二极管-三极管-晶体管-MOS场效应管-桥堆生产厂家-深圳兆信半导体MXsemi

25N50

TO-3P

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场效应管(MOSFET)

50个/圆盘

该款N沟道消费级MOSFET采用TO-3P封装，专为处理500V高电压、大电流应用设计。额定连续电流25A，适用于电源转换、电机驱动及工业控制领域，具有低导通电阻与优良散热性能，是现代电子设备高效能功率管理的理想半导体元件。

IRFH9310TRPBF

DFN-8L(5x6)

MXsemi

场效应管(MOSFET)

5000个/圆盘

这款高性能P沟道消费级MOSFET采用超小型DFN5X6-8L封装，专为高功率密度和大电流应用设计。器件具有30V额定电压，并能承载高达90A的连续电流，适用于高效电源开关、电池管理系统以及大电流负载切换场景，提供卓越的能效与出色的散热性能，是现代电子设备的理想核心组件。

BSC039N06NS

DFN-8L(5x6)

MXsemi

场效应管(MOSFET)

5000个/圆盘

本款消费级N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装，具备60V高耐压及卓越的125A大电流处理能力。专为高性能、低电阻开关应用设计，广泛应用于各类消费电子产品中，实现高效能与紧凑空间利用的完美结合。

IRF540N

TO-220

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场效应管(MOSFET)

50个/圆盘

该款N沟道消费级MOSFET采用TO-220封装，专为100V电压下大电流应用设计。额定连续电流33A，适用于电源转换、电机驱动及电池管理系统，具有出色的低导通电阻与高效散热性能，是现代电子产品实现高效率功率控制的理想半导体组件。

AO3404A

SOT-23-3L

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

型号AO3404A的高性能N沟道MOS管，采用了节省空间的SOT-23-3L封装，便于在紧凑型电路板上集成。其关键电气参数表现出色，最大工作电压VDSS高达30V，连续电流ID承载能力高达5.8A，充分满足高功率应用需求。尤为突出的是，导通电阻RD(on)仅为22mR，以极低的功率损耗实现了更高的工作效率。这款MOS管广泛应用于电源转换、电机控制、LED驱动等多个领域，是您提升电路性能、优化能源利用的理想元件选择。

SSM3K333R

SOT-23-3L

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

型号SSM3K333R的N沟道MOS管采用紧凑轻巧的SOT-23-3L封装，专为现代电子产品的小型化设计需求打造。该器件具有优越的电气性能，最高工作电压VDSS为30V，连续电流ID高达5.8A，确保在大电流环境下稳定可靠运作。导通电阻RD(on)仅为22mR，显著减少功率损耗，提升系统能效。广泛应用在电源转换、电机驱动、负载开关等领域，是工程师追求高效率、低能耗的理想半导体组件选择。

DMN3730U

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

DMN3730UN沟道MOSFET采用小型化SOT-23封装，专为高效、节省空间的设计方案打造。该器件拥有卓越性能，额定电压VDSS高达30V，连续漏极电流ID达5A，充分满足高功率应用需求。其亮点在于仅为33mΩ的超低导通电阻RD(on)，有助于减少能量损耗并提升整体效能，是电源转换、电机驱动等领域的优质半导体解决方案。

DMN3150L

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

DMN3150L是一款精巧的N沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装形式，专为紧凑型电路设计打造。器件的核心优势在于具备30V的漏源极最大耐压(VDSS)，可持续承载5A的漏极电流(ID)，确保强大而稳定的电流处理性能。尤为突出的是其低至33mΩ的导通电阻(RD(on))，有效减少了功耗，提高了系统能效。这款MOS管广泛应用在电源转换、负载切换以及各种要求高效、低阻抗半导体解决方案的场景中。

SSM3J334R

SOT-23-3L

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

型号SSM3J334R的P沟道MOS管，采用紧凑型SOT-23-3L封装，专为现代微小化电子设备设计。器件具有优良电气性能，额定电压VDSS高达30V，连续电流ID容量可达4.1A，满足中大电流应用需求。其导通电阻RD(on)仅为42mR，有助于降低功耗并提高系统能效。广泛应用于电源管理、负载切换、逻辑电平转换等领域，是工程师在设计高效率、低能耗电路时的理想选择。

AO3480

SOT-23-3L

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

型号AO3480的N沟道MOS管采用紧凑型SOT-23-3L封装，适应现代电子产品的小型化需求。该器件具有强大的性能指标，额定电压VDSS高达30V，连续电流ID承载能力为5.8A，适合处理大电流场合。值得一提的是，其导通电阻RD(on)低至21mR，有效降低了功率损耗，提升了系统能效比。广泛应用于电源管理、开关电路、马达驱动等各种场景，是工程师进行高性能、低功耗设计的理想选择。

PMV40UN2R

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

PMV40UN2RN沟道MOS管采用节省空间的SOT-23封装，专为优化电路布局而设计。器件支持最大30V的漏源极电压(VDSS)，具备5A的强大连续漏极电流(ID)处理能力，适用于多种中高功率应用场合。其亮点在于拥有33mΩ的低导通电阻(RD(on))，显著降低功耗，提升能效表现。这款MOS管广泛应用在电源管理、电池保护、以及其他需要高效能、小体积半导体解决方案的领域。

DMN3300U

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

这款型号为DMN3300U的N沟道MOS管采用紧凑型SOT-23封装，适用于各类精密电子设备。其核心参数强大，具备30V的最大漏源极电压VDSS和5A的连续漏极电流ID，确保了高效的电力传输能力。尤为突出的是其低至33mΩ的导通电阻RD(on)，有效降低功耗并提升系统能效，是高可靠性、高性能电源管理方案的理想选择。

