二极管-三极管-晶体管-MOS场效应管-桥堆生产厂家-深圳兆信半导体MXsemi

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

Si2312BDS-T1-GE3是一款高性能N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为高集成度和低功耗应用设计。器件具有20V的最大漏源电压(VDSS)，并可承受3A的连续漏极电流(ID)，凭借其卓越的23mΩ导通电阻(RD(on))，在保证高效率的同时有效降低功耗。广泛应用于电源转换、负载开关、电池保护等电路中，是实现小型化、节能电子设备的理想半导体元件。

DMN3042L

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

DMN3042L是一款高性能N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，为高功率密度设计提供理想解决方案。器件具有30V的漏源电压耐受值(VDSS)，并能在正常工作状态下承载高达5.8A的漏极电流(ID)，同时，得益于其低至28mR的导通电阻(RD(on))，实现了卓越的能效表现。此款MOS管广泛应用于开关电源、电机驱动及其它高电流、高效能的电子系统中，是您提升系统性能和节能效率的理想之选。

BSS306NH6327

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

该N沟道消费级MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，专为30V电压下高效能、中等电流应用设计。具备5A连续电流处理能力，广泛应用于电源转换、负载开关及便携式设备的功率管理模块，提供低导通电阻和优异的散热性能，是现代电子产品的理想集成组件。

IRLML2030TRPBF

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

这款N沟道消费级MOSFET采用SOT-23封装，专为高效能、中等电流应用设计。额定电压30V，提供5.8A连续电流处理能力，尤其适用于电源转换、负载开关和电池管理系统，具备低导通电阻及卓越的热性能，是现代电子设备的理想功率管理组件。

DMG301NU

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

DMG301NUN沟道MOS管采用微型SOT-23封装，适应各类空间紧凑的电路设计。该器件能在30V的最大工作电压下稳定运行，提供0.1A的连续电流，其导通电阻为1200mR，特别适用于低功率、低电流控制场合。常用于逻辑门控开关、电源线路保护、以及其他需要精细电流控制的电子设备中，是您微电子系统设计的理想组件。

DMG3414U

SOT-23

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DMG3414UN沟道MOS管采用小型SOT-23封装，为现代紧凑型电子设计提供理想解决方案。该器件能在20V的最大工作电压下稳定运行，支持高达7A的连续电流，并配备优秀的15mΩ导通电阻，确保高效能、低功耗。广泛应用于电源管理、高速开关电路、电机驱动系统等领域，是您追求高性能与节能设计的首选器件。

FDN339AN

SOT-23-3L

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FDN339AN是一款N沟道MOSFET，采用节省空间的SOT-23-3L封装，专为高效能电子设计。该器件拥有20V的漏源电压(VDSS)，能在仅18mR的导通电阻(RD(on))下，轻松承载高达6A的漏极电流(ID)。广泛应用于开关电源转换、电机驱动、快速开关电路等领域，凭借其卓越的电流承载能力和优异的能效性能，成为您优化系统设计，提升整体效能的理想半导体元件。

BSR802N

SOT-23-3L

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场效应管(MOSFET)

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BSR802NN沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23-3L封装，专为高功率密度和高效能电路设计。器件具有20V的漏源电压(VDSS)，并能在低至18mR的导通电阻(RD(on))下，支持高达6A的连续漏极电流(ID)。这款MOS管适用于开关电源、DC/DC转换器、电机驱动等场景，凭借其出色的电流处理能力和高效能表现，成为优化系统性能的理想选择。

SM3401SRL

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

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SM3401SRL是一款高性能P沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为高效率和小型化电子设备设计。器件支持30V的最大漏源电压(VDSS)，并能处理高达4.2A的连续漏极电流(ID)，其45mΩ的导通电阻(RD(on))确保了优越的电能转换效率和低功耗特性。广泛应用于电源转换、负载开关、电池管理系统等领域，是实现节能、紧凑型电子解决方案的理想半导体元件。

DMG3418L

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DMG3418LN沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装技术，为现代电路设计提供了高功率密度解决方案。这款器件具备30V的高额定漏源电压(VDSS)，并可在导通状态下轻松驾驭高达5.8A的漏极电流(ID)，同时展现出令人称赞的低导通电阻，仅为28mR(RD(on))，确保了卓越的能效表现。DMG3418LMOS管广泛应用于开关电源、高速电机驱动以及众多高性能电子系统中，是您构建强大而又节能的电路系统的得力助手。

NX2301PVL

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NX2301PVL是一款P沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为现代小型化电子产品设计。该器件具有20V的最大漏源电压(VDSS)，能够承载稳定的2.3A漏极电流(ID)，并配备95mΩ的低导通电阻(RD(on))，确保在低电压、中等电流应用中发挥高效性能。这款MOS管适用于电源管理、负载开关控制、逻辑电平转换等用途，是实现高集成度、节能型电子系统的重要组成部分。

FDN336P

SOT-23

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FDN336P是一款采用SOT-23封装的P沟道MOS管，具有小巧高效的特性。其额定电压高达20V，连续电流可达2.3A，确保了强大的电源处理能力。导通电阻仅为95mΩ，有效降低功耗，提升系统能效。适用于各类低电压、大电流开关电路设计，是您电子项目中的理想选择。

