二极管-三极管-晶体管-MOS场效应管-桥堆生产厂家-深圳兆信半导体MXsemi

DFN-8L(3x3)

MXsemi

场效应管(MOSFET)

5000个/圆盘

NVTFWS015N04CN沟道MOS管采用小型DFN3X3-8L封装，集成了高效散热和空间优化特性。器件支持40V工作电压VDSS，能够承载60A的大电流ID，特别适应于高电流应用场合。其核心亮点在于导通电阻RD(on)仅为6.9mΩ，助力系统降低功耗、提升能效表现。广泛应用于电源转换、电机驱动等领域，NVTFWS015N04CMOS管是设计者实现高效、节能方案的理想半导体元件选择。

DMP3020LSS

SOP-8

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

DMP3020LSS是一款采用SOP-8封装的高性能P沟道MOS管，专为高效能应用设计。其拥有30V的漏源电压VDSS和11A的连续电流ID承载力，尤其适合于中大电流开关电路。导通电阻RD(on)低至12.5mR，有效减少了功率损耗，提升了整体能效。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池保护模块等领域，是实现低损耗、高效率电路的理想选择。

FDS6670A

SOP-8

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

FDS6670A是一款高性能N沟道MOSFET，采用SOP-8封装形式，专为高效率、大电流应用设计。该器件拥有30V的最大漏源电压VDSS，可承载高达18A的连续漏极电流ID，确保在高功率系统中保持稳定性能。其独特之处在于其超低导通电阻RD(on)仅为5.5mΩ，有效降低功率损耗，提升整体能效。FDS6670AMOS管适用于电源转换、电机驱动及其它高电流场合，以卓越的电气性能为您的设计带来更高水准的可靠性与效率。

MX150N03NF

DFN-8L(5x6)

MXsemi

场效应管(MOSFET)

5000个/圆盘

此款消费级N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装，具备30V额定电压和高达150A连续电流承载能力。专为高效电源转换、大电流负载控制及电池管理系统设计，提供卓越的功率密度与散热性能，实现现代电子产品的小型化与高性能需求。

IRFR1205TRPBF

TO-252-2L

MXsemi

场效应管(MOSFET)

2500个/圆盘

本款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，具备60V的漏源电压和30A的最大连续电流，适用于各类高效电源转换、电机驱动及中高功率开关控制场合。凭借卓越的性能与稳定性，为电路设计提供强大动力支持。

SI4435DYTRPBF

SOP-8

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

本款消费级P沟道MOSFET封装于SOP-8，特别适用于空间有限的电路设计。额定电压30V，可承载最大连续电流11A，是电源转换、负载切换以及防止反向电流的理想选择，助力电子产品实现高效能、低损耗的功率管理。

IRF7416TRPBF

SOP-8

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

这款消费级P沟道MOSFET采用紧凑型SOP-8封装，专为30V电压系统设计，具有高达9A的连续电流处理能力。器件具备出色的开关效率与低导通电阻特性，广泛应用在电池保护、电源管理及高功率负载切换等领域，是提升电子设备能效的理想选择。

IRFR024NTRPBF

TO-252-2L

MXsemi

场效应管(MOSFET)

2500个/圆盘

本款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压60V，提供强大的30A电流处理能力。适用于各类中高压开关应用场合的消费电子产品，具备高效能、低导通电阻和卓越的系统稳定性，是电源转换与负载驱动的理想之选。

AO4402

SOP-8

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

这款消费级N沟道MOSFET采用SOP-8封装，具有20V额定电压及高达20A连续电流。专为中等功率电子设备设计，应用于电源转换、负载控制和电池管理系统，以紧凑体积提供高效能半导体解决方案。

AOD558

TO-252-2L

MXsemi

场效应管(MOSFET)

2500个/圆盘

这款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压30V，最大连续电流高达80A，专为高功率电子设备设计，如电源转换器和电机驱动系统，提供出色的开关性能及低损耗表现。

FDD306P

TO-252-2L

MXsemi

场效应管(MOSFET)

2500个/圆盘

该消费级N沟道MOSFET封装为TO-252-2L，具备20V电压额定值及高达60A的连续电流处理能力，专为高电流应用场景设计，如电源转换、大功率负载控制，实现高效能、低损耗开关操作。

NTD25P03LG

TO-252-2L

MXsemi

场效应管(MOSFET)

