二极管-三极管-晶体管-MOS场效应管-桥堆生产厂家-深圳兆信半导体MXsemi

MMBTA42

SOT-23

MXsemi

三极管(BJT)

3000个/圆盘

本款SOT-23封装的NPN型三极管，具有300V高耐压VCEO和0.3A集电极电流能力，放大倍数在100至200之间可调，专为高压、低至中等电流应用设计，是您进行开关电路及精密放大器设计的理想半导体组件。

S9012

SOT-23

MXsemi

三极管(BJT)

3000个/圆盘

该款SOT-23封装PNP型三极管，具有25V的高击穿电压VCEO和0.5A集电极电流能力，放大倍数范围为120至400，适用于各类低功率、精密信号放大电路，提供优异的性能表现。

13001

SOT-23

MXsemi

三极管(BJT)

3000个/圆盘

该SOT-23封装NPN型三极管，拥有420V超高耐压VCEO及0.2A集电极电流，特别适用于高压环境下的开关与低增益放大应用，其放大倍数在18至30之间，是高电压、微电流电子设备的理想半导体组件。

BC817-40

SOT-23

MXsemi

三极管(BJT)

3000个/圆盘

该SOT-23封装NPN型三极管，拥有45V高耐压VCEO及0.5A集电极电流，具备出色的放大能力，放大倍数高达250至600，尤其适用于中等电压、中等电流环境下的高增益放大应用，是精密电子电路设计的理想选择。

MMBT3906

SOT-23

MXsemi

三极管(BJT)

3000个/圆盘

该SOT-23封装PNP型三极管，拥有40V高耐压VCEO和0.2A集电极电流，放大倍数在100至300之间可调，适用于中等电压、微电流环境下的精密放大与开关电路设计，是您电子设备项目的理想半导体组件。

S9013

SOT-23

MXsemi

三极管(BJT)

3000个/圆盘

该SOT-23封装的NPN型三极管，具备25V的VCEO耐压和0.5A的集电极电流，放大倍数在120至400之间，适合于低功耗、高增益应用场合，适用于各类精密电子设备及电路设计，是您微型化项目中的理想半导体元件。

BCP56

SOT-223

MXsemi

三极管(BJT)

1000个/圆盘

该SOT-223封装的NPN型三极管，具备80V高耐压VCEO和1A集电极电流能力，放大倍数在63至250之间可调，适用于高压、大电流环境下的开关及线性放大电路设计，是各类电子设备与工业控制应用的理想选择。

2SC1623

SOT-23

MXsemi

三极管(BJT)

3000个/圆盘

该SOT-23封装NPN型三极管，具备50V高耐压VCEO和0.1A集电极电流能力，其放大倍数宽幅可调（90-600），专为中等电压、微小电流环境下的高增益放大与开关应用设计，是精密电子设备及电路的理想半导体元件。

BC807-40

SOT-23

MXsemi

三极管(BJT)

3000个/圆盘

此款SOT-23封装PNP型三极管，具有45V高耐压VCEO和0.5A集电极电流，提供高达250至600的放大倍数，适用于中高压、中等电流环境下的高效放大应用，是精密电子设备与电路设计的理想选择。

S9014

SOT-23

MXsemi

三极管(BJT)

3000个/圆盘

该款SOT-23封装NPN型三极管，具有45V高击穿电压VCEO及0.1A集电极电流承载力，放大倍数范围宽广（200-400），特别适用于要求高增益、低功耗的电子电路中，提供精密信号放大功能。

BC817-25

SOT-23

MXsemi

三极管(BJT)

3000个/圆盘

本款SOT-23封装NPN型三极管，具有45V高耐压VCEO及0.5A集电极电流能力，放大倍数范围160至400，适用于中等电压、中等电流环境下的高效放大与开关应用，是电子设备设计和制造的理想半导体器件。

S8050

SOT-23

MXsemi

三极管(BJT)

3000个/圆盘

此款SOT-23封装的NPN型三极管，具有25V的高耐压值VCEO及0.5A的集电极电流IC，其放大倍数稳定在200至300之间，适用于低功耗、高增益电路设计，是各类精密电子设备和小型化项目的优质选择。

MMBT3904

SOT-23

MXsemi

三极管(BJT)

3000个/圆盘

本款SOT-23封装NPN型三极管，具有40V高耐压VCEO及0.2A集电极电流，放大倍数在100至300之间可调，专为中等电压、微至小电流应用环境设计，是您进行精密放大与开关电路的理想半导体器件。