二极管-三极管-晶体管-MOS场效应管-桥堆生产厂家-深圳兆信半导体MXsemi

30N03A

TO-252-2L

MXsemi

场效应管(MOSFET)

2500个/圆盘

该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压30V，最大连续电流高达100A，专为高功率、大电流应用设计，如电源转换和电机驱动，提供卓越的开关性能及低损耗表现。

MX50P03DF

DFN-8L(3x3)

MXsemi

场效应管(MOSFET)

5000个/圆盘

此款消费级P沟道MOSFET采用紧凑型DFN3X3-8L封装，额定电压30V，具备高达50A连续电流处理能力。专为高功率密度应用设计，广泛应用于电源转换、负载开关控制及电池管理系统中，实现卓越能效与空间节省。

MX3404MI

SOT-23-3L

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23-3L封装，专为30V电压系统设计，具备5A强大电流承载力。具有低导通电阻与快速开关特性，广泛应用于充电器、电源转换等设备中，实现高效能、稳定的功率控制功能。

SI4559ADY

SOP-8

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

这款消费级N+P沟道MOSFET采用SOP-8封装，适用于60V电压环境，额定电流6A。双通道设计支持正负电压控制，广泛应用于电池管理、电源转换器等场景，具备低导通电阻和高效开关性能，是现代电子设备理想的双向功率开关组件。

SI2301

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，适用于20V电压系统，提供3A电流承载能力。具有低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电器、电源管理等领域，实现高效、稳定的功率转换与控制功能。

AOD4132

TO-252-2L

MXsemi

场效应管(MOSFET)

2500个/圆盘

该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压30V，最大连续电流100A，适用于高功率电源转换、电机驱动等应用，提供低阻抗、高效能的开关控制功能，满足大电流系统需求。

AON6362

DFN-8L(5x6)

MXsemi

场效应管(MOSFET)

5000个/圆盘

本款消费级N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装，额定电压30V，连续电流高达70A。专为高功率密度和高效能应用设计，适用于电源转换、电机驱动及电池管理系统，提供卓越的散热性能与空间利用率。

HN2194

DFN-8L(3x3)

MXsemi

场效应管(MOSFET)

5000个/圆盘

本款消费级N+P沟道MOSFET采用DFN3X3-8L封装，集成双通道驱动，额定电压30V，连续电流16A。专为高效、空间有限的电源转换、负载控制及电池管理系统设计，实现卓越的能效与紧凑布局，满足现代电子设备的多元化需求。

DMN26D0UFB4-7

DFN1006-3L

MXsemi

场效应管(MOSFET)

10000个/圆盘

此款消费级N沟道MOSFET采用超微型DFN1006-3L封装，额定电压20V，最大连续电流0.7A。专为低功耗、紧凑型电路设计，适用于小型电源转换、信号切换及电池保护应用，提供卓越的能效和空间利用率。

12N65

TO-220F

MXsemi

场效应管(MOSFET)

50个/圆盘

该消费级N沟道MOSFET采用TO-220F封装，具备650V高耐压及12A大电流承载能力，专为高功率电子设备设计，应用于电源转换、电机驱动等场合，提供卓越的开关性能和稳定可靠的功率管理方案。

IRFP450

TO-247S

MXsemi

场效应管(MOSFET)

30个/圆盘

本款消费级N沟道MOSFET采用TO-247S封装，具有500V高耐压及14A大电流承载能力，适用于高压电源转换、电机驱动等应用场合，提供高效能开关控制与卓越的功率管理解决方案。

MX3407MI

SOT-23-3L

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

本款消费级MOSFET采用SOT-23-3L封装，搭载P沟道技术，额定电压为30V，连续电流高达4.1A，适用于各类电源管理和电子设备开关应用。凭借其小巧尺寸和高效性能，可实现高稳定性和低损耗的电路设计。

MX100N03D

TO-252-2L

MXsemi

场效应管(MOSFET)

2500个/圆盘

该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压30V，峰值电流高达100A，专为高功率应用如电源转换、大电流电机驱动设计，提供低损耗、高效能的开关控制性能。

MX6800LI

SOT-23-6L

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

该消费级MOSFET采用SOT-23-6L封装，集成双N沟道设计，额定电压30V，连续电流可达4.5A，适用于各类电源管理与高效切换应用。其紧凑结构及卓越性能，为电子设备提供理想的双通道功率控制解决方案。

IRFR5305T

TO-252-2L

MXsemi

场效应管(MOSFET)

2500个/圆盘

本款消费级P沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，具备60V高耐压及高效能的20A电流处理能力。专为中高压开关应用设计，广泛应用于各类消费电子产品中，有效提升电源转换效率与系统稳定性，是优化电路性能的理想半导体器件。

SI2307A

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

该款消费级P沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，专为30V电压系统设计，具有4.2A大电流处理能力。具备出色的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电器、电源转换等场合，提供高效、稳定的功率控制解决方案。

MX3401MI

SOT-23-3L

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

此款消费级MOSFET采用SOT-23-3L封装，拥有P沟道技术，额定电压高达30V，可承载4.2A连续电流，适用于各类电源转换和开关控制场景。其精巧体积与卓越性能相结合，为电子设备提供高效、稳定的功率管理方案。

MX2301AI

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

该款消费级P沟道MOSFET采用小型SOT-23封装，专为20V电压系统设计，额定电流为3A。具备出色的低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于充电设备、电源转换等场合，提供高效能、可靠的功率控制解决方案。

AO4459

SOP-8

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

这款消费级P沟道MOSFET采用SOP-8封装，专为低电压、高效率应用设计。额定电压30V，连续电流高达5A，适用于电池保护、负载开关及电源管理等领域。其优越的导通电阻和快速切换性能确保了在低压电路中的出色能效与稳定性。

MX2302AI

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

此款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，专为20V电压系统设计，额定电流高达3A。具备出色的低导通电阻与快速开关特性，广泛应用于充电器、电源管理及各类电子设备中，提供高效能、稳定可靠的功率转换和控制功能。

MX3N10AI

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

该消费级N沟道MOSFET采用小型化SOT-23封装，适用于100V电压系统，额定电流高达3A。专为电池管理、信号切换等应用设计，具有卓越的低导通电阻与快速开关性能，是现代电子设备中理想的高效能半导体功率开关组件。

MX4402S

SOP-8

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

此款消费级N沟道MOSFET采用SOP-8封装，额定电压20V，连续电流高达20A。专为中等功率电子设备设计，应用于电源转换、负载开关控制及电池管理系统，具备高集成度与优良能效表现，实现紧凑而强大的半导体解决方案。

BSS308PEH6327

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，专为30V电压系统打造，具备4.2A大电流处理能力。凭借低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电器、电源转换等领域，提供高效能、稳定可靠的功率控制解决方案。

IRFR024NT

TO-252-2L

MXsemi

场效应管(MOSFET)

2500个/圆盘

这款消费级MOSFET采用TO-252-2L封装，是一款高性能N沟道半导体器件，具备60V的最大工作电压及30A连续电流处理能力。适用于各类电源转换、开关电路等应用场合，以其出色的能效、高可靠性与紧凑设计，有效提升电子设备性能表现。