二极管-三极管-晶体管-MOS场效应管-桥堆生产厂家-深圳兆信半导体MXsemi

ABS

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整流桥堆

5000个/圆盘

此款整流桥器件采用ABS封装工艺，专为高可靠性、高效能的电路设计。其卓越的VR1000V额定电压，确保在高压环境下稳定工作无虞。在1A电流下，VF仅为1V，展现超低正向压降特性，有效节省电力损耗，提高整体系统效率。此外，拥有强大的2A输出电流能力（IO:2A），轻松应对大电流应用场景。这款半导体器件凭借出色的性能表现与节能优势，成为电源转换器、逆变器等电子设备的理想配置选择，为您的设备运行注入澎湃动力和持久稳定性。

GBJ3510

GBJ

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整流桥堆

1500个/圆盘

这款GBJ封装的高性能整流桥，专为高功率、大电流应用场合打造。具备1000V的卓越反向电压额定值（VR），确保在高压环境下稳定运行。其特色在于，在12.5A工作电流下正向压降VF低至1.05V，有效提升电源转换效率并降低功耗。更值得关注的是，器件拥有强大的瞬态峰值电流承载能力高达30A（IO），确保在极端条件下仍能提供卓越的性能表现。适用于各类需要处理极高电流强度及高电压的电路设计，是您构建高效、可靠电源系统的理想选择。

GBP410

GBP

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整流桥堆

1500个/圆盘

这款GBP封装整流桥器件，专为高效稳定电源转换打造。其拥有1000V的高反向电压额定值（VR），确保在高压条件下安全运行。在4A工作电流下，正向压降VF低至1.1V，有效减少功率损耗并提升系统能效表现。同时，器件支持最大连续输出电流4A（IO），提供卓越的电流处理能力及稳定性。适用于各类需要处理高电压、中等电流的应用场景，是您电路设计的理想选择，助您实现性能与可靠性的完美结合。

KBP307

KBP

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整流桥堆

1500个/圆盘

这款采用KBP封装的高精度整流桥，专为800V电压等级及中等电流应用设计。其具备出色的耐压性能，在高达800V的反向电压下保持稳定工作状态。在3A的工作电流下，正向电压降低至1.1V，实现高效能电力转换与显著节能效果。器件的最大连续输出电流为3A，适用于各类电源适配器、中功率电机驱动及电子设备内部电路中的整流需求。选择本款KBP封装整流桥，将为您的系统带来卓越的能效表现和稳定的运行能力。

KBU810

KBU

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整流桥堆

1500个/圆盘

这款采用KBU封装的高端整流桥器件，特别为1000V高电压、大电流应用环境设计。在确保卓越电气性能的同时，能承受高达1000V的反向电压，保证系统稳定可靠运行。在8A的工作电流下，其正向电压降仅为1.1V，优化了电力转换效率，有效减少能源损耗。此外，该器件具有出色的连续输出能力，最大可承载8A电流，是各类高性能电源供应器、电机驱动的理想选择。选择本款整流桥将助力您的设备实现更高能效和更优稳定性。

GBU606

GBU

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整流桥堆

1500个/圆盘

这款GBU封装的高性能整流桥半导体器件，专为大电流、高效能应用打造。其关键特性包括VR耐压高达600V，确保在常规电压范围内稳定运行；VF值低至1.05V@6A，即使在满载电流6A时也能实现超低压降，显著提升电源转换效率和节能效果；额定输出电流IO为6A，提供强劲而稳定的电流处理能力。广泛应用于各类中高端电源系统、逆变器及其他大电流电子设备中，是优化系统性能与可靠性的理想之选。

DB107S

DBS

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整流桥堆

1500个/圆盘

这款DBS封装的整流桥器件，专为高效低耗电源转换应用打造。具备1000V的高反向电压额定值（VR），确保在高压条件下安全稳定运行。其独特优势在于1A电流下正向压降VF仅为1.1V，有效减少功耗并提升系统能效表现。此外，该器件支持最大连续输出电流1A（IO），提供卓越的低电流处理能力及稳定性。适用于各类小型化、高效率且需处理中等电压的应用场景，是您电路设计的理想选择，助力实现紧凑与性能兼备的电源解决方案。

MB10F

MBF

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整流桥堆

5000个/圆盘

本款高性能整流桥采用MBF封装技术，专为高电压、低损耗应用设计。作为一款1000V的高耐压整流器件，在确保系统稳定运行的同时，展现了出色的电气性能。在500mA工作电流下，其正向电压降仅为1.1V，有效减少功耗并提升整体效率。该器件拥有强大的电流处理能力，最大连续输出电流可达1A，适用于电源转换器、逆变器及各类高压直流电设备。选择这款整流桥，将有力推动您的电路设计实现更高能效与可靠性。

MB6S

MBS

MXsemi

整流桥堆

3000个/圆盘

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