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晶体管
型号
封装
品牌
分类
圆盘信息
描述
SI2303
SOT-23
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
该款消费级P沟道MOSFET采用小型SOT-23封装，适用于20V电压系统，提供2.3A电流承载能力。具备低导通电阻与快速开关性能，广泛应用于充电器、电源转换及电子设备的功率控制模块中，实现高效、稳定的电路管理。
LBSS84
SOT-23
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
这款消费级P沟道MOSFET采用小型SOT-23封装，适用于50V电压系统，额定电流0.1A。具备低导通电阻和快速开关性能，特别适合于电池保护、信号切换等精细控制场景，提供精准且高效的功率管理解决方案。
FDN335N
SOT-23
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
此款消费级N沟道MOSFET采用小型SOT-23封装，额定电压为20V，可承载高达2.3A的连续电流。专为充电器、电源管理及各类高效电子设备设计，具备出色的低导通电阻和快速开关性能，是实现精准功率控制的理想之选。
FDN340P
SOT-23
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，适用于20V电压系统，额定电流3A。具有低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电器、电源转换及各类电子设备中，实现高效、节能的功率控制与管理。
MX304DF
DFN-8L(3x3)
MXsemi
晶体管
5000个/圆盘
这款消费级N+N沟道MOSFET采用DFN3X3-8L封装，额定电压为30V，连续电流高达20A。适用于双通道电源转换、负载共享及电池管理系统等应用场合，凭借小巧尺寸与高效能表现，实现现代电子设备的紧凑化和节能需求。
MX4266S
SOP-8
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
本款消费级N沟道MOSFET采用SOP-8封装，额定电压60V，连续电流高达10A。专为中等至高耐压应用设计，适用于电源转换、负载开关及电池管理系统，以紧凑尺寸实现卓越能效与可靠性，满足现代电子产品高性能需求。
MX8205LI
SOT-23-6L
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
该消费级MOSFET采用SOT-23-6L封装，集成双N沟道设计，额定电压20V，最大连续电流高达6A，特别适合于高效率电源切换和电子设备管理应用。其紧凑结构与卓越性能相结合，为电路提供双通道、低损耗的功率控制方案。
MX4953S
SOP-8
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
这款消费级P+P沟道MOSFET采用SOP-8封装，特别针对30V电压系统设计，具备5.3A连续电流处理能力。双P沟道配置确保高效能正向导通，适用于电池保护、负载开关等应用，拥有低导通电阻和快速切换特性，为电子设备提供可靠高效的功率管理解决方案。
SI4936ADY-T1-E3
SOP-8
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
SI4936ADY-T1-E3是一款高性能N+N沟道MOSFET，采用小型化SOP-8封装，专为现代电子设备设计提供高效能电流控制解决方案。其关键特性包括最大工作电压VDSS高达30V，可承载6A连续漏极电流，确保强大电力传输；25mΩ的超低导通电阻RD(on)，有效降低功率损耗，提升系统整体能效。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是您构建高集成度与节能电子产品的理想MOS管选择。
MX4884S
SOP-8
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
这款消费级MOSFET采用紧凑型SOP-8封装，内置双N沟道设计，额定电压40V，可承载高达12A的连续电流。专为高效电源转换、电机驱动等应用打造，具备出色的低导通电阻和快速开关性能，是优化系统能效、提升设备运行表现的理想半导体器件选择。
BSC160N10NS3G
DFN-8L(5x6)
MXsemi
晶体管
2500个/圆盘
这款N沟道消费级MOSFET采用DFN5X6-8L封装，特别为高功率密度应用设计。额定电压100V，能承载高达75A连续电流，适用于电源转换、电池管理系统及大电流开关场景，提供卓越的导通性能与热管理效率，是现代紧凑型电子设备的理想高性能半导体组件。
MX50N04NF
DFN-8L(5x6)
MXsemi
晶体管
2500个/圆盘
这款消费级N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装，额定电压40V，连续电流可达50A。适用于高效率电源转换、电机驱动及电池管理系统，具备出色的散热性能与紧凑尺寸，是现代电子产品理想的小型化、高性能解决方案。
