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该碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247-4L封装，专为1200V高压大电流应用打造。额定连续电流高达78A，尤其适用于高功率电源转换、电机驱动及逆变系统，具备卓越的高温稳定性能、低导通电阻和快速开关响应，是现代高效能源管理系统的核心半导体元件。

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该款碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247封装，专为1200V高电压应用设计。额定电流18A，适用于严苛环境下的电源转换、电机驱动及逆变系统，具备卓越的高温稳定性能、低导通电阻和快速开关响应速度，是现代电力电子设备中实现高效能控制的理想组件。

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