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晶体管
型号
封装
品牌
分类
圆盘信息
描述
SOT-23
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
逻辑门驱动模拟开关微控制器输出缓冲电源管理显示驱动音频信号处理
SOT-323
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
数字信号处理LED驱动液晶显示器(LCD)背光驱动电源管理马达驱动通信接口
SOT-363
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
这款数字晶体管采用先进的SOT-363封装,内置一对互补NPN型晶体管。器件提供50V的集射极击穿电压(Vceo)及0.1A的最大集电极电流(Ic),功率耗散能力为150mW。其卓越的低饱和电压特性,在5mA集电极电流和0.25mA基极电流时,VCE(sat)仅为300mV,同时拥有出色的直流电流增益,hFE在1mA/5V条件下范围达100至600。此外,该晶体管具有高达250MHz的截止频率(fT),确保高速开关性能。适用于各类低功耗、高速数字电路设计,如逻辑门电路、信号放大器等应用场合,以其小巧体积与
SOT-23
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
此款NPN型数字晶体管采用紧凑的SOT-23封装,适用于低功耗数字电路设计。该器件具有50V的最大集射极电压(Vcc),可承受0.1A的连续输出电流(Io),功率消耗仅为0.2W,确保高效能与节能表现。此外,其内置精密电阻网络,其中R1设定为4.7Ω,并且R1/R2比例为10,有助于简化外围电路设计和提高系统稳定性。这款晶体管凭借小巧体积、优异电气性能及集成电阻特性,广泛应用于逻辑门电路、信号切换以及其他各类精密电子设备中。
SOT-23
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
这款NPN型数字晶体管采用小型化SOT-23封装,专为高效能、低功耗的电子设计打造。器件支持最大50V集射极电压(Vcc),具备0.1A连续输出电流能力(Io),功率消耗仅为0.2W,确保在紧凑空间内实现卓越性能。独特之处在于集成有精准电阻网络,其中R1阻值设定为2.2Ω,并具有与R1约4.5倍的比例关系(R1/R2=4.5),极大简化了电路设计和提升了系统稳定性。适用于各类逻辑门电路、信号切换等数字应用领域,是现代微型化电子产品中不可或缺的核心组件之一。
SOT-89
MXsemi
晶体管
1000个/圆盘
此款SOT-89封装的PNP型三极管,拥有高达80V的VCEO电压和1A的强大连续电流承载能力,放大倍数在100至250之间,适用于高功率电子系统,提供卓越的信号放大及开关控制功能。
TO-252-2L
MXsemi
晶体管
2500个/圆盘
音频功放电路电源开关控制继电器驱动稳压器中的调整管低频功率转换器汽车电子系统逻辑电平转换
SOT-23
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
此款SOT-23封装NPN型三极管,拥有60V的高击穿电压VCEO和1A的大电流承载能力,放大倍数范围在100至300之间,适用于各类大电流、高压电子设备,提供强劲且稳定的信号放大性能。
TO-252-2L
MXsemi
晶体管
2500个/圆盘
低电平模拟开关线性稳压器中的调整管小功率音频放大器直流电机驱动LED驱动器电源转换器中的开关元件逻辑门电路与数字电路
SOT-89
MXsemi
晶体管
1000个/圆盘
音频放大器开关电源电机驱动线性稳压器逆变器电路
TO-92
MXsemi
晶体管
1000个/圆盘
音频放大器开关电路线性驱动器恒流源逻辑门电路模拟信号处理气体放电显示驱动PWM调制器
SOT-323
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
此款SOT-323封装的NPN型三极管,具备25V的VCEO电压和高达1.5A的集电极电流能力,放大倍数介于200至350之间,特别适合在低电压、大电流应用环境下提供强大且稳定的信号放大功能。
SOT-363
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
这款SOT-363封装双NPN三极管,具备160V高耐压VCEO和0.2A集电极电流能力,放大倍数在100至300之间,专为高压环境下的信号放大设计,适合各类精密电子设备,提供卓越的线性放大性能。
SOT-89-3L
MXsemi
晶体管
1000个/圆盘
此款SOT-89封装的NPN型三极管,具有60V高耐压VCEO及1A强大集电极电流,放大倍数范围为63至250,适用于中高压、大电流应用场景下的开关与线性放大电路设计,是您电子设备制造和工程项目的优质半导体组件。
SOT-23
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
此款SOT-23封装PNP型三极管,拥有45V高耐压VCEO及0.5A集电极电流能力,放大倍数在160至400之间可调,适用于中等电压、中等电流应用环境下的高效放大与开关电路设计,是您电子设备项目的理想半导体组件。
TO-252-2L
MXsemi
晶体管
2500个/圆盘
音频放大器电源开关线性稳压器调整管H桥驱动逆变器电路模拟信号处理
SOT-23
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
此款SOT-23封装NPN型三极管,具备30V高耐压VCEO及0.1A集电极电流规格,放大倍数在110至220之间,专为低电压、微电流环境下的精密放大与开关电路设计,是小型电子设备和高精度应用的理想半导体元件。
SOT-523
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
这款SOT-523封装的NPN型三极管,具备40V的高VCEO电压和0.2A的稳定IC电流,其放大倍数在100至300之间,性能优越,适用于各类精密电子电路,提供高效能信号放大解决方案。
SOT-363
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
该款SOT-363封装的双NPN型三极管,每个NPN单元具有40V的VCEO耐压值和0.2A的最大集电极电流,放大倍数在100至300之间,适用于高效互补电路设计,为您的系统提供精准、稳定的信号放大性能。
SOT-523
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
这款SOT-523封装NPN三极管,拥有50V的高耐压VCEO值和0.15A电流承载能力,其放大倍数范围在180至390之间,具备出色的线性放大性能。适用于各类精密电子设备中,提供稳定高效的信号放大功能。
SOT-23
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
低频放大器直流电机驱动逻辑开关LED驱动电源保护射频(RF)电路PWM控制器传感器接口电路
TO-252-2L
MXsemi
晶体管
2500个/圆盘
此款达林顿管采用TO-252-2L封装,是一款高性能PNP型双极功率晶体管。拥有100V的集射极击穿电压(Vceo)及8A的最大集电极电流(Ic),额定功率耗散为1.5W。其具有超低饱和电压,在8A集电极电流和80mA基极电流时,VCE(sat)仅为4V,确保高效能运行。此外,该器件在4A/4V条件下提供出色的直流电流增益,hFE范围介于1000至12000之间。适用于通用放大器设计以及低速开关应用场合,以其卓越的电气参数与稳定性能,满足各类中高功率电路需求。
TO-252-2L
MXsemi
晶体管
2500个/圆盘
此款NPN型达林顿双极功率晶体管采用TO-252-2L封装,特别适用于通用放大器构建与低速开关应用。其拥有100V的最高集射极击穿电压(Vceo)和高达8A的连续集电极电流(Ic),具备出色的功率耗散能力为1.5W。器件在工作状态下表现出色,饱和电压VCE(sat)仅4V@8A/80mA,并提供宽泛的直流电流增益范围,在4A集电极电流及4V集射极电压下,hFE介于1000至12000之间。此外,该晶体管具有超低的反向饱和电流Icbo为10uA,确保了更高的电路稳定性和更低功耗。卓越性能使其成为高效率、大电
SOT-89
MXsemi
晶体管
1000个/圆盘
音频放大器开关电源射频(RF)电路高速逻辑门电路电机驱动互补对管应用稳压器或基准源电路
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