二极管-三极管-晶体管-MOS场效应管-桥堆生产厂家-深圳兆信半导体MXsemi

GBP

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晶体管

1500个/圆盘

这款GBP封装整流桥器件，是专为高效率电源转换应用设计的优质半导体元件。具备高达1000V的反向电压额定值（VR），确保在高压条件下安全稳定工作。其特性包括在2A电流下正向压降VF低至1.1V，有效降低能耗并提升系统效能。尽管在小电流下表现出色，该器件的最大连续输出电流可达6A（IO），展现出卓越的电流承载和瞬态响应能力。适用于各类需要处理高电压、大电流瞬变的应用场景，是您电路设计的理想之选，助力实现高效可靠的电源转换解决方案。

DB157S

DBS

MXsemi

晶体管

1500个/圆盘

这款DBS封装整流桥器件，针对高效低耗电源转换需求设计。具有高达1000V的反向电压额定值（VR），确保在高压条件下持久稳定运行。其关键特性在于，在1A电流下正向压降VF低至1.1V，有效优化系统能效并减少功耗。同时，器件具备出色的电流处理能力，最大连续输出电流可达1.5A（IO），适合中等电流应用场合。凭借精巧的DBS封装与卓越性能表现，本款整流桥成为电路设计的理想选择，助您实现高性价比且可靠的电源转换方案。

GBP310

GBP

MXsemi

晶体管

1500个/圆盘

这款GBP封装整流桥器件，专为在高电压环境下提供高效稳定的电源转换而设计。拥有高达1000V的反向电压额定值（VR），确保了在严苛条件下仍能可靠运行。其独特优势在于，在2A工作电流下正向压降VF低至1.1V，有效降低功耗并优化系统效率。尽管以低电流性能出色，该器件的最大连续输出电流可达3A（IO），展现出良好的电流处理能力。适用于各类需要处理高电压、中等电流的应用场景，是您电路设计的理想选择，助力实现高性能与高稳定性的完美融合。

GBU2510

GBU

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晶体管

1500个/圆盘

此款GBU封装整流桥，是一款专为高功率、高效率应用设计的顶级整流器件。具备1000V的高强度反向电压额定值（VR），在10A电流下，正向压降VF低至1.05V，有效减少能量损耗并提升系统效能。尤其值得关注的是其强大的瞬态峰值电流能力高达25A（IO），确保了在极端条件下仍能保持稳定工作。适用于各类需处理高电压、大电流场景的电路设计，是您构建高性能系统的理想选择。

DB307S

DBS

MXsemi

晶体管

1500个/圆盘

这款DBS封装的整流桥器件，专为高效能电源转换应用设计。具有高达1000V的反向电压额定值（VR），确保在高压环境下稳定可靠工作。其特点在于2A电流下正向压降VF低至1.1V，有效降低功耗并提升系统效率。此外，器件提供3A的最大连续输出电流（IO），适用于中等电流需求场景。该整流桥凭借出色的性能与小型化封装设计，成为各类电路设计的理想选择，尤其适合需要处理高电压且空间受限的应用环境。

GBU1010

GBU

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晶体管

1500个/圆盘

这款GBU封装的整流桥器件，专为高电压、大电流应用场合设计。拥有1000V的高反向电压额定值（VR），确保在高压环境下稳定工作。其正向压降VF在10A电流下低至1.05V，有效降低功耗并提升电源转换效率。此外，器件具备出色的电流处理能力，最大连续输出电流可达10A（IO），保证了设备运行时的高效与可靠性。此款整流桥是各类高要求电路设计的理想选择，助您轻松应对复杂电源转换挑战。

GBL810

GBL

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晶体管

1500个/圆盘

此款GBL封装整流桥器件，专为高效能电源转换应用打造。其具备高达1000V的反向电压额定值（VR），确保在高压条件下安全稳定运行。在3A工作电流下，正向压降VF低至1.1V，有效减少功率损耗并提升整体系统效能。此外，该器件的最大连续输出电流可达8A（IO），展现出卓越的电流承载能力，尤其适用于需要处理中高电流强度及高电压环境的电路设计。这款整流桥凭借其高性能与高可靠性，成为您实现理想电源转换方案的理想之选。

