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MMDT5551

MMDT5551参数|MMDT5551工作原理|MMDT5551规格书|兆信三极管

这款SOT-363封装双NPN三极管,具备160V高耐压VCEO和0.2A集电极电流能力,放大倍数在100至300之间,专为高压环境下的信号放大设计,适合各类精密电子设备,提供卓越的线性放大性能。

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这款SOT-523封装的NPN型三极管,具备40V的高VCEO电压和0.2A的稳定IC电流,其放大倍数在100至300之间,性能优越,适用于各类精密电子电路,提供高效能信号放大解决方案。

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该款SOT-363封装的双NPN型三极管,每个NPN单元具有40V的VCEO耐压值和0.2A的最大集电极电流,放大倍数在100至300之间,适用于高效互补电路设计,为您的系统提供精准、稳定的信号放大性能。

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此款达林顿管采用TO-252-2L封装,是一款高性能PNP型双极功率晶体管。拥有100V的集射极击穿电压(Vceo)及8A的最大集电极电流(Ic),额定功率耗散为1.5W。其具有超低饱和电压,在8A集电极电流和80mA基极电流时,VCE(sat)仅为4V,确保高效能运行。此外,该器件在4A/4V条件下提供出色的直流电流增益,hFE范围介于1000至12000之间。适用于通用放大器设计以及低速开关应用场合,以其卓越的电气参数与稳定性能,满足各类中高功率电路需求。

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