C2M0160120D参数|C2M0160120D工作原理|C2M0160120D规格书|兆信MOS管

该款碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247封装，专为1200V高电压应用设计。额定电流18A，适用于严苛环境下的电源转换、电机驱动及逆变系统，具备卓越的高温稳定性能、低导通电阻和快速开关响应速度，是现代电力电子设备中实现高效能控制的理想组件。

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C2M1000170D

该碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247封装，专为1700V超高电压、中等电流应用设计。额定电流5A，适用于严苛环境下的电源转换、逆变器和高压开关电路，具有卓越的高温稳定性、低导通电阻及快速开关特性，是现代电力电子设备的理想组件。

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C2M0040120K

该碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247-4L封装，专为1200V高压大电流应用打造。额定连续电流高达78A，尤其适用于高功率电源转换、电机驱动及逆变系统，具备卓越的高温稳定性能、低导通电阻和快速开关响应，是现代高效能源管理系统的核心半导体元件。

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C3M0075120D

这款工业级碳化硅N沟道MOSFET采用TO-247封装，专为高电压、大电流应用设计。额定击穿电压1200V，连续电流可达32A，尤其适用于电源转换器、电机驱动及工业逆变系统，具备卓越的高温稳定性和低损耗特性，是严苛环境下高效能电力管理的理想选择。

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C4D30120H

这款碳化硅肖特基二极管采用TO-247-2L封装，具有1200V高反向耐压和30A大电流承载能力，其正向导通电压VF低至1.5V。专为高效能、高频开关应用设计，适用于太阳能逆变器、电动汽车充电系统等严苛环境下的高端电源转换与整流需求。

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C3D10170H

这款碳化硅肖特基二极管采用TO-247-2L封装，拥有1700V超高反向耐压和10A连续正向电流处理能力，其正向导通电压VF仅为1.5V。专为高端电源转换、新能源及工业逆变器应用设计，提供卓越的高温稳定性与快速恢复性能，实现高效率整流方案。

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C4D40120H

这款碳化硅肖特基二极管采用TO-247-2L封装，拥有1200V高反向耐压和高达40A的大电流处理能力，其正向导通电压VF为1.5V。特别适用于高端电源转换、新能源汽车及工业逆变器的高效整流环节，具备卓越的高温稳定性和快速恢复特性。

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C3D10170A

这款碳化硅肖特基二极管采用TO-220-2L封装，具有1700V超高反向耐压及10A大电流承载力，正向导通电压VF仅为1.7V。适用于高压电力转换、光伏逆变和工业级电源系统，提供卓越的高温稳定性与快速恢复性能，实现高效能整流解决方案。

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C4D30120D

这款碳化硅肖特基二极管采用TO-247封装，提供1200V高反向耐压及30A连续正向电流能力，其正向导通电压VF为1.5V。专为高压、大电流应用设计，如电源转换器、新能源汽车充电系统和工业逆变器，实现高效能、高速度和高可靠性整流。

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C4D05120A

这款碳化硅肖特基二极管采用TO-220-2L封装，具有1200V高反向耐压和5A连续正向电流承载力，其正向导通电压VF低至1.4V。适用于高效能电源转换、工业逆变器及新能源系统，具备卓越的高温稳定性和快速恢复特性，实现小型化与节能型整流方案。

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