KBU610

KBU

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晶体管

1500个/圆盘

这款KBU封装的高品质整流桥器件，专为1000V高电压环境和大电流应用设计。凭借出色的耐压性能，可承受高达1000V的反向电压，确保系统稳定高效运行。在6A的工作电流下，其正向电压降低至1.1V，有效降低功耗并提升电力转换效率。此外，该器件具有卓越的电流承载能力，最大连续输出电流可达6A，适用于各类中大功率电源、电机驱动等领域。选择此款整流桥，您的设备将实现更高能效与更佳稳定性表现。

ABS10

ABS

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晶体管

5000个/圆盘

这款整流桥器件封装采用ABS工艺，适用于对性能和效率有高要求的电路设计。其拥有VR1000V的额定电压，确保在高压条件下稳定运行。关键参数VF表现为1V@0.4A，即在0.4A电流下正向压降仅为1V，实现低功耗与高效能的完美结合。器件提供最大1A的输出电流（IO:1A），适合各类中等电流应用场合。此款半导体整流桥凭借卓越的电气性能及节能特性，是电源适配器、驱动电路等电子设备的理想选择，助力提升您的设备整体性能与能源利用率。

MB10S

MBS

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晶体管

3000个/圆盘

此款MBS封装整流桥器件，拥有1000V的高直流反向耐压性能，能有效应对高压环境下的电路保护需求。其平均整流电流为0.8A，满足中低功率设备的电流处理要求。在0.4A工作电流下，正向压降仅为1V，确保了较低的能量损耗和更高的工作效率。同时，反向电流控制在5uA@1000V，显示了卓越的绝缘特性，是各类需要稳定、高效整流解决方案的理想选择。

ABS210

ABS

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晶体管

5000个/圆盘

此款整流桥器件采用ABS封装工艺，专为高可靠性、高效能的电路设计。其卓越的VR1000V额定电压，确保在高压环境下稳定工作无虞。在1A电流下，VF仅为1V，展现超低正向压降特性，有效节省电力损耗，提高整体系统效率。此外，拥有强大的2A输出电流能力（IO:2A），轻松应对大电流应用场景。这款半导体器件凭借出色的性能表现与节能优势，成为电源转换器、逆变器等电子设备的理想配置选择，为您的设备运行注入澎湃动力和持久稳定性。

GBJ3510

GBJ

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晶体管

1500个/圆盘

这款GBJ封装的高性能整流桥，专为高功率、大电流应用场合打造。具备1000V的卓越反向电压额定值（VR），确保在高压环境下稳定运行。其特色在于，在12.5A工作电流下正向压降VF低至1.05V，有效提升电源转换效率并降低功耗。更值得关注的是，器件拥有强大的瞬态峰值电流承载能力高达30A（IO），确保在极端条件下仍能提供卓越的性能表现。适用于各类需要处理极高电流强度及高电压的电路设计，是您构建高效、可靠电源系统的理想选择。

GBP410

GBP

MXsemi

晶体管

1500个/圆盘

这款GBP封装整流桥器件，专为高效稳定电源转换打造。其拥有1000V的高反向电压额定值（VR），确保在高压条件下安全运行。在4A工作电流下，正向压降VF低至1.1V，有效减少功率损耗并提升系统能效表现。同时，器件支持最大连续输出电流4A（IO），提供卓越的电流处理能力及稳定性。适用于各类需要处理高电压、中等电流的应用场景，是您电路设计的理想选择，助您实现性能与可靠性的完美结合。

KBP307

KBP

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晶体管

1500个/圆盘

这款采用KBP封装的高精度整流桥，专为800V电压等级及中等电流应用设计。其具备出色的耐压性能，在高达800V的反向电压下保持稳定工作状态。在3A的工作电流下，正向电压降低至1.1V，实现高效能电力转换与显著节能效果。器件的最大连续输出电流为3A，适用于各类电源适配器、中功率电机驱动及电子设备内部电路中的整流需求。选择本款KBP封装整流桥，将为您的系统带来卓越的能效表现和稳定的运行能力。

