语言：中文

首页 > 场效应管(MOSFET)
全部分类
场效应管(MOSFET)
型号
封装
品牌
分类
圆盘信息
描述
MX60N03D
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压30V，具备60A大电流处理能力，专为高功率、高效能的电源转换与电机驱动等应用设计，提供卓越的开关性能及低损耗特性。
MX2300AI
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该消费级N沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，针对20V电压系统设计，提供高达6A的连续电流处理能力。具有卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及各类高效率电子应用中，实现高效能、稳定的功率转换与控制。
MX80N03D
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
这款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，具有30V额定电压和80A强大连续电流能力，专为高效能电源转换、大电流电机驱动等应用设计，提供卓越的开关性能与低损耗优势，满足高端消费电子设备需求。
FDV303N
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该款消费级N沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，适用于20V电压系统，额定电流为2.3A。拥有出色的低导通电阻和快速开关性能，特别适合应用于充电器、电源管理模块以及各类高效电子设备中，实现精确、节能的功率控制与转换。
AOD407
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
此款消费级P沟道MOSFET封装为TO-252-2L，工作电压高达60V，可稳定处理10A电流。专为中高压环境下消费电子设备的电源管理设计，以实现高效、稳定的开关控制，是优化系统性能的理想半导体元件。
AO4468
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
本款消费级N沟道MOSFET采用SOP-8封装，额定电压30V，连续电流为8.5A。适用于低至中等功率的电源转换、负载开关控制及电池管理系统应用，提供紧凑尺寸与高效能，是现代电子设备的理想选择。
AO4812
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
本款消费级N+N沟道MOSFET采用SOP-8封装，集成双通道技术，额定电压30V，连续电流6A。专为高效电源转换、负载均衡及电池管理系统设计，实现小型化与节能优化，是现代电子设备的理想半导体组件。
IRLR8726TRPBF
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
这款消费级MOSFET采用先进的TO-252-2L封装，具备N沟道特性，额定电压30V，持续电流高达100A，适用于各类高效率电源转换与开关控制场景，性能稳定，节能高效。
AO4828
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
这款高性能消费级MOSFET采用SOP-8封装，集成双N沟道设计，适用于60V高电压应用环境，最大连续电流可达6.5A。适合于充电器、电源转换、逆变器等高效能电路中，提供低导通电阻和快速开关特性，有效提升系统效率，是现代节能电子设备的理想功率管理组件。
AO3414
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
这款消费级N沟道MOSFET采用小型SOT-23封装，适用于20V电压系统，具备2.3A连续电流处理能力。特别设计用于电池管理、电源开关及高效能电子设备中，具有出色的低导通电阻和快速切换性能，实现卓越的功率转换与控制效能。
AOD442
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
此款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，具有60V工作电压和高达50A的大电流处理能力。专为优化现代消费电子产品开关性能设计，具备高效能、低损耗特点，显著提升系统效能与稳定性，是电源管理方案的理想核心组件。
AON3419
DFN-8L(3x3)
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
这款消费级P沟道MOSFET采用DFN3X3-8L封装，具有紧凑且高效的特点。额定电压30V，连续电流高达32A，适用于空间受限的电源转换、负载开关控制及电池管理系统应用场合，提供卓越的低导通电阻和高功率密度解决方案。
IRLML5103PBF
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
IRLML5103PbF是一款P沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，特别适用于空间有限的电路设计。该器件具有30V的额定电压VDSS，提供4.1A的连续电流ID，并且其导通电阻仅为48mR，保证了在中等功率应用中的高效能与低损耗。广泛应用于电源开关、电池保护电路以及各类负载驱动系统中，是电子工程师设计高效能方案的优选半导体元器件。
AO3407A
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
这款消费级P沟道MOSFET采用小巧的SOT-23封装，专为高效电源管理和负载开关应用设计。额定电压高达30V，持续电流可达4.1A，是低电压、大电流解决方案的理想选择，适用于各类便携式和空间受限电子设备的电路控制。
Si2301BDS
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
Si2301BDS是一款采用SOT-23封装的小型P沟道MOSFET，专为精密电源管理和便携式电子设备设计。其特色在于20V的最大工作电压VDSS，能稳定传输高达3A的连续电流，且导通电阻仅为60mR（RD(on)），实现了高效能与低功耗的完美结合。这款MOS管凭借其小巧的体积、优良的电气性能，适用于电池保护、DC/DC转换器及其他空间有限的电路应用。
IRLML2402TRPBF
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，额定电压20V，可承载2.3A连续电流，适用于各类低电压、高效率电子应用。具备低导通电阻及快速开关特性，广泛应用于充电器、电源管理及小型化设备的功率控制，提升系统效能。
HN6971
DFN-8L(3x3)
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
本款消费级P沟道MOSFET采用DFN3X3-8L封装，具有60V额定电压和20A连续电流处理能力。专为紧凑型、高效电源转换、负载开关控制及电池管理系统设计，实现卓越的空间利用率与能效表现。
7N65
TO-220F
MXsemi
场效应管(MOSFET)
50个/圆盘
这款消费级N沟道MOSFET采用TO-220F封装，拥有高达650V的击穿电压和7A连续电流承载能力，适用于高电压、大电流电子设备的电源转换与开关控制应用。卓越性能，满足严苛电路需求。
IRLR8726T
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，具备30V额定电压及高达80A连续电流承载能力，专为大电流、高效率电源转换和电机驱动等应用设计，提供卓越的开关性能与低损耗表现。
MX20N03D
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
这款消费级MOSFET采用先进的TO-252-2L封装，是一款高性能N沟道器件，额定电压高达30V，持续电流容量为20A，适用于各类中低压开关电路，为电子产品提供高效、稳定的功率管理解决方案。
20P03
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
本款消费级P沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，具备30V工作电压及20A电流承载力。专为低电压、高效能的消费电子开关应用设计，显著提升系统稳定性与节能效果，是优化电源转换方案的理想半导体组件选择。
IRLML2246TRPBF
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
这款消费级P沟道MOSFET采用小型SOT-23封装，专为便携式和空间受限设计的高效能电路打造。器件提供20V额定电压及高达2.3A连续电流承载能力，具备低导通电阻特性，适用于电源开关、电池管理系统及各类移动设备的电源路径控制，实现卓越的能源效率与可靠性。
SI2333CDS
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
这款消费级P沟道MOSFET采用小型SOT-23封装，额定电压为20V，具备高达7A的大电流承载能力。凭借其低导通电阻与快速开关特性，广泛应用于电池保护、电源转换等高效率电子设备中，实现稳定可靠的功率控制。
BSS138NH6327
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
这款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，耐压高达50V，额定电流为0.2A。适合于电池保护、信号切换等低电流应用场合，具备低导通电阻和快速开关性能，是电子设备中实现精细功率控制的理想选择。
1...1920212223...28 共 671 条
cache
Processed in 0.006889 Second.