二极管-三极管-晶体管-MOS场效应管-桥堆生产厂家-深圳兆信半导体MXsemi

AO3400

SOT-23-3L

MXsemi

晶体管

3000个/圆盘

此款消费级MOSFET采用紧凑型SOT-23-3L封装，具有高效能N沟道设计，额定电压30V，最大连续电流5.8A，适用于各类电源转换和开关应用场合，以其卓越的性能与小巧体积，为电子设备提供稳定可靠的功率管理方案。

AO4612

SOP-8

MXsemi

晶体管

3000个/圆盘

此消费级N+P沟道MOSFET采用SOP-8封装，专为处理60V电压下的正负极性切换而设计，提供5A连续电流能力。适用于电池管理、电源转换器等应用领域，具有双通道结构和优越的开关性能，确保低导通电阻与高效能运作，是现代电子设备的理想功率控制组件。

IRFB4410ZPBF

TO-220

MXsemi

晶体管

50个/圆盘

这款TO-220封装的N沟道消费级MOSFET，专为处理高电压、大电流应用场景设计。额定电压100V，能承载70A连续电流，适合于电源转换器、电机驱动及各类高压负载开关应用，提供低导通电阻和卓越的散热性能，是构建高效能电子系统时的理想功率半导体器件。

HT7202

TOLL

MXsemi

晶体管

2000个/圆盘

本款消费级N沟道MOSFET采用大电流封装TOLL，具备80V的额定电压和高达400A的连续电流处理能力，专为高功率应用设计。适用于电源转换、电机驱动及大型负载开关场景

BSC098N10NS5

DFN-8L(5x6)

MXsemi

晶体管

5000个/圆盘

此款消费级N沟道MOSFET采用紧凑型DFN5X6-8L封装，具备卓越的散热性能。额定电压100V，连续电流高达80A，特别适用于空间受限且需高效能电源转换、大电流负载控制及电池管理系统等应用场合，提供强大的功率处理能力和高可靠性。

AON7430

DFN-8L(3x3)

MXsemi

晶体管

5000个/圆盘

本款消费级N沟道MOSFET采用DFN3X3-8L封装，体积小巧且高效能，额定电压30V，连续电流高达30A。适用于空间有限的电源转换、负载开关以及电池管理系统应用，为现代电子产品提供紧凑、高功率密度的半导体解决方案。

MX70N03NF

DFN-8L(5x6)

MXsemi

晶体管

5000个/圆盘

本款消费级N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装，额定电压30V，连续电流高达70A。适用于高效电源转换、电机驱动和电池管理系统，凭借其卓越的功率密度与散热性能，满足现代电子设备对高电流处理能力的需求。

MX20P06DF

DFN-8L(3x3)

MXsemi

晶体管

5000个/圆盘

本款消费级P沟道MOSFET采用DFN3X3-8L封装，额定电压60V，连续电流高达20A。专为现代紧凑型电子设备设计，适用于电源转换、负载开关控制及电池管理系统，提供卓越的能效比与空间利用率。

STD20NF06L

TO-252-2L

MXsemi

晶体管

2500个/圆盘

型号STD20NF06L的N沟道MOS管，选用经典的TO-252-2L封装形式，适合各类电路设计需求。该器件具备60V的高额定电压VDSS和20A的强大电流承载能力，可在高压环境下保持稳定性能。其导通电阻RD(on)仅为27mΩ，有效提升功率转换效率，降低功耗。这款MOS管广泛应用于电源转换、电机驱动、高频开关等领域，是您实现高效能电子设备设计的理想半导体元器件。

MX20N10D

TO-252-2L

MXsemi

晶体管

2500个/圆盘

该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压100V，峰值电流可达20A，适用于高功率电子设备的电源转换、电机驱动等应用场合，提供高效能、低损耗的开关控制功能。

IRLML6401

SOT-23

MXsemi

晶体管

3000个/圆盘

该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，专为20V电压系统设计，提供高达5A的连续电流处理能力。具备低导通电阻与快速开关性能，适用于充电器、电源转换及各类电子设备中的高效功率控制与切换需求。