ST2300

SOT-23-3L

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ST2300N沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23-3L封装，专为高效率和小型化电路设计。该器件具有20V的漏源电压(VDSS)，在18mR的超低导通电阻(RD(on))条件下，可承载最大6A的漏极电流(ID)。适用于开关电源转换、电机驱动、负载开关等应用领域，ST2300凭借其强大的电流处理能力和优秀的能效表现，成为您优化系统性能的理想半导体元件。

DMN2053U

SOT-23

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DMN2053U是一款高效N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为高功率密度和节能电子应用设计。该器件提供20V的最大漏源电压(VDSS)，支持6A的连续漏极电流(ID)，并配备超低的22mΩ导通电阻(RD(on))，确保了优良的电能转换效率和低功耗特性。广泛应用于电源转换、负载开关、电池管理系统等场景，是小型化、高性能电子设备的理想半导体组件。

NTR1P02L

SOT-23

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NTR1P02LMOS管，采用紧凑型SOT-23封装，专为高效能电路设计。这款P沟道MOS管拥有20V的最大漏源电压(VDSS)，在保证稳定性的前提下，可提供高达2.3A的连续drain电流(ID)。其出色的导通电阻仅为120mΩ，有效降低功耗并提升系统工作效率，是您电子设备电源管理、开关控制的理想选择。

Si2312CDS-T1-GE3

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

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Si2312CDS-T1-GE3是一款高性价比N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，特别适用于空间受限且需高效能的电子设计。器件支持最大20V的漏源电压(VDSS)，并能稳定提供6A的漏极电流(ID)，同时拥有低至22mΩ的导通电阻(RD(on))，确保了优秀的电能转换效率和低功耗。广泛应用于电源管理、负载开关、马达驱动等场景，是小型化、节能型电子设备的理想半导体元件。

DMN2058U

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

DMN2058U是一款高性能N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为高效能电子设备设计。该器件提供20V的最大漏源电压(VDSS)，可稳定处理高达6A的漏极电流(ID)，且具备出色的低导通电阻22mΩ(RD(on))，确保了卓越的能效表现和低功耗。广泛应用在电源管理、电池保护、开关调节等场景中，是实现小型化、高效率电路设计的理想半导体元件。

AO3409

SOT-23-3L

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3000个/圆盘

AO3409是一款高性能P沟道MOSFET，采用小型化SOT-23-3L封装，专为高集成度和节能电子设计。该器件提供30V的最大漏源电压(VDSS)，能够承载4.2A的连续漏极电流(ID)，并具有出色的45mΩ导通电阻(RD(on))，确保在低功耗下仍能保持高效的电能转换效率。广泛应用于电源转换、负载开关、电池管理系统等场景，是小型化、高性能电子设备的优选半导体元件。

AO3403

SOT-23-3L

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

AO3403是一款高效P沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23-3L封装，专为高效率和小型化电子应用设计。该器件支持最大30V的漏源电压(VDSS)，能够承载高达4.2A的连续漏极电流(ID)，并具有低至45mΩ的导通电阻(RD(on))，确保在低功耗环境下依然维持卓越的电能转换效率。广泛应用于电源管理、负载开关控制、电池保护电路等领域，是打造节能、紧凑型电子解决方案的理想半导体组件。

ST3401M23RG

SOT-23-3L

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ST3401M23RG是一款P沟道MOSFET，采用节省空间的SOT-23-3L封装形式，专为紧凑型电子设计打造。其关键性能指标包括最大漏源电压VDSS为30V，能提供高达4.2A的连续漏极电流ID，同时具备低至45mR的导通电阻RD(on)，确保在开关过程中的高效能与低损耗。广泛应用于电源管理、电池保护系统、负载开关控制及其他需要低电压、中等电流切换功能的电子设备中。

IRLML6246TRPBF

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

该N沟道消费级MOSFET采用小巧的SOT-23封装，专为高效能、中高电流应用设计。额定电压20V，可承载高达6A连续电流，适用于电源转换、负载开关以及电池管理系统，提供低导通电阻和出色的热稳定性，是现代电子设备实现精准功率控制的理想半导体组件。

MCH3376

SOT-323

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3000个/圆盘

MCH3376是一款高效P沟道MOSFET，采用小型SOT-323封装，专为高密度电路设计。器件提供20V的最大漏源电压(VDSS)，可承载1.8A的连续漏极电流(ID)，并具有120mΩ的导通电阻(RD(on))，确保在低功耗下保持良好的电能转换效率。广泛应用于电源管理、负载开关、逻辑电路反转等领域，是小型化、节能型电子设备的理想半导体组件。

DMN2046U

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

DMN2046U型号MOS管采用小型SOT-23封装，内部集成高效N沟道技术，专为优化电路性能打造。该器件支持高达20V的漏源电压(VDSS)，并能在满载条件下稳定提供6A的连续漏极电流(ID)，适应中小功率应用场景。凭借14mR的低导通电阻(RD(on))，它能有效降低能耗，提高系统效率。广泛应用于电源转换、负载开关控制及各类低压电子设备的开关电路设计，是您提升产品性能的理想半导体器件。

Si2312BDS-T1-E3

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

Si2312BDS-T1-E3是一款高性能N沟道MOSFET，采用小型化SOT-23封装，专为高效能、低功耗电路设计。该器件提供20V的最大漏源电压(VDSS)，可稳定承载3A的漏极电流(ID)，并具备出色的23mΩ导通电阻(RD(on))，确保了良好的能源转换效率。广泛应用于电源管理、负载开关、电池管理系统等场景，是构建小型化、节能型电子设备的优秀半导体组件。