二极管-三极管-晶体管-MOS场效应管-桥堆生产厂家-深圳兆信半导体MXsemi

DMN2075U

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

DMN2075U是一款高性能N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为高效率和小型化电子设计。该器件拥有20V的最大漏源电压(VDSS)，能够承载3A的连续漏极电流(ID)，并以其出色的23mΩ导通电阻(RD(on))确保了卓越的能效和低功耗表现。广泛应用于电源转换、负载开关、电池保护等领域，是实现高效、节能电子解决方案的精选半导体元件。

NDS0610

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

NDS0610P沟道MOSFET采用流行的SOT-23封装形式，针对空间受限和高效率电路设计。该器件具有60V的漏源击穿电压(VDSS)，能在160mR(RD(on))的低导通电阻下，稳定地处理2A的漏极电流(ID)。适用于电池保护、电源切换和负载驱动等应用场合，这款MOS管以强大的电压承载能力和精确的电流控制优势，助力提升您的电路性能与可靠性。

Si2301DS

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

型号Si2301DS的P沟道MOS管采用小型SOT-23封装，特别适用于对空间要求严苛的电子设计项目。该器件具有卓越的电气性能，最大工作电压VDSS为20V，连续电流ID高达2.3A，适用于中低电压大电流应用。其导通电阻RD(on)仅为95mR，有效降低功率损耗，提高系统效率。广泛应用于电源管理、负载开关、逻辑电平转换等领域，是工程师设计高效、低耗能电路的理想组件。

BSS215P

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

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BSS215PP沟道MOS管采用紧凑型SOT-23封装，专为高效率、低功耗电子设备设计。该器件具备出色的电气性能，最大工作电压VDSS为20V，可持续处理电流ID高达2.3A，且拥有超低导通电阻RD(on)95mR，确保了在高速开关和大电流应用中显著节能降耗。广泛应用于电源转换、负载开关、电机驱动等场景，BSS215P以稳定的品质和卓越性能，成为您的电路设计中不可或缺的组件。

BSH205G2A

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

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型号BSH205G2A的P沟道MOS管采用小型SOT-23封装，特别适应于现代电子设备的小型化需求。该器件具有稳健的电气性能，最大工作电压VDSS为20V，连续电流ID可达2.3A，适宜中低电压大电流应用环境。其导通电阻RD(on)为95mR，有助于减少功率损耗并提高系统效率。广泛应用在电源转换、负载开关控制、逻辑电平转换器等电路设计中，是工程师寻求高效、低能耗解决方案的理想MOS管组件。

Si2301ADS

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

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型号Si2301ADS的P沟道MOS管采用紧凑型SOT-23封装，特别适合小型化电子产品设计。该器件提供稳定可靠的性能，工作电压VDSS高达20V，连续电流ID可达2.3A，满足中低电压大电流应用场景。导通电阻RD(on)低至95mR，有效减少功率损耗，提升整体能效。广泛应用于电源转换、负载开关、逻辑电平转换器等各类电路设计中，是工程师构建高效节能系统的理想MOS管选择。

SSM3K335R

SOT-23-3L

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场效应管(MOSFET)

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SSM3K335R是一款N沟道MOS管，采用节省空间的SOT-23-3L封装，专为现代紧凑电路设计打造。该器件提供30V的额定电压VDSS，以及高达5.8A的连续电流ID能力，保证出色的功率处理性能。其导通电阻RD(on)为22mΩ，致力于在高效率运作的同时减少能耗损失。非常适合应用于电源管理、负载切换以及低压电机驱动等场景，是您寻求高性价比半导体解决方案的理想之选。

SI2309CDS-T1-GE3

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

SI2309CDS-T1-GE3是一款P沟道MOSFET，采用小巧的SOT-23封装，适用于空间紧凑的高效电路设计。该器件具备60V的漏源电压额定值(VDSS)，能在160mR(RD(on))的导通电阻下稳定传递2A漏极电流(ID)。广泛应用于电源管理、电池保护电路、负载开关等场景，凭借其出色的电压耐受力与良好的电流控制特性，成为您提升系统效能和可靠性的理想半导体组件。

DMP3030SN

SOT-23-3L

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场效应管(MOSFET)

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DMP3030SN是一款P沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，特别适合紧凑型电路设计。器件具有30V的额定电压VDSS，提供高达4.1A的连续电流ID，而且导通电阻仅有42mR，有助于提升系统能效，减少功耗。广泛应用在电源开关、电池保护电路以及各种中等电流负载驱动场景中，是您优化电路设计、实现高效能源管理的理想半导体组件。

SM3400SRL

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

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SM3400SRLN沟道MOSFET采用SOT-23微型封装，专为紧凑型和高效能电路设计。该器件拥有30V的高击穿电压(VDSS)，可承载高达5.8A的连续漏极电流(ID)，并具备出色的导通性能，导通电阻仅为28mR(RD(on))。凭借这些特性，SM3400SRL适用于开关电源转换、大电流电机驱动和其他高功率应用场合，旨在提升系统效能，降低能耗，是您的电路设计理想之选。

SM2305SRL

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

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SM2305SRLP沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，专为高集成度电路设计。器件具备20V的最大工作电压（VDSS），并能承载高达5A的连续漏极电流（ID），显示了卓越的电流处理性能。其35mR的低导通电阻（RD(on)）确保了在大电流应用中的高效能和低功耗。广泛应用于电源管理、负载开关、电池保护电路等多种场合，是您进行高精度、低损耗功率控制的理想选择。

