C2M0160120D
该款碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247封装,专为1200V高电压应用设计。额定电流18A,适用于严苛环境下的电源转换、电机驱动及逆变系统,具备卓越的高温稳定性能、低导通电阻和快速开关响应速度,是现代电力电子设备中实现高效能控制的理想组件。
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