2500个/圆盘

此款消费级P沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压30V，可稳定承载20A电流。专为低压、高效率的消费电子开关应用设计，提供出色的导通性能和能效表现，是提升电源转换系统性能与可靠性的理想半导体组件。

SM4286T9RL

TO-252-2L

MXsemi

场效应管(MOSFET)

2500个/圆盘

该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，具备100V高耐压及20A连续电流处理能力，专为高性能电子设备设计，应用于电源转换、电机驱动等领域，提供低损耗、高效能的开关控制功能。

MX4410S

SOP-8

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

本款消费级N沟道MOSFET采用SOP-8封装，额定电压30V，连续电流高达15A。专为中等功率应用设计，如电源转换、负载开关控制及电池管理系统，具有高效率与紧凑体积，是现代电子设备的理想集成组件。

MX4407S

SOP-8

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

此款消费级P沟道MOSFET采用小型化SOP-8封装，专为30V电压环境设计，提供高达12A的连续大电流处理能力。器件具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于电池保护、电源转换器以及高效能电子设备的功率控制解决方案中。

HS1195

SOP-8

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

这款消费级P+P沟道MOSFET采用SOP-8封装，专为30V系统设计，具备双P沟道结构以实现高效能正向导通。额定电流高达8.5A，适用于电池保护、电源切换等应用场景，凭借其出色的低导通电阻与快速开关性能，成为现代电子设备理想的高功率控制元件。

SMAJ6.0A

SMA(DO-214AC)

MXsemi

场效应管(MOSFET)

5000个/圆盘

该款SMA封装单向TVS瞬态抑制二极管，专为6V系统设计，提供强劲的正向过电压保护。具备38.8A峰值脉冲电流IPP能力，能迅速响应并钳位电路中的瞬态高压，有效防止浪涌、瞬变事件对电子设备造成损害，尤其适用于高功率和需要强大瞬态防护性能的电源线及信号接口场合。

HS6339

SOP-8

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

此款消费级P沟道MOSFET采用小型SOP-8封装，专为30V系统设计，提供高达12A的连续电流处理能力。具备优秀的开关性能与低导通电阻，广泛应用于电池保护、电源切换以及高功率负载控制场景，是现代电子产品实现高效能、稳定运行的理想选择。

IRF7341TRPBF

SOP-8

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

高效能N+N沟道MOSFET，采用紧凑型SOP-8封装，适用于60V电压环境，具备6.5A强劲连续电流处理能力。特别适合于消费级电子产品中的电源转换、负载开关及逆变器应用，其出色的低导通电阻与高速切换性能，确保系统稳定运作并优化能源效率。

HN2199

DFN-8L(5x6)

MXsemi

场效应管(MOSFET)

5000个/圆盘

本款消费级N+P沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装，集成双通道设计，额定电压40V，连续电流高达30A。专为高效电源转换、负载切换及电池管理系统打造，实现高集成度与卓越能效，满足现代电子设备的小型化需求。

MX7N65F

TO-220F

MXsemi

场效应管(MOSFET)

50个/圆盘

此款消费级N沟道MOSFET采用经典TO-220F封装，额定电压高达650V，连续电流可达7A，适用于高电压、大电流的电源转换与开关控制应用。为电子设备提供强大且稳定的功率管理解决方案。

MX12N65F

TO-220F

MXsemi

场效应管(MOSFET)

50个/圆盘

这款消费级N沟道MOSFET采用TO-220F封装，额定电压高达650V，连续电流承载能力为12A，专为高功率电子设备设计，适用于电源转换、电机驱动等场景，提供强大稳定且高效的开关控制性能。

NTD6416ANT4G

TO-252-2L

MXsemi

场效应管(MOSFET)

2500个/圆盘

此款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，具有100V耐压及高达20A的连续电流承载能力，专为高性能电子设备设计，应用于电源转换、电机控制等领域，提供卓越的功率开关效能与稳定性。

DMP1045U

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

DMP1045U是一款P沟道MOSFET，采用小型化SOT-23封装，适合空间有限的现代电子设计。器件参数出色具有20V的最大工作电压VDSS，可稳定处理5A的漏极电流；30mΩ的低导通电阻RD(on)，有助于减少功率损耗，提升系统能效。广泛应用于电源转换、负载开关控制、电池保护等领域，是您设计紧凑型、高能效电子产品的理想MOS管选择。