FDV301N

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

FDV301NN沟道MOS管，采用紧凑型SOT-23封装，专为精细化电子设计打造。在30V的额定电压下稳定运行，提供精确到0.1A的电流控制能力，具备1200mR导通电阻，尤其适用于低功耗、小电流应用环境。广泛应用于电源管理、信号切换、保护电路等领域，是您追求高效、节能电路解决方案的理想元件。

IRLML6244PBF

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

IRLML6244PbF是一款N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，适合空间受限的电路设计。器件在20V的最大工作电压下，可承载高达7A的连续电流，并提供优异的15mΩ导通电阻，实现高效能、低损耗的功率转换。广泛应用于电源管理、马达驱动、开关稳压器等各种场合，是打造高性能、节能电子产品的理想之选。

AO3406

SOT-23-3L

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

AO3406是一款N沟道MOSFET，采用小型SOT-23-3L封装，特别适用于有限空间内的电路布局。本器件额定电压VDSS为30V，峰值电流ID高达5.8A，展现出优越的电力驱动能力。其导通电阻RD(on)低至22mΩ，有效降低系统内阻，提升整体能效。AO3406是电源转换、负载开关控制以及低压马达驱动等应用场合的理想半导体组件，以稳定的性能和紧凑设计满足多样化电路需求。

DMN2056U

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

DMN2056U是一款高性能N沟道MOSFET，采用小巧的SOT-23封装，专为高功率密度电路设计。器件具备20V的最大漏源电压(VDSS)，可承载高达6A的连续漏极电流(ID)，且具有出色的22mΩ导通电阻(RD(on))，确保了更低的功率损耗和更高的能源效率。广泛应用于电源转换、负载开关、电池管理系统等领域，是实现小型化、节能电子解决方案的理想半导体组件。

NDS332P

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

NDS332PMOS管，采用紧凑型SOT-23封装形式，内建P沟道结构，性能卓越。该器件具有20V的最高漏源击穿电压(VDSS)，能在安全电压范围内稳定工作，同时提供高达2.3A的连续漏极电流(ID)，确保强大驱动能力。尤其值得关注的是其超低导通电阻RD(on)仅120mR，显著降低了功率损耗并提升了整体系统效能。适用于电源管理、开关调节等电路设计，是您实现高效能应用的理想之选。

IRLML2244TRPBF

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

此款P沟道消费级MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，专为高效电源开关和负载控制设计。器件具备20V额定电压及高达5A连续电流承载能力，尤其适用于电池供电设备、小型逆变器以及DC-DC转换等应用场合，提供卓越的低导通电阻性能，是现代电子设备中理想的功率管理组件。

PMF170XP

SOT-323

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3000个/圆盘

PMF170XP是一款高性能P沟道MOSFET，采用小型化SOT-323封装，专为紧凑型和节能电子设计。该器件支持最大20V的漏源电压(VDSS)，可承载1.8A的连续漏极电流(ID)，其120mΩ的导通电阻(RD(on))确保了在低功耗下的高效能表现。广泛应用于电源转换、负载开关、电池保护电路等领域，是小型化、节能型电子解决方案的理想半导体元件。

DMP6350S

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

DMP6350SP沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，专为高效能、低功耗电子设计。器件支持高达60V的漏源电压(VDSS)，并能在160mR(RD(on))的导通电阻下，承载稳定的2A漏极电流(ID)。此款MOS管广泛应用于电源开关、电池管理系统、反向电流保护等功能模块，其出色的电压承受能力和精准的电流控制性能，为您的电路设计提供更优质的解决方案。

FDN5618P

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

FDN5618P是一款P沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，适用于空间有限的设计项目。该器件提供高达60V的漏源电压(VDSS)，能够支持1.6A的连续漏极电流(ID)，并且具备140mΩ的导通电阻(RD(on))，在低电压应用中展现卓越性能。广泛应用于电源开关、负载切换、逻辑电平转换等功能模块，是您构建高效、可靠电路的理想选择。

DMP3130L

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

DMP3130LMOS管是一款采用小型SOT-23封装的高性能P沟道半导体器件，具有30V的高耐压值VDSS，确保在多种应用环境下稳定运行。器件支持4.2A连续电流ID，导通电阻低至45mR，有效提升能源效率，减少功率损耗。适用于电池保护、电源开关控制以及中等电流负载驱动等场合，是电路设计的理想选择，助您实现高效、可靠的系统功能。

NTR4171P

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

NTR4171PMOS管是一款高效P沟道半导体器件，采用小型SOT-23封装形式，节省电路板空间。其工作电压高达30V，并能在系统中稳定提供4.2A的电流ID。值得一提的是，该器件导通电阻为45mR，确保在传输过程中损耗较低，能效较高。广泛应用于电源管理、电池保护和负载开关等各种需要精确控制电流流向的应用场景，是您设计项目中的理想选择。

BSH205G2R

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

BSH205G2R是一款P沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，专为高效、紧凑型电路设计。该器件具有20V的漏源电压额定值(VDSS)，可承载高达2.3A的连续漏极电流(ID)，且具有出色的导通性能，导通电阻低至120mR，有利于降低功耗并提升系统效率。广泛应用于电源管理、负载开关控制、低电压大电流逻辑转换等领域，是您优化电路设计的理想半导体元件。

NTR0202PL

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

NTR0202PL是一款P沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，特别适合于紧凑型电子设计和低功耗应用。该器件拥有20V的漏源电压VDSS，能够承载高达2.3A的连续漏极电流ID，适用于电源开关、负载驱动等多种场合。其导通电阻RD(on)为130mR，展现了优秀的能效性能，常被应用于包括电源管理、电池保护电路在内的各类电子设备中。