KBU810

KBU

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晶体管

1500个/圆盘

这款采用KBU封装的高端整流桥器件，特别为1000V高电压、大电流应用环境设计。在确保卓越电气性能的同时，能承受高达1000V的反向电压，保证系统稳定可靠运行。在8A的工作电流下，其正向电压降仅为1.1V，优化了电力转换效率，有效减少能源损耗。此外，该器件具有出色的连续输出能力，最大可承载8A电流，是各类高性能电源供应器、电机驱动的理想选择。选择本款整流桥将助力您的设备实现更高能效和更优稳定性。

GBU606

GBU

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晶体管

1500个/圆盘

这款GBU封装的高性能整流桥半导体器件，专为大电流、高效能应用打造。其关键特性包括VR耐压高达600V，确保在常规电压范围内稳定运行；VF值低至1.05V@6A，即使在满载电流6A时也能实现超低压降，显著提升电源转换效率和节能效果；额定输出电流IO为6A，提供强劲而稳定的电流处理能力。广泛应用于各类中高端电源系统、逆变器及其他大电流电子设备中，是优化系统性能与可靠性的理想之选。

DB107S

DBS

MXsemi

晶体管

1500个/圆盘

这款DBS封装的整流桥器件，专为高效低耗电源转换应用打造。具备1000V的高反向电压额定值（VR），确保在高压条件下安全稳定运行。其独特优势在于1A电流下正向压降VF仅为1.1V，有效减少功耗并提升系统能效表现。此外，该器件支持最大连续输出电流1A（IO），提供卓越的低电流处理能力及稳定性。适用于各类小型化、高效率且需处理中等电压的应用场景，是您电路设计的理想选择，助力实现紧凑与性能兼备的电源解决方案。

MB10F

MBF

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晶体管

5000个/圆盘

本款高性能整流桥采用MBF封装技术，专为高电压、低损耗应用设计。作为一款1000V的高耐压整流器件，在确保系统稳定运行的同时，展现了出色的电气性能。在500mA工作电流下，其正向电压降仅为1.1V，有效减少功耗并提升整体效率。该器件拥有强大的电流处理能力，最大连续输出电流可达1A，适用于电源转换器、逆变器及各类高压直流电设备。选择这款整流桥，将有力推动您的电路设计实现更高能效与可靠性。

MB6S

MBS

MXsemi

晶体管

3000个/圆盘

MB6S,MB6S参数,MB6S工作原理,MB6S规格书,兆信,MXsemi,桥堆,整流桥

DTC123JE

SOT-523

MXsemi

晶体管

3000个/圆盘

逻辑门驱动微控制器接口马达驱动电源管理音频/视频设备通信电路

DTC143ECA

SOT-23

MXsemi

晶体管

3000个/圆盘

这款NPN型数字晶体管采用紧凑型SOT-23封装，专为低功耗、高集成度的现代电子设备设计。器件具备50V的最大集射极电压(Vcc)和0.1A的连续输出电流(Io)，功率消耗控制在0.2W以内，确保了出色的能效表现。独特之处在于内置精密电阻网络，其中R1阻值设定为4.7Ω，并具有10倍于R1的R2阻值（R1/R2=10），有助于简化电路配置并提升系统稳定性。该晶体管适用于逻辑门电路、信号处理等多种数字应用场合，是实现小型化、高效节能电路的理想选择。

DTC144EE

SOT-523

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晶体管

3000个/圆盘

微控制器输出驱动逻辑门电路脉冲宽度调制（PWM）驱动接口电路切换传感器信号放大待机电路低压开关电源

DTA143ECA

SOT-23

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晶体管

3000个/圆盘

逻辑门电路驱动电路信号放大电源管理嵌入式系统消费电子产品

DTC143ZE

SOT-523

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晶体管

3000个/圆盘

本款数字NPN晶体管采用先进的SOT-523封装技术，体积小巧，适用于高密度电路设计。其工作电压高达50V，连续电流为0.1A，功率耗散可达0.15W，具备出色的能耗控制性能。内部配置精密电阻网络，其中R1为4.7Ω，R1/R2比例为10，确保了器件在开关和放大状态下的稳定性和精准性，是各类微电子设备的理想选择。