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ZXMN3A06DN8是一款高性能N+N沟道MOSFET，采用紧凑型SOP-8封装技术，专为现代电子设备提供高效能电流控制。其核心优势在于最大工作电压VDSS高达30V，支持6A的连续漏极电流，确保卓越的电力传输能力；导通电阻RD(on)仅为25mΩ，有效降低功率损耗，提升系统整体能效。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等场景，是您设计高集成度、节能电子产品的理想MOS管解决方案。
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