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三极管(BJT)
型号
封装
品牌
分类
圆盘信息
描述
SOT-23
MXsemi
三极管(BJT)
3000个/圆盘
本款SOT-23封装NPN型三极管,具有25V高耐压VCEO及1.5A大电流处理能力,放大倍数稳定在200至300区间,特别适用于需要高效能、大电流信号放大的电子应用场合。
TO-92
MXsemi
三极管(BJT)
1000个/圆盘
开关应用音频放大器电源管理信号处理光耦合器后级驱动逻辑电平转换
SOT-363
MXsemi
三极管(BJT)
3000个/圆盘
该款SOT-363封装的双PNP三极管,每单元具有150V高耐压VCEO和0.2A集电极电流容量,放大倍数范围在100至300之间,专为高电压、低功耗应用设计,是构建高效互补电路的理想选择。
SOT-23
MXsemi
三极管(BJT)
3000个/圆盘
这款NPN型三极管采用小型SOT-23封装,专为高效空间利用而设计。器件具备11V的集电极发射极击穿电压(VCEO)和0.1A的连续集电极电流(IC),放大倍数在50至250之间,提供稳定的信号放大性能。适用于各类低电压、小电流电子应用场合,是您电路设计的理想三极管选择。
SOT-23
MXsemi
三极管(BJT)
3000个/圆盘
该款SOT-23封装PNP型三极管,具备60V高耐压VCEO及1A大电流处理能力,放大倍数在100至300区间,适合高压、大电流应用场景,为您的电子设计提供高效、稳定的信号放大和切换控制。
SOT-89
MXsemi
三极管(BJT)
1000个/圆盘
这款SOT-89封装的高性能NPN三极管,具有50V的VCEO击穿电压和高达2A的连续电流能力,放大倍数在120至240之间,适用于高电流应用场合,提供稳定的信号放大及高效开关控制功能。
SOT-23
MXsemi
三极管(BJT)
3000个/圆盘
此款SOT-23封装NPN型三极管,具备50V高耐压VCEO和0.15A集电极电流,放大倍数宽广(130-400),尤其适合于精密、低功耗电子系统中,提供高度可调的信号放大性能。
SOT-23
MXsemi
三极管(BJT)
3000个/圆盘
该SOT-23封装NPN型三极管,具有65V高耐压VCEO及0.1A集电极电流,放大倍数在110至220之间可调,专为中等电压、微电流环境下的精密放大与开关应用设计,是小型电子设备和高精度电路的理想半导体组件。
SOT-23
MXsemi
三极管(BJT)
3000个/圆盘
该款SOT-23封装的高性能NPN三极管,具有100V高耐压VCEO和1A大电流承载力,放大倍数在100至300之间,特别适用于高压、大电流应用环境,提供强大且稳定的信号放大功能。
TO-220
MXsemi
三极管(BJT)
2500个/圆盘
此款TO-220封装PNP型三极管,具备100V高耐压VCEO及6A大电流集电极能力,放大倍数在15至75范围内,适用于大功率开关电路与中等放大需求,是工业控制、电源转换等领域不可或缺的半导体元件。
SOT-89-3L
MXsemi
三极管(BJT)
1000个/圆盘
这款SOT-89封装的PNP型三极管,拥有25V的VCEO耐压值和1.5A的稳定集电极电流IC,其放大倍数范围在200至300之间,适用于高增益、大电流应用场景,是您电子设计与制造的理想选择。
SOT-23
MXsemi
三极管(BJT)
3000个/圆盘
此款SOT-23封装NPN型三极管,具备25V高耐压VCEO及0.05A集电极电流规格,放大倍数在100至200之间,专为低电压、微电流应用环境下的精密放大与开关电路设计,是小型电子设备的优选半导体元件。
SOT-23
MXsemi
三极管(BJT)
3000个/圆盘
该SOT-23封装NPN型三极管,拥有15V的VCEO耐压值及0.05A的集电极电流规格,放大倍数在70至200之间可调,专为低电压、微电流和高精度放大应用设计,是小型电子设备与精密电路的理想选择。
SOT-23
MXsemi
三极管(BJT)
3000个/圆盘
这款SOT-23封装的PNP型三极管,具有高达300V的卓越VCEO耐压和0.2A集电极电流能力,放大倍数在100至200之间,特别适合于高电压、低至中等电流应用环境下的精密放大及开关电路设计,是您高压电子设备项目的优选组件。
SOT-23
MXsemi
三极管(BJT)
3000个/圆盘
音频放大器直流电机控制逻辑电平转换LED驱动器电源开关线性应用脉冲宽度调制(PWM)电路
SOT-89-3L
MXsemi
三极管(BJT)
1000个/圆盘
这款SOT-89封装的高性能NPN型三极管,具备25V的VCEO耐压和1.5A的集电极电流能力,其放大倍数稳定在200至300区间,特别适用于高增益、中等电流应用场合,是您电子设计与制造的理想半导体组件。
SOT-363
MXsemi
三极管(BJT)
3000个/圆盘
这款SOT-363封装的双PNP三极管,每个PNP单元具有40V的VCEO和0.2A的IC,放大倍数在100至300之间,适用于精密信号处理和低功耗电路设计,提供优异的对称性放大功能。
SOT-23
MXsemi
三极管(BJT)
3000个/圆盘
该款SOT-23封装PNP型三极管,具有20V的VCEO电压和高达1.5A的连续集电极电流,放大倍数范围宽广(300-600),尤其适合高增益、大电流应用场合,提供出色的信号放大性能。
SOT-89-3L
MXsemi
三极管(BJT)
1000个/圆盘
此款SOT-89封装的高性能NPN型三极管,具有30V高耐压VCEO及3A大电流集电极能力,放大倍数范围160至320,适用于中等电压、大电流环境下的开关与线性放大应用,是电子设备高效能电路设计的理想组件。
SOT-363
MXsemi
三极管(BJT)
3000个/圆盘
此款SOT-363封装的NPN+PNP双极型三极管,单个单元具备40V的VCEO和0.2A的最大集电极电流,放大倍数在100至300之间,适用于各种互补对称电路设计,提供高效、精准的信号放大与反相功能。
SOT-89-3L
MXsemi
三极管(BJT)
1000个/圆盘
该SOT-89封装NPN型三极管,具备80V高耐压VCEO及1A稳定集电极电流,放大倍数在63至250区间可调,适用于高压、中等电流应用场景的开关与线性放大电路设计,是电子工程师进行高性能设备研发的理想之选。
SOT-23
MXsemi
三极管(BJT)
3000个/圆盘
此款SOT-23封装NPN型三极管,拥有50V高耐压VCEO和0.15A集电极电流规格,其放大倍数在70至700间可调,适用于多种电压与小电流应用环境下的精密放大电路设计,是电子工程师的理想半导体元件。
SOT-23
MXsemi
三极管(BJT)
3000个/圆盘
此款SOT-23封装的PNP三极管,具备40V高击穿电压VCEO和1.5A大电流承载能力,放大倍数高达300至480,尤其适用于需要高增益、大电流处理能力的电子电路中,提供卓越的信号放大功能。
SOT-23
MXsemi
三极管(BJT)
3000个/圆盘
该款SOT-23封装PNP型三极管,具有40V高耐压VCEO及0.6A集电极电流能力,放大倍数范围100至300,适用于中等电压、较大电流环境下的高效放大与开关电路设计,是电子设备和系统集成的理想半导体元件。
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