二极管-三极管-晶体管-MOS场效应管-桥堆生产厂家-深圳兆信半导体MXsemi

B772

SOT-89-3L

MXsemi

三极管(BJT)

1000个/圆盘

该SOT-89封装的高性能PNP型三极管，具备30V高耐压VCEO及3A大电流集电极能力，放大倍数稳定在160至320之间，适用于高增益、大电流开关与线性放大应用场合，是您电子设计和制造项目的优质之选。

MMBT4401

SOT-23

MXsemi

三极管(BJT)

3000个/圆盘

该SOT-23封装NPN型三极管，具备40V高耐压VCEO和0.6A集电极电流能力，放大倍数在100至300范围内可调，适用于中等电压、中等电流环境下的开关与线性放大电路设计，是电子设备及系统集成的理想半导体组件。

2SC1815

SOT-23

MXsemi

三极管(BJT)

3000个/圆盘

该SOT-23封装NPN型三极管，具备50V高耐压VCEO及0.15A集电极电流能力，其放大倍数宽范围可调（70-700），适用于中等电压、小电流环境下的灵活增益放大应用，是各类电子设备与精密电路设计的优选组件。

MMBTA06

SOT-23

MXsemi

三极管(BJT)

3000个/圆盘

该SOT-23封装NPN型三极管，具备80V高耐压VCEO及0.5A集电极电流规格，其放大倍数可在100至400之间调节，适用于高压、中等电流环境下的精密放大与开关应用，是电子设备电路设计的理想半导体元件。

MMBT2907A

SOT-23

MXsemi

三极管(BJT)

3000个/圆盘

本款SOT-23封装PNP型三极管，具有40V高耐压VCEO及0.6A集电极电流能力，放大倍数在100至300范围内可调，专为中等电压、中等电流应用环境下的高效放大与开关电路设计，是各类电子设备的理想半导体组件。

MMBTA44

SOT-23

MXsemi

三极管(BJT)

3000个/圆盘

这款高性能NPN型三极管采用紧凑型SOT-23封装，特别适合现代精密电路设计。器件具有高达350V的卓越集电极发射极击穿电压（VCEO）及0.2A连续集电极电流（IC），放大倍数在50至200之间，确保了强大的信号处理能力。适用于各类高耐压、中低电流应用环境，是您电子产品设计的理想三极管解决方案。

BCP53

SOT-23

MXsemi

三极管(BJT)

3000个/圆盘

该SOT-223封装PNP型三极管，具备80V高耐压VCEO和1A集电极电流，放大倍数范围63至250，适用于中高压、大电流环境下的开关及线性放大电路设计，是工业控制、电源管理等领域的重要半导体组件。

MMBT5401

SOT-23

MXsemi

三极管(BJT)

3000个/圆盘

该SOT-23封装PNP型三极管，具有150V高耐压VCEO及0.6A集电极电流，放大倍数在100至300之间可调，特别适用于高压、中等电流环境下的开关与线性放大应用，是您精密电子设备和电路设计的理想半导体元件。

SS8550

SOT-23

MXsemi

三极管(BJT)

3000个/圆盘

本款SOT-23封装PNP型三极管，具有25V耐压VCEO和1.5A集电极电流，放大倍数高达200至300，专为低至中等电压、大电流环境下的高增益放大及开关应用设计，是各类电子设备电路的理想半导体元件。

MMBTA05

SOT-23

MXsemi

三极管(BJT)

3000个/圆盘

本品是一款高性能NPN型三极管，采用小型SOT-23封装，适用于各类紧凑型电路设计。拥有60V的高集电极发射极耐压（VCEO）及0.5A的连续电流（IC），放大倍数范围在100至400之间，确保了卓越的信号放大能力，是您的电子设备的理想驱动选择。

BC856B

SOT-23

MXsemi

三极管(BJT)

3000个/圆盘

本款SOT-23封装PNP型三极管，拥有65V高耐压VCEO及0.1A集电极电流规格，其放大倍数高达200至450，特别适用于低电压、微电流环境下的高增益放大应用，是精密电子设备和小型化电路设计的理想半导体元件。

MMBT5551

SOT-23

MXsemi

三极管(BJT)

