IRFZ44NS
本款消费级N沟道MOSFET采用TO-263封装,具有55V高耐压及卓越的49A大电流处理能力。专为高性能、高功率开关应用设计,广泛应用于各类消费电子产品中,提供出色的能效与系统稳定性表现。
Si2316BDS-T1-GE3是一款高效能N沟道MOSFET,采用紧凑型SOT-23封装,专为现代微小化电子设计。其关键特性包括30V的最大漏源电压(VDSS),能承载4A连续漏极电流(ID),确保强大的电流处理能力。导通电阻(RD(on))仅为29mΩ,有效减少功耗,提升系统能效比。这款MOS管广泛应用在电源转换、负载开关、电机驱动等场景,以卓越的性能与稳定性成为高集成度、低功耗解决方案的理想组件。
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