJ3139K
SOT-723
MXsemi
晶体管
8000个/圆盘
负载/电源开关放大电路高频通信设备接口，逻辑交换超小型便携式电子产品的电池管理
SiS407DN
DFN-8L(3x3)
MXsemi
晶体管
5000个/圆盘
本款消费级P沟道MOSFET采用DFN3X3-8L封装，体积小巧、性能优越。额定电压20V，连续电流承载能力高达30A，专为现代电子设备设计，应用于电源转换、负载开关控制及电池管理系统，实现高效能与紧凑布局的完美结合。
MX3401AI
SOT-23
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，专为30V系统设计，具备4.2A大电流处理能力。具有低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于充电器、电源转换等设备中，实现高效、可靠的功率控制与切换功能。
BSC0702LS
DFN-8L(5x6)
MXsemi
晶体管
5000个/圆盘
这款高性能N沟道消费级MOSFET采用紧凑型DFN5X6-8L封装，专为处理高电压、大电流应用设计。器件具有60V额定电压和高达125A的连续电流能力，尤其适用于电池管理系统、电源转换器及大功率电机驱动场合，提供卓越的导通性能与散热效率，是现代高效电子设备的核心组件。
MX60N03DF
DFN-8L(3x3)
MXsemi
晶体管
5000个/圆盘
这款消费级N沟道MOSFET采用DFN3X3-8L封装，紧凑而高效，额定电压30V，连续电流高达60A。专为现代电子产品的小型化需求设计，适用于电源转换、负载开关以及电池管理系统等应用场合，提供卓越的功率处理能力和空间利用率。
NVMFD5853NL
DFN-8L(5x6)
MXsemi
晶体管
5000个/圆盘
本款消费级N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装，额定电压40V，连续电流高达50A。专为高效电源转换、电机驱动及电池管理系统设计，具备卓越的功率密度与散热性能，是现代电子产品小型化和高性能应用的理想选择。
AO3407
SOT-23
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
该款消费级P沟道MOSFET采用紧凑SOT-23封装，额定电压30V，可承载4.1A连续电流。具备低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电器、电源转换等领域，为电子设备提供高效、稳定的功率控制解决方案。
AO4884
SOP-8
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
本款消费级MOSFET采用SOP-8封装，内置高效N+N沟道设计，额定电压40V，连续电流高达8A。适用于充电器、电源管理、逆变器等高功率应用场合，具备低导通电阻和卓越的开关性能，有效提升系统效率并确保稳定运作，是电子设备的理想功率控制组件。
IRLR8726TRLPBF
TO-252-2L
MXsemi
晶体管
2500个/圆盘
该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，具有30V工作电压和高达100A的连续电流承载能力，适用于高功率电源转换、电机驱动等应用场合，提供高效能、低损耗的开关控制解决方案。
MX3012GD
TO-252-4L
MXsemi
晶体管
2500个/圆盘
本款消费级N+P沟道MOSFET采用TO-252-4L封装，具备30V工作电压和稳定20A电流处理性能。专为实现高效双极性电源切换与控制设计，适用于各类低压消费电子产品，是提升系统能效与可靠性的理想半导体组件。
HD6955
TO-252-2L
MXsemi
晶体管
2500个/圆盘
本款消费级P沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，具有60V高工作电压及20A稳定电流承载力。专为中高压环境下消费电子产品设计，实现卓越的电源转换效率与系统稳定性，是优化电路性能的理想半导体元件选择。
IRLML5203TRPBF
SOT-23
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
这款消费级P沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，额定电压30V，具备4.2A大电流处理能力。具有卓越的低导通电阻和快速开关性能，适用于充电器、电源管理等应用场合，提供高效、稳定的功率转换与控制功能。
HD7258
TO-252-2L
MXsemi
晶体管
2500个/圆盘
该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压100V，峰值电流高达30A，专为高功率电子设备设计，应用于电源转换、电机驱动等场合，提供强大且高效的开关控制与卓越的功率管理功能。
MX4606S
SOP-8
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
此款消费级N+P沟道MOSFET封装于SOP-8，专为高效能双向电源控制打造。额定电压30V，最大连续电流6A，适合电池管理系统、AC/DC转换及各类消费电子产品。集成双极性通道，提供优越的开关特性和低导通电阻，确保在正负电压下稳定工作，提升系统效能与节能表现。
5N10
SOT-23-3L
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23-3L封装技术，额定电压100V，具备5A大电流处理能力。拥有低导通电阻和快速开关性能，适用于充电器、电源转换等应用场合，提供高效能与稳定的功率控制解决方案。
9926A
SOP-8
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
此消费级MOSFET采用紧凑型SOP-8封装，内置双N沟道设计，专为优化电源管理打造。额定电压20V，最大连续电流6A，适用于各类中低电压、高效率开关应用。卓越的导通性能与低RDS(ON)，使之成为充电器、LED驱动、DC/DC转换等领域的理想选择。
HS2198
SOP-8
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
这款消费级N+P沟道MOSFET采用SOP-8封装，具备40V额定电压和7.2A高连续电流处理能力。专为高效双向电源转换、电池管理系统设计，适用于多种消费电子产品。集成双极性通道实现正负电压控制，低导通电阻与卓越的开关性能相结合，确保系统稳定可靠且节能。
BSS84AK
SOT-23
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，专为50V电压应用设计，额定电流0.1A。具有低导通电阻和快速开关性能，尤其适用于需要精细功率控制的场合，如电池保护、信号切换等，提供高效稳定的半导体解决方案。
NX7002AK
SOT-23
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
NX7002AK是一款N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为高效、小型化电路设计。该器件具有60V的漏源电压额定值(VDSS)，可承载0.3A的连续漏极电流(ID)，其独特之处在于具有低至1000mR的导通电阻(RD(on))，有效降低系统能耗并提升工作效率。广泛应用在电源转换、负载开关控制、电机驱动等多个领域，是您追求高性价比和节能效果的理想半导体元件。
AO3416A
SOT-23
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
这款N沟道消费级MOSFET采用小型SOT-23封装，专为20V电压下中等电流应用设计。额定连续电流高达6A，适用于电源转换、负载开关和电池管理系统，具备低导通电阻和卓越的热性能，是现代便携式电子设备的理想功率管理组件。
AO3415A
SOT-23
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
该P沟道消费级MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，专为20V电压下的高效能应用设计。额定连续电流5A，尤其适用于电源转换、电池保护和负载开关控制，具备低导通电阻与优良热性能，是现代电子设备理想的低电压功率管理元件。
IRLML6244TRPBF
SOT-23
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
此款消费级N沟道MOSFET采用高效SOT-23封装，专为20V电压系统设计，具备6A高连续电流承载能力。拥有低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及各类高性能电子应用中，提供稳定且节能的功率转换解决方案。
MX50N03DF
DFN-8L(3x3)
MXsemi
晶体管
5000个/圆盘
这款消费级N沟道MOSFET采用超小型DFN3X3-8L封装，具有出色的功率密度。额定电压30V，连续电流高达50A，特别适合于紧凑空间内的高效电源转换、负载开关控制以及电池管理系统等应用场合，提供卓越的性能与可靠性。
SI9945BDY-T1
SOP-8
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
此款SOP-8封装的消费级双N沟道MOSFET，专为高耐压、大电流应用设计，额定电压60V，连续通过电流高达6.5A。卓越的开关效能与低导通电阻使其成为充电器、电源模块和高效能电子设备的理想选择，确保在各种电源转换场景下实现可靠且节能的性能表现。
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