MX2305AI

SOT-23

MXsemi

晶体管

3000个/圆盘

该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，专为20V系统设计，提供5A大电流处理能力。具备低导通电阻与快速开关特性，广泛应用于充电器、电源转换及各类电子设备中，实现高效能、稳定可靠的功率控制。

MX3400MI

SOT-23-3L

MXsemi

晶体管

3000个/圆盘

该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23-3L封装，适用于30V电压系统，额定电流高达5.8A。具备低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电器、电源转换等领域，为电子设备提供高效、稳定的功率控制解决方案。

BSS138K

SOT-23

MXsemi

晶体管

3000个/圆盘

该款消费级N沟道MOSFET采用小型SOT-23封装，专为50V电压系统设计，提供精细的0.2A电流控制。具备低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于电池保护、智能设备及各类小电流电子应用中，实现高效且精确的功率管理。

BSS138LT1G

SOT-23

MXsemi

晶体管

3000个/圆盘

该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23小型封装，专为50V电压系统设计，额定电流0.2A。具有低导通电阻和快速开关性能，尤其适用于电池保护、信号切换等低功耗应用，提供精准高效的功率控制解决方案。

AON3611

DFN-8L(3x3)

MXsemi

晶体管

5000个/圆盘

此款消费级N+P沟道MOSFET采用DFN3X3-8L封装，集成双通道技术，额定电压30V，最大连续电流16A。专为现代电子设备设计，适用于电源转换、负载管理与电池系统控制，提供高效能、紧凑型的半导体解决方案。

MX2300MI

SOT-23-3L

MXsemi

晶体管

3000个/圆盘

该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23-3L封装，专为20V电压系统设计，具备6A大电流处理能力。具有低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于充电器、电源转换等场景中，提供高效稳定的功率控制功能。

BSS84PH6327

SOT-23

MXsemi

晶体管

3000个/圆盘

该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，适用于50V电压系统，额定电流为0.1A。具有低导通电阻和快速开关性能，特别适合于电池保护、信号切换等低功耗应用场景，实现精准可靠的功率控制功能。

DMG3415UQ-7

SOT-23

MXsemi

晶体管

3000个/圆盘

该款消费级P沟道MOSFET采用小型SOT-23封装，专为18V电压系统打造，具备7A强大电流处理能力。凭借其低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电器、电源转换等场合，实现高效、可靠的功率控制。

NTR4101PT1G

SOT-23

MXsemi

晶体管

3000个/圆盘

该款消费级P沟道MOSFET采用小型SOT-23封装，适用于20V电压系统，额定电流高达3A。具备优越的低导通电阻与快速开关性能，广泛应用于充电器、电源转换及各类电子设备中，实现高效、稳定的功率控制功能。

MX10N65F

TO-220F

MXsemi

晶体管

50个/圆盘

该消费级N沟道MOSFET采用经典TO-220F封装，额定电压高达650V，可承受10A连续电流，适用于高电压、大电流电子设备的电源转换和电机控制等应用，提供稳定可靠的高性能开关解决方案。

IRF3710PBF

TO-220

MXsemi

晶体管

50个/圆盘

这款N沟道消费级MOSFET采用TO-220封装，专为处理100V高电压、大电流应用设计。额定连续电流高达60A，适用于电源转换、电机驱动及电池管理系统，具备低导通电阻和高效散热能力，是现代电子设备实现高功率密度与能效控制的理想半导体组件。

AO4822

SOP-8

MXsemi

晶体管

3000个/圆盘

本款消费级N+N沟道MOSFET采用SOP-8封装，集成双通道设计，额定电压30V，连续电流高达8.5A。专为高效电源转换、负载平衡及电池管理系统应用，提供紧凑、高能效的半导体解决方案，满足现代电子产品多通道控制需求。

Si2323DS-T1-GE3

SOT-23

MXsemi

晶体管

3000个/圆盘

Si2323DS-T1-GE3是一款高性能P沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为现代微小电子设备设计。主要参数包括最大工作电压VDSS为20V，能稳定传输5A的漏极电流；导通电阻RD(on)仅为30mΩ，有效降低能耗，提高系统效能。广泛应用在电源管理、负载开关、电池保护等多个领域，是您追求高集成度与节能效果的理想MOS管选择。