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SQ2348ES-T1_GE3是一款N沟道MOSFET，采用经济实用的SOT-23封装，专为现代高效率电路设计。该器件具备30V的漏源电压(VDSS)，能够处理高达5.8A的连续漏极电流(ID)，并拥有出色的低导通电阻性能，仅为22mR(RD(on))。广泛应用于开关电源转换、电机驱动及多种高功率电子系统，这款MOS管凭借卓越的电流承载能力和高效能表现，成为您设计中的理想半导体元件。
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