3000个/圆盘

此款SOT-23封装NPN型三极管，具备160V高耐压VCEO及0.6A集电极电流能力，放大倍数在100至300之间可调，适用于高压、中等电流环境下的线性放大与开关电路设计，是电子设备和工业控制的理想半导体器件。

S9015

SOT-23

MXsemi

三极管(BJT)

3000个/圆盘

此款SOT-23封装PNP型三极管，具有45V高耐压VCEO及0.1A集电极电流，放大倍数高达200至400，专为中等电压、微电流环境下的精密放大应用设计，是小型电子设备和高增益电路的理想半导体元件。

BC847A

SOT-23

MXsemi

三极管(BJT)

3000个/圆盘

此款SOT-23封装的NPN型三极管，具备45V高耐压VCEO和0.1A集电极电流，放大倍数在110至220范围内，尤其适合于中等电压、低电流应用环境下的精密放大与开关电路设计，是小型电子设备的理想半导体组件。

MMBTA42

SOT-23

MXsemi

三极管(BJT)

3000个/圆盘

本款SOT-23封装的NPN型三极管，具有300V高耐压VCEO和0.3A集电极电流能力，放大倍数在100至200之间可调，专为高压、低至中等电流应用设计，是您进行开关电路及精密放大器设计的理想半导体组件。

S9012

SOT-23

MXsemi

三极管(BJT)

3000个/圆盘

该款SOT-23封装PNP型三极管，具有25V的高击穿电压VCEO和0.5A集电极电流能力，放大倍数范围为120至400，适用于各类低功率、精密信号放大电路，提供优异的性能表现。

13001

SOT-23

MXsemi

三极管(BJT)

3000个/圆盘

该SOT-23封装NPN型三极管，拥有420V超高耐压VCEO及0.2A集电极电流，特别适用于高压环境下的开关与低增益放大应用，其放大倍数在18至30之间，是高电压、微电流电子设备的理想半导体组件。

BC817-40

SOT-23

MXsemi

三极管(BJT)

3000个/圆盘

该SOT-23封装NPN型三极管，拥有45V高耐压VCEO及0.5A集电极电流，具备出色的放大能力，放大倍数高达250至600，尤其适用于中等电压、中等电流环境下的高增益放大应用，是精密电子电路设计的理想选择。

MMBT3906

SOT-23

MXsemi

三极管(BJT)

3000个/圆盘

该SOT-23封装PNP型三极管，拥有40V高耐压VCEO和0.2A集电极电流，放大倍数在100至300之间可调，适用于中等电压、微电流环境下的精密放大与开关电路设计，是您电子设备项目的理想半导体组件。

S9013

SOT-23

MXsemi

三极管(BJT)

3000个/圆盘

该SOT-23封装的NPN型三极管，具备25V的VCEO耐压和0.5A的集电极电流，放大倍数在120至400之间，适合于低功耗、高增益应用场合，适用于各类精密电子设备及电路设计，是您微型化项目中的理想半导体元件。

BCP56

SOT-223

MXsemi

三极管(BJT)

1000个/圆盘

该SOT-223封装的NPN型三极管，具备80V高耐压VCEO和1A集电极电流能力，放大倍数在63至250之间可调，适用于高压、大电流环境下的开关及线性放大电路设计，是各类电子设备与工业控制应用的理想选择。

2SC1623

SOT-23

MXsemi

三极管(BJT)

3000个/圆盘

该SOT-23封装NPN型三极管，具备50V高耐压VCEO和0.1A集电极电流能力，其放大倍数宽幅可调（90-600），专为中等电压、微小电流环境下的高增益放大与开关应用设计，是精密电子设备及电路的理想半导体元件。

BC807-40

SOT-23

MXsemi

三极管(BJT)

3000个/圆盘

此款SOT-23封装PNP型三极管，具有45V高耐压VCEO和0.5A集电极电流，提供高达250至600的放大倍数，适用于中高压、中等电流环境下的高效放大应用，是精密电子设备与电路设计的理想选择。

S9014

SOT-23

MXsemi

三极管(BJT)

3000个/圆盘

该款SOT-23封装NPN型三极管，具有45V高击穿电压VCEO及0.1A集电极电流承载力，放大倍数范围宽广（200-400），特别适用于要求高增益、低功耗的电子电路中，提供精密信号放大功能。