二极管-三极管-晶体管-MOS场效应管-桥堆生产厂家-深圳兆信半导体MXsemi

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KBP310

KBP

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此款半导体器件是一款采用KBP封装技术的整流桥，专为高效率、低损耗应用设计。其关键性能指标包括VR高达1000V，能有效应对严苛的电压环境，确保设备安全稳定；VF表现为1.1V@3A，意味着在3A的工作电流下，其压降极低，显著提升电源转换效率；额定工作电流IO为3A，提供持久稳定的电力传输能力。适用于各类要求严苛的电源系统、逆变器等电子设备，是提升系统效能和可靠性的理想之选。

GBU610

GBU

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这款GBU封装整流桥，属于高效率、低损耗的优质器件。其拥有1000V的卓越反向电压额定值（VR），在6A工作电流下，正向压降VF仅为1.05V，确保了设备在大电流运行时仍能保持较低能耗及高效能表现。最大连续输出电流高达6A（IO），保证了稳定可靠的电力传输。适用于各类高电压、大电流应用场景，是您电路设计的理想选择，助您实现性能与耐用性的完美结合。

KBP206

KBP

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整流桥堆

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这款采用KBP封装的高效整流桥器件，专为600V电压等级及中小电流应用量身打造。其具备卓越的耐压性能，在600V反向电压下稳定运行，确保系统可靠性。在2A的工作电流下，正向电压降控制在1.1V以内，实现低功耗与高效率的电力转换。器件的最大连续输出电流为2A，适用于电源适配器、小型电机驱动及各类电子设备内部整流环节。选择本款KBP封装整流桥，将助力您的产品实现更优能效比和长期稳定的电路性能。

KBJ1010

KBJ

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整流桥堆

1500个/圆盘

此款采用先进KBJ封装的半导体整流桥器件，专为高效、大电流应用设计。其核心特性包括VR最高耐压1000V，保证在高压环境下稳定可靠运行；VF低至1.05V@4A，即使在4A电流下仍维持超低电压降，显著提高能源转换效率与节能效果；额定输出电流IO高达10A，提供强大而持久的电力处理能力。适用于各类高端电源系统、逆变器等设备中，是提升系统性能和稳定性的重要元件选择。

DB207S

DBS

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本款高性能整流桥采用先进的DBS封装技术，专为高效率、高稳定性的电路设计。其额定电压高达VR1000V，确保在严苛条件下稳定工作。在1.5A的工作电流下，正向压降仅为VF1.1V，有效降低功耗，提升系统能效。此外，拥有2A的输出电流能力（IO:2A），充分满足大电流应用需求，是各类电源转换、逆变器等电子设备的理想选择。这款半导体器件以卓越性能与高效节能，助力您的设备运行更顺畅，表现更出色。