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场效应管(MOSFET)
型号
封装
品牌
分类
圆盘信息
描述
AOD603
TO-252-4L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
本款消费级N+P沟道MOSFET采用TO-252-4L封装，具有60V高耐压和高效能的20A电流处理能力。专为双极性电源转换应用设计，广泛应用于各类中高压消费电子产品中，实现卓越的能源效率与系统稳定性表现。
MX7002AI
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23小型封装，耐压高达60V，适用于低至0.3A电流的精密控制场景。具备快速开关与低导通电阻特性，广泛应用于电池保护、电源管理及各类电子设备的信号切换，提供高效且可靠的功率转换解决方案。
AOD413A
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
本款消费级P沟道MOSFET采用紧凑型TO-252-2L封装，具有40V工作电压及高效能的25A电流承载力。专为低压、高效率开关应用设计，应用于各类消费电子产品中，以实现卓越的电源转换效能与系统稳定性，是优化电路的理想选择。
MX2101EI
SOT-323
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
这款消费级P沟道MOSFET采用超小型SOT-323封装，额定电压为20V，最大连续电流1.8A，专为低能耗、高效率的电源管理及电子设备开关应用设计。其精巧体积与卓越性能相结合，提供出色的电路控制解决方案。
AO3416A
SOT-23-3L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23-3L封装技术，额定电压20V，具备6.5A大电流处理能力。具有出色的低导通电阻与快速开关性能，广泛应用于充电器、电源转换等领域，实现高效、可靠的功率控制。
AO3422
SOT-23-3L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该款消费级N沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23-3L封装，额定电压高达60V，最大连续电流为4.5A，适用于各种电源转换和电子设备开关控制应用。其卓越的性能表现及小巧体积，有效提升系统效率，是电路设计的理想选择。
SI2323
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
这款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，适用于20V电压系统，具备5A大电流处理能力。凭借其低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电器、电源转换等领域，为电子设备提供高效、稳定的功率控制解决方案。
AOD480
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压30V，峰值电流20A，适用于高效电源转换、电机驱动等应用，提供低导通电阻、快速开关性能及卓越的功率管理解决方案。
MX3407AI
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该款消费级P沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，专为30V电压系统设计，额定电流4.1A。具备低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于充电器、电源转换及各类电子设备中，实现高效可靠的功率控制与切换功能。
AO4805
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
此款消费级P+P沟道MOSFET采用SOP-8封装，专为30V系统打造，提供双P沟道结构以实现大电流处理能力，额定电流高达11A。器件拥有卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于电池管理、电源转换以及高功率电子设备中，实现高效可靠的双向功率控制。
IRLML6402TRPBF
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
此款消费级P沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，额定电压为20V，最大连续电流4.2A，适用于低电压、小体积的电源开关、负载切换及反向电流保护等应用，尤其适合于高效能、空间受限的电路设计。
IRF7416T
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该消费级P沟道MOSFET采用SOP-8封装，额定电压30V，最大连续电流9A。适用于电池保护、电源管理与高效能负载切换应用，具备出色的低导通电阻及快速开关特性，是现代电子设备的理想功率控制元件。
MX30N06NF
DFN-8L(5x6)
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
本款消费级N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装，额定电压60V，连续电流30A。适用于电源转换、电机驱动及电池管理系统，提供高效能与紧凑设计，是现代电子设备实现高功率密度的理想半导体器件选择。
30N06
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
本品为消费级N沟道MOSFET，采用高效TO-252-2L封装。具备60V耐压及30A电流承载能力，适用于各类中低压开关电路，能有效提升系统能效，稳定可靠，是您电子产品设计的理想选择。
AONR21357
DFN-8L(3x3)
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
此款消费级P沟道MOSFET采用微型DFN3X3-8L封装，额定电压为30V，连续电流高达50A。专为高功率密度应用设计，适用于电源转换、负载开关及电池管理系统，提供卓越的能效比与紧凑布局解决方案，满足现代电子设备的高性能需求。
MX5N10AI
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该款消费级N沟道MOSFET采用小型化SOT-23封装，专为100V高压应用设计，具备5A大电流处理能力。拥有卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源转换及各类高功率电子系统中，实现高效可靠的功率管理与控制。
8205A
SOT-23-6L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该消费级MOSFET采用SOT-23-6L封装，集成双N沟道设计，额定电压为20V，最大连续电流高达6A。适用于高效率电源转换和负载开关应用，紧凑结构与强大性能结合，提供卓越的双通道功率控制解决方案。
AO6800
SOT-23-6L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
此款消费级MOSFET采用SOT-23-6L封装，集成双N沟道技术，额定电压为30V，最大连续电流高达4.5A。适用于高效率电源转换和电子设备开关控制，凭借其紧凑设计与出色性能，提供理想的双通道功率管理解决方案。
AO3415A
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
此款消费级MOSFET采用紧凑型SOT-23-3L封装，具备P沟道特性，工作电压高达20V，可持续提供4.1A电流，尤其适用于电源转换和电子设备开关控制应用。凭借其小型化设计与优良性能，有效提升系统效率并确保稳定运行。
2SK3018
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该消费级N沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，专为30V电压系统设计，提供精确的0.1A电流控制。具备低导通电阻和快速开关性能，尤其适用于电池保护、信号切换等低功耗电子应用，实现高效能与节能的功率管理解决方案。
AOD4184
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
此款消费级MOSFET采用TO-252-2L封装，是一款高性能N沟道器件，拥有40V额定电压和高达60A的连续电流承载能力。专为高效、稳定运行设计，适用于各类电源转换与开关电路应用，提供卓越能效表现，满足严苛的电子设备需求。
IRLML0100TRPBF
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该款消费级N沟道MOSFET采用紧凑SOT-23封装，额定电压100V，支持3A连续电流，适用于电池保护、电源转换等应用。具备低导通电阻与高速开关性能，是现代电子产品中实现高效能功率控制的理想选择。
SI2309
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，专为60V电压应用设计，提供高达2A的连续电流处理能力。具有低导通电阻与快速开关性能，适用于充电器、电源转换等场景，实现高效、稳定的功率控制与管理。
AO3402
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，额定电压30V，连续电流高达5A。具备卓越的低导通电阻和快速开关特性，专为充电器、电源转换及各类高效电子应用设计，实现稳定可靠的功率管理与控制。
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