SSM3J14T

SOT-23-3L

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

型号SSM3J14T的P沟道MOS管采用小型SOT-23-3L封装，适合于紧凑型电路设计。该器件具备出色电气性能，最大工作电压VDSS高达30V，可持续处理4.1A电流，适用中大型电流应用场景。其特色在于导通电阻RD(on)低至42mR，有助于降低功率损耗并提升能源使用效率。广泛应用于电源转换、负载开关、反向电流保护等功能模块，是工程师构建高效节能电子系统的重要组件。

DMN3110S

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

DMN3110S是一款N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为节约空间的电路设计打造。器件特征包括30V的最大漏源电压(VDSS)及4A连续漏极电流(ID)，展现出卓越的电流处理能力。其29mΩ的导通电阻(RD(on))设计，有效降低系统损耗，实现更高的能效比。DMN3110S广泛应用在电源管理、电机驱动、负载开关等领域，是紧凑、高效半导体解决方案的理想选择。

PMV45EN2R

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

PMV45EN2R是一款高性能N沟道MOS管，选用紧凑型SOT-23封装，尤其适合对空间利用有严格要求的电路设计。其核心技术指标包括最高30V的漏源极击穿电压(VDSS)，以及4A的连续漏极电流(ID)，彰显出强大的电流处理性能。更值得关注的是，该器件具有优越的导通电阻(RD(on))仅为29mΩ，旨在最大程度地减少功率损耗，提高系统效能。这款MOS管广泛应用于电源转换器、充电器、电机驱动等需高效能、低阻抗元件的电子产品中。

Si2366DS-T1-GE3

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

Si2366DS-T1-GE3是一款N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为现代精密电子设备设计。器件亮点包括最大工作电压VDSS高达30V，能稳定输送4A的漏极电流，满足高功率需求；导通电阻RD(on)仅为29mΩ，确保低功耗和高效率运作。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池保护等领域，是您追求高性能与节能方案的理想N沟道MOS管选择。

Si2304DDS-T1-GE3

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

Si2304DDS-T1-GE3是一款高效能N沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，适合空间有限的电路设计。该器件提供了30V的最大漏源电压(VDSS)，并可支持4A连续漏极电流(ID)，确保出色的电流处理性能。其导通电阻(RD(on))低至29mΩ，有效减小功耗，提升系统效率。广泛应用于电源转换、电机驱动、负载开关等多种场景，是您的高集成度、节能型半导体解决方案的理想选择。

NDS351AN

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

NDS351AN是一款高效的N沟道MOS管，采用紧凑型SOT-23封装设计，特别适合空间有限且需高性能的应用环境。该器件支持最大漏源极电压VDSS为30V，并能在持续状态下处理高达4A的漏极电流。其核心技术亮点是极低的29mΩ导通电阻RD(on)，大大提升了能源利用效率，减小了系统损耗。广泛应用在电源转换、电机驱动及各类负载开关场合，是您追求高性能与节能效果的理想半导体组件。

FDN361BN

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

FDN361BNN沟道MOS管采用紧凑型SOT-23封装，实现小巧尺寸与高性能的完美融合。器件在30V的VDSS下稳定工作，可承载高达4A的连续漏极电流，表现出色。其核心优势在于29mΩ的超低导通电阻RD(on)，显著优化系统效率，降低能耗，适用于各类要求严苛的电源开关、负载切换以及电池管理系统，是工程师高效能设计的理想之选。

BSH108

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

BSH108是一款N沟道MOSFET，采用小巧的SOT-23封装，专为现代高密度电子设计提供灵活解决方案。其关键性能参数包括最大工作电压VDSS高达30V，支持4A的连续漏极电流，确保强大驱动力；导通电阻RD(on)低至29mΩ，实现高效能与低功耗。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是您追求高性能与节能效果的理想MOS管器件。

Si2304BDS-T1-GE3

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

Si2304BDS-T1-GE3是一款高性能N沟道MOSFET，采用SOT-23封装，专为紧凑型电子设备设计。器件具有30V的最大漏源电压(VDSS)和4A连续漏极电流(ID)，提供强大的电流处理能力。其低至29mΩ的导通电阻(RD(on))，有利于降低系统功耗并提高能效。适用于电源转换、电机驱动、负载开关等多种应用场合，是追求高集成度与节能效果的理想半导体组件。

Si2316BDS-T1-GE3

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

Si2316BDS-T1-GE3是一款高效能N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为现代微小化电子设计。其关键特性包括30V的最大漏源电压(VDSS)，能承载4A连续漏极电流(ID)，确保强大的电流处理能力。导通电阻(RD(on))仅为29mΩ，有效减少功耗，提升系统能效比。这款MOS管广泛应用在电源转换、负载开关、电机驱动等场景，以卓越的性能与稳定性成为高集成度、低功耗解决方案的理想组件。

ZXM61N03F

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

ZXM61N03F是一款高性能N沟道MOSFET，采用小型化SOT-23封装，特别针对空间有限的电路设计需求。器件可在30V的VDSS电压下稳定工作，提供4A的连续漏极电流，展现强大电力处理能力。其亮点在于仅为29mΩ的低导通电阻RD(on)，有效提升系统能效，降低功耗。广泛应用于电源转换、电机驱动、负载开关等场景，是实现高效率、小型化电子设备设计的理想半导体元件。

BSS316N

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

BSS316N是一款N沟道MOSFET，采用节省空间的SOT-23封装，适用于紧凑型电路设计。器件支持高达30V的最大漏源电压(VDSS)，并能安全处理4A连续漏极电流(ID)，展现出优越的电流承载能力。其29mΩ的低导通电阻(RD(on))意味着在运行中将有效减少功耗，提升系统能效。广泛应用于电源转换、电机驱动、负载开关等各类电子设备，是高集成度与节能性能的理想半导体组件。