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场效应管(MOSFET)
型号
封装
品牌
分类
圆盘信息
描述
10N65
TO-220F
MXsemi
场效应管(MOSFET)
50个/圆盘
该消费级N沟道MOSFET采用TO-220F封装，具备650V高耐压及10A大电流处理能力，专为高效能电子设备设计，应用于电源转换、电机驱动等领域，提供出色的开关性能和稳定的功率管理方案。
IRLR7843TRPBF
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压30V，峰值电流高达120A，专为高功率、大电流应用场景设计，如电源转换器和电机控制器，提供卓越的开关性能与低损耗优势。
MX4812S
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
此款消费级N+N沟道MOSFET采用SOP-8封装，集成双通道设计，额定电压30V，连续电流6A。专为现代电子设备的高效电源转换、负载平衡及电池管理系统打造，提供紧凑、节能的半导体解决方案。
9435
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该款消费级P沟道MOSFET采用小型化SOP-8封装，额定电压30V，支持5A连续电流，特别适用于电池管理系统、电源切换和负载控制。器件具有优越的开关速度与低导通电阻特性，确保在各类电子设备中实现高效能与可靠运作。
BS170FTA
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，额定电压60V，电流容量为0.3A。专为低至中等功率应用设计，具备优秀的开关性能与低导通电阻，广泛应用于电池管理、信号切换等领域，实现精准的功率控制和高效能运作。
MX70P03D
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
本款消费级P沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，拥有30V工作电压和高达70A的大电流处理能力。专为高性能、高负载消费电子产品设计，实现卓越的开关效率与稳定性，是在低压环境优化电源管理的理想半导体器件选择。
2N7002W
SOT-323
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该消费级N沟道MOSFET采用微型SOT-323封装，具备60V高耐压性能，最大连续电流为0.1A，专为低功耗电子设备设计，适用于精密电源管理与高效开关控制。小巧尺寸结合卓越效能，提供灵活且可靠的电路解决方案。
IRLML2502TRPBF
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
此款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，额定电压20V，最大连续电流6A。专为高效能电子应用设计，具备低导通电阻与快速开关性能，适用于充电器、电源转换等领域，实现精准可靠的功率控制与管理。
MX4020NF
DFN5X6-8L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
这款消费级N+P沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装，集成双通道技术，额定电压40V，连续电流30A。专为高效电源转换、负载控制及电池管理系统设计，提供紧凑型解决方案，实现卓越能效与空间节省。
AO3407
SOT-23-3L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
这款消费级P沟道MOSFET封装为SOT-23-3L，额定电压高达30V，连续电流承载能力为4.1A，适用于各类电源转换和开关控制场景。其精巧尺寸与卓越性能相融合，为电子设计提供高效、稳定的功率管理解决方案。
BSS84LT1G
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，额定电压50V，适用于低电流应用场合，提供0.1A电流处理能力。具备低导通电阻和快速开关特性，尤其适合电池保护、智能设备中的精细功率控制需求。
MX3134CI
SOT-523
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
本款消费级N沟道MOSFET采用微型SOT-523封装，额定电压20V，最大连续电流0.8A，专为低功耗电子设备设计。其卓越的开关性能与小巧体积相结合，适用于高集成度电源管理和精细控制应用。
SI2333
SOT-23-3L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该消费级MOSFET采用紧凑型SOT-23-3L封装，拥有P沟道特性，额定电压20V，可稳定承载7A电流，适用于各类电子设备的电源管理与高效开关应用。其卓越性能和小巧尺寸，为设计提供理想的低导通电阻和高可靠性解决方案。
MX100N03DF
DFN-8L(3x3)
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
这款消费级N沟道MOSFET采用极致紧凑DFN3X3-8L封装，额定电压30V，峰值电流高达100A。专为高功率密度和空间有限的应用设计，如电源转换、负载开关控制以及电池管理系统，实现卓越的电流承载能力与节能效果。
5N10
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该款消费级N沟道MOSFET采用精巧SOT-23封装，专为100V电压应用设计，具备5A高连续电流承载能力。凭借其卓越的低导通电阻与快速开关性能，广泛应用于电池保护、电源转换和各类高效能电子设备中，实现精确可靠的功率控制。
BSS138
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，适用于50V电压系统，额定电流为0.2A。具有出色的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于电池保护、信号切换等低功率场景，提供高效且精准的功率控制解决方案。
SI2333
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该消费级P沟道MOSFET采用小型化SOT-23封装，专为20V电压系统设计，额定电流高达7A。具备低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于电池保护、电源管理及各类高效率电子设备中，实现精准可靠的功率转换与控制功能。
SI2310
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，额定电压60V，最大连续电流3A。具有低导通电阻和快速开关性能，适用于充电器、电源转换等应用场合，为各类电子设备提供高效稳定的功率控制解决方案。
2N7002T
SOT-523
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该消费级N沟道MOSFET采用SOT-523微型封装，具有60V高耐压和0.1A电流处理能力，专为紧凑型、低功耗电子设备设计，实现精细电源管理与高效开关功能。
DMP3099L-7
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，适用于30V电压系统，提供高达4.2A的连续电流处理能力。具备低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于充电器、电源转换等场景，实现高效能与稳定可靠的功率控制功能。
NVTFS5116PL
DFN-8L(3x3)
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
本款消费级P沟道MOSFET采用超小型DFN3X3-8L封装，具备60V额定电压及20A连续电流处理能力。专为紧凑型、高效能电源转换、负载开关控制以及电池管理系统设计，实现现代电子设备的小体积与高性能需求。
AO4485
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
此款消费级P沟道MOSFET采用紧凑SOP-8封装，额定电压40V，具备13A强大连续电流处理能力。专为高功率应用设计，具有低导通电阻和优异开关性能，广泛应用于电池管理系统、电源转换及各类高效能电子设备中，实现卓越的功率控制与能效管理。
MX4612S
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
这款消费级N+P沟道MOSFET采用紧凑型SOP-8封装，专为60V电压环境设计，额定电流5A。适用于电池管理系统、AC/DC转换器等应用，具备双极性开关功能，实现正负电压控制。低导通电阻和卓越的开关性能确保了在高效率电源转换中的稳定表现。
MX20P03D
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
本款消费级P沟道MOSFET采用紧凑型TO-252-2L封装，具有30V电压耐受力和高效能的20A电流处理能力。适用于各类低压开关应用的消费电子产品，提供卓越的系统效率与稳定性，是优化电源管理方案的理想半导体元件选择。
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