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场效应管(MOSFET)
型号
封装
品牌
分类
圆盘信息
描述
BSS83PH6327
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该款消费级P沟道MOSFET采用小型SOT-23封装，额定电压60V，提供2A电流处理能力。具备低导通电阻与快速开关特性，适用于充电器、电源转换等场合，为电子设备带来高效、稳定的功率控制解决方案。
AO3401
SOT-23-3L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
此款消费级MOSFET封装为SOT-23-3L，采用P沟道设计，具有30V的击穿电压及4.2A的最大连续电流能力，适用于各类电源开关控制和转换应用。凭借其紧凑尺寸与卓越性能，成为电子设备高效能、低损耗解决方案的理想选择。
SI2304A
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该消费级N沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，额定电压30V，提供高达5.8A的大电流处理能力。具备低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电器、电源转换及高功率电子设备中，实现高效能与稳定的功率控制功能。
FDN359BN
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，适用于30V电压环境，具备5.8A大电流处理能力。凭借其低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于充电器、电源管理及各类高效率电子设备中，实现精准可靠的功率转换与控制功能。
AO3404
SOT-23-3L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
这款消费级MOSFET采用紧凑型SOT-23-3L封装，拥有N沟道构造，额定电压高达30V，能承载5A稳定电流，适用于各类电子设备的电源开关与转换控制。其优良性能和小巧体积，为电路设计提供高效、可靠的功率管理解决方案。
IRFR5305TRPBF
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
本款消费级P沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压60V，提供高效稳定的20A电流处理能力。专为中高压开关应用设计，广泛应用于各类消费电子产品，实现卓越的电源转换效率与系统稳定性表现。
DMP3056L-7
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该款消费级P沟道MOSFET采用小型SOT-23封装，专为30V电压系统设计，具备4.2A高电流处理能力。具有出色的低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于充电器、电源管理及各类电子设备中，提供高效、可靠的功率转换与控制功能。
SI2309A
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，专为60V电压系统设计，额定电流1.6A。具有低导通电阻和快速开关性能，适用于充电器、电源转换等应用，提供高效能、稳定的功率控制解决方案。
AO3401
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，适用于30V电压系统，提供4.2A大电流处理能力。具备出色的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电器、电源转换等场合，实现高效能、稳定可靠的功率控制。
MX2310AI
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，专为60V电压应用设计，额定电流高达3A。具备出色的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电器、电源管理等场景，提供高效能、稳定的功率转换与控制解决方案。
NTMFS4C03N
DFN-8L(5x6)
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
此款消费级N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装，额定电压30V，峰值电流高达150A。专为高效能电源转换、大电流电机驱动和电池管理系统设计，具备卓越的功率处理能力和热稳定性，是现代高密度电子设备的理想之选。
BSC070N10NS3G
DFN-8L(5x6)
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
此款消费级N沟道MOSFET采用小型化DFN5X6-8L封装，具有优越的散热性能。其规格为100V漏源电压和75A连续电流，特别适合于空间紧凑、高效率要求的电源转换、负载开关及电池管理系统等应用场景，提供卓越的功率处理能力与可靠性。
AOD609
TO-252-4L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
本款消费级N+P沟道MOSFET采用TO-252-4L封装，额定电压40V，具备稳定高效的20A电流处理能力。专为中低压双极性电源转换应用设计，广泛应用于各类消费电子产品，确保卓越的能效与系统稳定性表现。
MX6020GD
TO-252-4L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
本款消费级N+P沟道MOSFET采用TO-252-4L封装，具备60V高耐压及强大的20A电流处理能力。专为中高压双极性电源转换应用设计，广泛应用于各类消费电子产品，实现高效能、低损耗的电路控制与优化。
MX50N06D
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
这款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压60V，峰值电流高达50A。专为提升电源转换效率和开关性能设计，适用于各类电子设备，以强大的电流承载能力和卓越的能效表现，实现高效、稳定运行。
BSC067N06LS3G
DFN-8L(5x6)
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
此款消费级N沟道MOSFET采用先进的DFN5X6-8L封装，拥有出色的散热性能与紧凑尺寸。额定电压为60V，连续电流高达80A，特别适合于高效电源转换、大电流负载开关控制及电池管理系统等应用，提供卓越的功率密度和稳定性。
MX2333MI
SOT-23-3L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
这款消费级MOSFET采用SOT-23-3L封装，具有P沟道结构，工作电压高达20V，最大连续电流7A，适用于各种电源转换和开关控制应用。紧凑设计结合卓越性能，为电子设备提供高效率、低损耗的功率管理方案。
MX30N10D
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
本款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，具有100V高耐压及30A大电流处理能力，专为高效能电源转换、电机驱动等应用设计，提供低损耗、快速响应的开关控制功能，满足高功率电子设备需求。
MX6956
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
此款消费级N沟道MOSFET采用先进TO-252-2L封装，拥有60V最大耐压及高达50A的持续电流能力。专为各类中高端消费电子产品设计，能显著提升开关电路效率，保证系统稳定运行，是您优化电源管理方案的理想之选。
FDS4435A
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
此款消费级P沟道MOSFET采用SOP-8封装，专为30V电压系统设计，具备9A大电流处理能力。具有低导通电阻和优良的开关性能，适用于电池保护、电源控制及各类中高功率应用场合，是提升消费电子设备能效的理想之选。
MX50P02D
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
本款消费级P沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，具备20V工作电压及高达50A的大电流处理能力。专为低压、高电流应用的消费电子产品设计，提供卓越开关性能与能效表现，是优化电源转换和系统稳定性的理想半导体元件选择。
SSM3J328R
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，专为18V电压系统设计，提供高达7A的连续电流处理能力。具备低导通电阻与快速开关特性，广泛应用于电池保护、电源管理等领域，实现高效可靠的功率转换与控制功能。
MX3415MI
SOT-23-3L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
这款消费级MOSFET采用小型SOT-23-3L封装，内建P沟道技术，工作电压为20V，最大连续电流4.1A，适用于各类电子设备的电源管理和高效开关应用。凭借其紧凑尺寸和优良性能，有效提升系统效率并确保稳定运行。
2N60L
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
本款消费级N沟道MOSFET采用紧凑型TO-252-2L封装，额定耐压高达650V，可稳定处理2A电流。专为高效能、低损耗的高压开关应用设计，广泛适用于各类消费电子产品，是优化电源管理方案、提升系统可靠性的理想半导体元件。
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