4N65
TO-252-2L
MXsemi
晶体管
2500个/圆盘
这款消费级N沟道MOSFET采用紧凑型TO-252-2L封装，额定电压高达650V，电流容量为4A。专为在高压环境下的消费电子设备设计，提供卓越的开关性能和能效，确保系统稳定运行，是电源管理应用的理想选择。
SI1032R-T1-GE3
SOT-523
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
SI1032R-T1-GE3是一款高端N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-523封装设计，适用于空间有限的应用场景。器件特点鲜明，具有20V的VDSS电压，可承载0.8A连续电流ID，而其优异的导通电阻RD(on)低至180mR，确保了高效能和低功耗运行。此款MOS管适用于电源转换、电池管理系统、消费电子等多种领域，是提升系统性能、优化能源利用的理想半导体器件选择。
MX4805S
SOP-8
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
这款消费级P+P沟道MOSFET采用SOP-8封装，专为30V电压应用设计，提供双通道高效能导通，额定电流高达8.5A。适用于电池管理系统、电源转换和负载控制等场景，凭借其低导通电阻和快速开关特性，确保在各种电子设备中实现卓越的双向功率管理效能。
AOD2610E
TO-252-2L
MXsemi
晶体管
2500个/圆盘
这款消费级MOSFET采用TO-252-2L封装，是一款高功率N沟道半导体器件，具有60V的额定电压及惊人的80A电流承载能力。专为高效能电源转换与开关应用设计，以出色的稳定性和卓越能效，成为现代高性能电子设备的理想之选。
AOD4130
TO-252-2L
MXsemi
晶体管
2500个/圆盘
此款消费级MOSFET采用TO-252-2L封装，是一款高性能N沟道器件，具备60V的额定电压及30A的大电流处理能力。适用于各类电源转换、开关电路等应用，以高效能、低损耗和高稳定性，满足现代电子设备严苛需求。
FDS4559
SOP-8
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
这款消费级N+P沟道MOSFET采用SOP-8封装，额定电压60V，连续电流高达6A，特别适合于电池管理系统、电源转换等需要双向电压控制的场合。器件具备双通道设计，实现高效能与低导通电阻，确保在正负电压切换时表现出色，是现代电子产品中理想的功率开关元件。
MX4882S
SOP-8
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
高性能N+N沟道MOSFET，采用SOP-8封装工艺，专为消费级市场打造。具备40V高耐压及高达12A的连续电流处理能力，特别适用于高效率电源转换、电机驱动等应用场合。本器件以卓越的低导通电阻和快速开关性能为核心优势，是优化系统能耗、提升设备性能的理想之选。
MX4403S
SOP-8
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
此款消费级P沟道MOSFET采用紧凑SOP-8封装，专为30V电压系统设计，提供6A连续电流处理能力。适用于电池保护、电源开关和负载控制等应用，具备低导通电阻与快速切换性能，确保在各类消费电子设备中实现高效能、稳定可靠的功率管理。
MX302DF
DFN-8L(3x3)
MXsemi
晶体管
5000个/圆盘
本款消费级N+N沟道MOSFET采用紧凑型DFN3X3-8L封装，双通道设计，额定电压30V，连电流高达30A。适用于高效电源转换、负载共享和电池管理系统等应用，提供卓越的集成度与功率处理能力，实现现代电子设备的小型化需求。
MX4842S
SOP-8
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
此款高性能消费级MOSFET采用SOP-8封装，内置双N沟道技术，额定电压30V，峰值电流可达8.5A。适用于各种高效电源转换场景，如充电设备、智能家电及消费电子的开关与功率控制。具备低导通电阻和高速开关性能
MX60N03D
TO-252-2L
MXsemi
晶体管
2500个/圆盘
该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压30V，具备60A大电流处理能力，专为高功率、高效能的电源转换与电机驱动等应用设计，提供卓越的开关性能及低损耗特性。
MX2300AI
SOT-23
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
该消费级N沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，针对20V电压系统设计，提供高达6A的连续电流处理能力。具有卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及各类高效率电子应用中，实现高效能、稳定的功率转换与控制。
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